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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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家電巨頭進軍車規(guī)級SiC賽道!廣汽或成首發(fā)車企?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)格力也開始做車規(guī)級碳化硅了?近日在大灣區(qū)化合物半導(dǎo)體生態(tài)應(yīng)用大會上,格力電器總裁助理、珠海格力電子元器件有限公司總經(jīng)理馮尹...
2026-01-22 標簽:SiC 8.3k 0
森國科發(fā)布三款PDFN8*8與Cu-Clip封裝SiC MOSFET產(chǎn)品
在小體積、高功率密度、高效散熱成為行業(yè)剛需的今天,森國科通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)給出了自己的解決方案。
芯干線核心功率器件產(chǎn)品及其應(yīng)用領(lǐng)域
芯干線自成立以來,深耕于功率半導(dǎo)體GaN HEMT、SiC MOS & SBD、Si MOS & IGBT、IGBT 和 SiC Mod...
理想汽車榮獲“中國心”2025年度十佳新能源汽車動力系統(tǒng)稱號
近日,“中國心”2026年度動力日暨第十屆中國汽車動力技術(shù)大會成功舉辦,這是行業(yè)內(nèi)最有影響力的新能源動力評選之一。理想i8搭載的理想自研高壓SiC電驅(qū)動...
東芝推出基于貼片SiC MOSFET的3kW服務(wù)器與通信電源參考設(shè)計
隨著數(shù)據(jù)中心規(guī)模的持續(xù)擴張與計算密度的不斷提升,服務(wù)器與通信電源系統(tǒng)對高效率、大功率與小型化的電源解決方案提出了更高要求。為滿足這一趨勢,東芝推出了一款...
核聚變電源的主要分類和功能及SiC碳化硅功率元器件與配套驅(qū)動的支撐作用
核聚變電源的主要分類和功能及基本半導(dǎo)體SiC功率元器件與驅(qū)動器產(chǎn)品線的支撐作用研究報告 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電...
維也納整流拓撲技術(shù)的全景解析:從歷史溯源到SiC碳化硅時代的效能革命
維也納整流拓撲技術(shù)的全景解析:從歷史溯源到SiC碳化硅時代的效能革命 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電子(Changer...
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進口器件征程的品質(zhì)底色
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面替代進口器件征程的品質(zhì)底色:以基本半導(dǎo)體可靠性報告為核心的深度解析 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級...
電力電子應(yīng)用換流回路的電磁學(xué)本質(zhì)和SiC模塊應(yīng)用帶來的挑戰(zhàn)和機會
電力電子應(yīng)用換流回路的電磁學(xué)本質(zhì)和SiC模塊應(yīng)用帶來的挑戰(zhàn)和機會 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電子(Changer T...
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):交錯與硬并聯(lián)
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):基于基本半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣的交錯與硬并聯(lián)策略全景研究 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級...
國產(chǎn)SiC模塊替代進口IGBT模塊在磁懸浮中央空調(diào)變頻器的技術(shù)先進性和商業(yè)價值
國產(chǎn)SiC模塊BMF540R12MZA3替代進口IGBT模塊2MBI800XNE-120在磁懸浮中央空調(diào)變頻器的技術(shù)先進性和商業(yè)價值 BASiC Sem...
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日,杰平方半導(dǎo)體正式推出兩款1400V 碳化硅SiC MOSFET 新品,分別實現(xiàn) 40mΩ 和 80mΩ 的導(dǎo)通電阻,為 80...
2026-01-19 標簽:功率器件SiCSiC MOSFET 6.9k 0
電力電子DPT雙脈沖測試原理及其在國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進口IGBT模塊進程中的技術(shù)價值
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型與電氣化進程的加速,電力電子技術(shù)作為電能高效轉(zhuǎn)換的核心,正經(jīng)歷著從硅(Si)基器件向?qū)捊麕В╓BG)半導(dǎo)體器件——特別是碳化硅(S...
基于半橋SiC模塊特性的SST固態(tài)變壓器高頻DC/DC級雙有源橋(DAB)變換器控制策略
基于Basic Semiconductor半橋SiC模塊特性的SST固態(tài)變壓器高頻DC/DC級雙有源橋(DAB)變換器控制策略 BASiC Semico...
2026-01-14 標簽:SiCSST固態(tài)變壓器 238 0
聞泰科技斬獲2026 IC風(fēng)云榜年度車規(guī)芯片技術(shù)突破獎
近日,2026半導(dǎo)體投資年會暨IC風(fēng)云榜頒獎典禮舉行,聞泰科技憑借研發(fā)創(chuàng)新實力斬獲“年度車規(guī)芯片技術(shù)突破獎”,旗下1200V車規(guī)級碳化硅(SiC)MOS...
固態(tài)變壓器(SST)高頻DC/DC級中基于半橋SiC模塊的LLC變換器控制策略
固態(tài)變壓器(SST)高頻DC/DC級中基于半橋SiC模塊的LLC變換器控制策略 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電子(Ch...
2026-01-14 標簽:SiC固態(tài)變壓器 464 0
SST固態(tài)變壓器所需SiC模塊之中國本土供應(yīng)鏈分析
在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型的宏大背景下,電力系統(tǒng)正經(jīng)歷著百年來未有之大變局。傳統(tǒng)的電力傳輸與分配網(wǎng)絡(luò),長期以來依賴于基于電磁感應(yīng)原理的工頻變壓器...
2026-01-20 標簽:SiC碳化硅固態(tài)變壓器 1.8k 0
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號
新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET...
SiC碳化硅MOSFET應(yīng)用在電力電子換流回路的分析:微觀電場與宏觀磁場的耦合研究
傾佳電子楊茜銷售團隊認知培訓(xùn)教程 碳化硅MOSFET應(yīng)用在電力電子換流回路的分析:微觀電場與宏觀磁場的耦合研究 BASiC Semiconductor基...
ODC軌道數(shù)據(jù)中心算力電源架構(gòu)與SiC碳化硅MOSFET應(yīng)用研究報告
隨著人工智能(AI)大模型參數(shù)量向萬億級邁進,地面數(shù)據(jù)中心的能源消耗與散熱需求正逼近物理與環(huán)境承載的極限。傳統(tǒng)的地面基礎(chǔ)設(shè)施面臨著土地資源緊張、清潔能源...
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