在小體積、高功率密度、高效散熱成為行業(yè)剛需的今天，森國科通過創(chuàng)新的封裝技術給出了自己的解決方案。

繼成功推出PDFN8 * 8+Cu-Clip封裝的SiC二極管后，森國科正式發(fā)布三款同封裝類型的SiC MOSFET產品——KM025065P1、KM040120P1和KM065065P1，形成了完整的650V-1200V電壓覆蓋，為高功率密度應用提供了更為豐富的選擇。

這一系列新品基于森國科自主研發(fā)的第三代平面柵SiC MOSFET芯片技術，通過創(chuàng)新的銅夾片封裝技術和優(yōu)化的內部結構設計，在保持高性能的同時顯著提升了散熱效率和功率密度。

PART 01

三款新品核心參數解析：滿足不同功率等級需求 KM025065P1：650V/25mΩ高電流型號

這款產品在25℃條件下連續(xù)漏極電流高達91A，脈沖電流能力達到261A，特別適合大電流應用場景。其低導通電阻(典型值25mΩ)確保在高電流下仍保持較低的導通損耗。

該器件結殼熱阻低至0.49°C/W，配合Cu-Clip技術，能夠將芯片產生的熱量快速傳導至PCB板，保證在高功率運行時的穩(wěn)定性。

KM040120P1：1200V/40mΩ高壓應用優(yōu)選

針對光伏逆變器、工業(yè)電機驅動等高壓應用，KM040120P1提供了1200V的耐壓能力，同時在15V驅動電壓下導通電阻典型值為40mΩ。該產品靜態(tài)柵源電壓為-5/+15V，適用于嚴苛的工業(yè)環(huán)境。

值得一提的是，這款產品特別優(yōu)化了開關特性，在800V/33A測試條件下，開關能量表現優(yōu)異(Eon典型值530μJ，Eoff典型值32.1μJ)，有效降低系統開關損耗。

KM065065P1：650V/65mΩ性價比之選

對于成本敏感型應用，KM065065P1提供了平衡的性能與價格。其導通電阻典型值為65mΩ，連續(xù)漏極電流38A，適合中小功率場景。該產品輸入電容僅為977pF，柵極總電荷41nC，便于驅動電路設計。

三款產品均支持-55℃至+175℃的工作結溫范圍，滿足汽車電子、工業(yè)控制等嚴苛環(huán)境要求。

PART 02

PDFN8 * 8+Cu-Clip封裝技術深度解讀

PDFN8 * 8+Cu-Clip封裝是森國科為應對高功率密度挑戰(zhàn)而推出的先進封裝解決方案。與傳統的引線鍵合技術不同，Cu-Clip(銅夾片)技術采用扁平銅橋連接芯片表面和外部引腳，有效降低封裝電阻和熱阻。

這種封裝結構的優(yōu)勢顯而易見：更低的寄生參數、更好的熱性能以及更高的電流承載能力。實測數據顯示，與傳統封裝相比，Cu-Clip技術能夠降低約35%的封裝電阻，同時提升約20%的電流能力。

熱性能是功率器件的關鍵指標。PDFN8 * 8+Cu-Clip封裝通過優(yōu)化設計，實現了從芯片到PCB的高效熱管理路徑。三款新品的結殼熱阻均在0.46-0.81°C/W范圍內，大幅提升了整體散熱能力。

封裝尺寸方面，PDFN8 * 8保持了8mm×8mm的緊湊外形，引腳間距為2.0mm典型值，厚度控制在0.95mm典型值。這種緊湊設計使得器件在空間受限的應用中具有明顯優(yōu)勢。

PART 03

電氣性能優(yōu)勢：低損耗與高可靠性兼?zhèn)?/p>

開關損耗是影響功率轉換效率的關鍵因素。三款新品在開關特性方面表現出色：

優(yōu)化的開關速度:

由于減少了柵極回路的寄生電感，新品的開關速度得到顯著提升。以KM025065P1為例，其開啟延遲時間僅12ns，上升時間28ns，下降時間22ns，支持更高頻率的運行。

