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成立于2013年1月，注冊資本為14，168萬元，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導體三家全資子公司以及深圳分公司、寧波分公司。
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無錫新潔能股份有限公司（以下簡稱“公司”）成立于2013年1月，注冊資本為14，168萬元，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導體三家全資子公司以及深圳分公司、寧波分公司。
目前公司員工總共300余人，其中研發人員80余人。公司成立以來即專注于MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發、設計及銷售，產品優質且系列齊全，廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領域；未來隨著云計算、大數據、智能電網、無人駕駛等領域的蓬勃發展，公司產品將在該等新興領域發揮重要作用。
公司的主營業務為MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發、設計及銷售，公司銷售的產品按照是否封裝可以分為芯片和封裝成品。公司是專業化垂直分工廠商，芯片由公司設計方案后交由芯片代工企業進行代工生產，封裝成品由公司委托外部封裝測試企業對芯片進行封裝測試而成。
公司為國內MOSFET等半導體功率器件設計領域領軍企業，2016年以來連續五年名列“中國半導體功率器件十強企業”。公司已建立江蘇省功率器件工程技術研究中心、江蘇省企業研究生工作站、東南大學-無錫新潔能功率器件技術聯合研發中心、江南大學-無錫新潔能功率器件技術聯合研發中心。公司參與的“智能功率驅動芯片設計及制備的關鍵技術與應用”項目獲得了2019年度江蘇省科學技術一等獎，且獲得2020年度國家技術發明獎。截至目前，公司擁有135項專利，其中發明專利36項；同時公司參與在IEEE，TDMR等國際知名期刊中發表論文13篇，其中SCI收錄論文7篇。2021年6月，公司榮列“福布斯2021中國最具創新力企業榜TOP50”。
無錫電基集成科技有限公司位于無錫市新吳區電騰路6號，于2017年03月21日成立，是無錫新潔能股份有限公司的全資子公司。公司注冊資本27000萬元，占地15272平方米，建筑面積為21467平方米，目前封裝測試車間面積為8000平米，主要封裝形式為SOT、TO系列、DFN產品封裝。公司專注于高性能、高可靠性功率半導體分立器件和多芯片電源管理器件的封裝和測試，主營業務為電力電子元器件、集成電路及半導體模塊產品的設計、制造和銷售。公司具有當前世界先進水平的半導體器件封裝和測試生產線，主力設備全部從美國、日本、新加坡等國進口，自動化程度高，保證了產品的穩定性，為現代化大生產提供了堅實基礎。
公司基于全球半導體功率器件先進理論技術開發領先產品，是國內率先掌握超結理論技術，并量產屏蔽柵功率MOSFET及超結功率MOSFET的企業之一，是國內最早在12英寸工藝平臺實現溝槽型MOSFET、屏蔽柵MOSFET量產的企業，也是國內MOSFET品類最齊全且產品技術領先的公司。同時，公司是國內最早同時擁有溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產品平臺的本土企業之一，產品電壓已經覆蓋了12V~1700V的全系列產品、達1500余種，為國內MOSFET等功率器件市場占有率排名前列的本土企業。
公司將進一步依托技術、品牌、渠道等綜合優勢，結合大尺寸晶圓芯片（8英寸、12英寸）先進工藝技術，開拓國際先進功率器件封裝制造技術，全力推進高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研發與產業化，持續布局半導體功率器件最先進的技術領域，并投入對SiC/GaN寬禁帶半導體、智能功率器件的研發及產業化，提升公司核心產品競爭力和國內外市場地位。
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在電力電子領域，功率器件的選擇直接影響著整機效率、可靠性和成本。新潔能（NCE）推出的NCE20TD60B是一款600V/20A的溝槽柵場截止型（Tre...
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新潔能（NCE）推出的NCE6020AQ是一款采用先進溝槽技術的N溝道增強型功率MOSFET。該器件在低柵極電荷條件下實現了優異的導通電阻特性，適用于多...
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本文推薦一款新潔能生產的逆導型IGBT：NCE15ER135LP。這是一款1350V、TO-3P封裝、100℃下額定電流15A的產品。
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作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破，其研發團隊持續創新，正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT ...
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隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產品研發部門推出HO系列MOSFET產品，優化了SOA工作區間，可滿...
近日，全球半導體市場峰會在上海成功召開。會上，世界集成電路協會發布了全球半導體企業綜合競爭力百強報告，新潔能成功進入該榜單，也是唯一進入該榜單的國產功率...
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產品列表
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產品是基于傳統溝槽式MOSFET的改進版本，其出色的導通電阻、品質因子和快速硬開關能力...
| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| NCE65T360D | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):650V;連續漏極電流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):19nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向傳輸電容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
|
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| NCEP055N85D | 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-; |
獲取價格
|
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| NCEP033N85D | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):85V;連續漏極電流(Id):160A;功率(Pd):220W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.95mΩ@10V,80A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):115nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):7.2nF@40V;反向傳輸電容(Crss@Vds):24pF@40V;工作溫度:-55℃~+175℃@(Tj); |
獲取價格
|
|
| NCEP050N85D |
獲取價格
|
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| NCE70T360D | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):700V;連續漏極電流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):330mΩ@10V,7A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):19nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向傳輸電容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
|
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