低柵極電荷：

KM065065P1的柵極總電荷僅為41nC，KM040120P1為84nC，降低驅動電路的設計難度和功率需求。

優(yōu)異的體二極管特性：

內置的快恢復體二極管具有低反向恢復電荷(Qrr)，KM065065P1的Qrr典型值僅為67nC，減少反向恢復損耗。

可靠性方面，所有產品均通過嚴格的可靠性測試，包括高溫反偏(HTRB)、高低溫循環(huán)等測試，確保在惡劣環(huán)境下長期穩(wěn)定運行。

PART 04

應用場景全覆蓋：從消費電子到工業(yè)驅動

新能源汽車領域

在車載充電機(OBC)和直流-直流轉換器中，KM025065P1的高電流能力(91A連續(xù)電流)可直接替代多個并聯的傳統器件，簡化系統設計。KM040120P1的1200V耐壓適合800V電池系統應用。

可再生能源系統

光伏逆變器是SiC MOSFET的重要應用領域。KM040120P1的高耐壓和低導通損耗可有效提升系統效率，配合其優(yōu)異的開關特性，助力實現99%以上的轉換效率。

工業(yè)電源與電機驅動

服務器電源、通信電源等場景中，KM065065P1的平衡性能和成本優(yōu)勢明顯。其緊湊的封裝尺寸有助于提升功率密度，滿足現代數據中心對高密度電源的需求。

消費類電子

大功率快充電源適配器、便攜式充電站等應用中，KM025065P1的高功率密度特性可在有限空間內實現更大的功率輸出。

PART 05

設計與應用支持：助力客戶快速量產

針對不同的應用場景，森國科技術團隊可提供定制化的解決方案，幫助客戶優(yōu)化系統性能，縮短產品上市時間。

在驅動設計方面，由于三款產品的閾值電壓(VGS(th))在2.7-3.2V范圍內，建議驅動電壓在15-18V之間，以確保充分導通的同時避免過驅動。

散熱設計建議

雖然Cu-Clip封裝具有良好的散熱性能，但在大功率應用中仍需注意PCB的熱設計。建議使用2盎司及以上銅厚的PCB，并合理設計散熱過孔和散熱焊盤。

森國科此次推出的三款PDFN8 * 8+Cu-Clip封裝SiC MOSFET產品，與先前發(fā)布的同封裝SiC二極管共同構成了完整的功率半導體解決方案。這一產品組合體現了森國科在碳化硅技術領域的深厚積累和對市場需求的精準把握。

隨著新能源、電動汽車等行業(yè)的快速發(fā)展，對功率器件的功率密度、效率、可靠性要求不斷提高。森國科通過持續(xù)的技術創(chuàng)新和產品優(yōu)化，為行業(yè)客戶提供更具競爭力的解決方案。

未來，森國科將繼續(xù)擴展Cu-Clip封裝的碳化硅功率器件產品線，包括2200V及更高電壓等級的器件，為全球綠色能源轉型提供核心半導體支撐。

以下是三款產品的規(guī)格：

關于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅動芯片、無刷電機驅動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū)，在深圳、成都設有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%，研究生以上學歷占比50%，來自聯發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構，囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業(yè)大學等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產品線為650V、1200V 和碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產品系列廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產品采用6寸車規(guī)級晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩(wěn)步進入國內汽車三電、主流大功率電源、光風儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應鏈。

森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅動、BLDC及FOC電機的驅動。經過5年的發(fā)展，該產品線的團隊在BCD工藝，UHV工藝、數模混合、電機驅動算法方面有深厚的積累。功率器件驅動芯片，已經大規(guī)模量產中低壓系列，即將推出高壓系列。在電機驅動芯片方面，成功推出了單相BLDC散熱風扇電機系列和三相BLDC電機驅動系列。

森國科在中金資本、北汽產投、藍思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下，以低成本創(chuàng)新為己任，努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力，成為全球領先的功率半導體公司!