芯 干 線

專注第三代半導體功率器件及模塊研發(fā)、銷售、應用技術服務

企業(yè)簡介

芯干線科技「現(xiàn)費米電氣(舟山)有限公司」，由功率半導體資深海歸博士、電源行業(yè)市場精英和一群有創(chuàng)業(yè)夢想的年輕專業(yè)人士所創(chuàng)建的寬禁帶功率器件原廠。2022 年獲評規(guī)模以上企業(yè)，2023 年躋身國家級科技型中小企業(yè)、國家級高新技術企業(yè)，通過 ISO9001 生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認證;2024 年順利通過 IATF16949 汽車級零部件生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認證，斬獲 ASpencore 中國IC設計成就獎等獎項;2025 年再獲江蘇省潛在獨角獸、江蘇省創(chuàng)新企業(yè)等殊榮。

芯干線自成立以來，深耕于功率半導體GaN HEMT、SiC MOS & SBD、Si MOS & IGBT、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)、銷售和應用技術服務。產(chǎn)品被廣泛應用于海洋電子、移動出行、電動工具、低空飛行、消費電子、Ai算力等能源電力轉換與應用領域。

芯干線品牌總部位于浙江舟山，分公司遍布南京、深圳、蘇州、鹽城等國內(nèi)多地，并延伸至北美與臺灣地區(qū)，業(yè)務版圖不斷拓展中。

核心優(yōu)勢

強大專家團隊海歸博士領銜，集結頂尖功率器件和電源領域精英。

強化技術壁壘120+核心專利構筑第三代半導體護城河。

覆蓋多元場景廣泛適配海洋電子、移動出行、低空飛行、AI算力、消費電子、儲能等多元能源電力轉換場景。

垂直整合理念以功率半導體技術為核心，垂直整合資源，實現(xiàn)芯片、模塊和電源模塊的最佳融合。

人性化的解決方案場景定制技術，精準匹配細分場景痛點，讓能效革命更懂您的需求。

嚴苛質(zhì)量體系認證通過 ISO9001、IATF16949 等權威認證，符合車規(guī)、工規(guī)等嚴苛標準。

交付保障能力強勁集團鹽城模塊封裝廠實現(xiàn)量產(chǎn)，具備規(guī)模化生產(chǎn)能力，通過產(chǎn)能合理規(guī)劃與供應鏈優(yōu)化，可快速響應客戶大批量訂單需求，保障交付及時性。

企業(yè)實力雄厚 全球市場布局完善國家級高新技術企業(yè)，總部位于浙江舟山，分公司遍布深圳、蘇州、鹽城、舟山等國內(nèi)多地，并延伸至北美與臺灣地區(qū)，構建了覆蓋國內(nèi)外核心市場的營銷與服務網(wǎng)絡。

深度協(xié)同創(chuàng)新 生態(tài)合作優(yōu)勢明顯與瑞薩電子等全球半導體領軍企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同時與國際一線品牌建立聯(lián)合創(chuàng)新機制，縮短技術落地周期，形成“研發(fā)-應用-迭代”的良性生態(tài)閉環(huán)。

行業(yè)榮譽加持 品牌市場認可度高先后獲評規(guī)模以上企業(yè)、國家級科技型中小企業(yè)、國家級高新技術企業(yè)、江蘇省潛在獨角獸企業(yè)、江蘇省創(chuàng)新企業(yè)等殊榮;斬獲ASpencore中國IC設計成就獎、“行家極光獎——第三代半導體應用推動突破獎”等行業(yè)權威獎項，進入國內(nèi)電驅主驅前五供應商目錄、全球頭端數(shù)據(jù)中心供應商供應鏈白名單，品牌影響力與行業(yè)認可度持續(xù)提升。

核心產(chǎn)品

①功率半導體 — GaN HEMT

芯干線GaN HEMT 產(chǎn)品，憑借超高頻、高效、低損耗的核心優(yōu)勢，可實現(xiàn)更高功率密度與更小體積，適配多元場景需求。

其產(chǎn)品系列涵蓋多型號，以700V耐壓為核心特性，IDS(漏極電流)覆蓋 8A-50A 區(qū)間，如 X3G6503ATL 型號支持 50A 大電流，滿足高功率場景;RDS (on)(導通電阻)低至 32mΩ，搭配低至 1.5nC 的 Qg(柵極電荷)，有效降低損耗、提升效率。

封裝形式包含 TOLT、DFN 等多規(guī)格，兼顧集成度與適配性，可廣泛應用于新能源、儲能、通信等領域，為終端設備提供高效緊湊的功率解決方案。

②功率半導體 — SIC MOSFET

芯干線 SiC MOSFET 覆蓋 650V-1700V 電壓區(qū)間，具備高耐壓、低導通電阻特性，適配新能源、儲能等高壓高頻場景。

1700V 款(XM17001KT4)：1700V/5A，導通電阻 1.0Ω，兼顧高壓小電流需求;

1200V 系列含多規(guī)格，如1XST120016SMC ，達 1200V/88A，導通電阻僅 16mΩ，支持超大功率場景;

650V 系列則有 X2M65020TL4 等型號，110A 大電流 + 22mΩ 低內(nèi)阻，適配中大功率應用。

全系列通過不同電壓、電流組合，匹配各類高壓功率變換場景，助力設備高效低耗運行。

③功率半導體 — SIC SBD

SiC SBD具備零反向恢復、高壓高頻特性(1700V+)，開關損耗降85%;采用TO/DFN等分立封裝;適配新能源車OBC、光伏逆變及充電樁，顯著提升效率密度。

芯干線 SiC SBD 覆蓋 650V、1200V 電壓等級，兼具低正向壓降與高電流耐受性，適配高效電源、工業(yè)電子等場景。

650V 系列提供多規(guī)格：

小封裝款：如 XD065A0065， 650V/6A，DFN56 封裝;

中功率款：如 XD6506F8，達 650V/22A，DFN88-4L 封裝;

大功率款：如 XD065A020T4A，支持 650V/30A(@135℃)，TO-247-2 封裝，浪涌電流達 160A;

1200V 款(XD120A020T4A)， 1200V/20A(@150℃)，TO-247-2 封裝，浪涌電流 144A;

全系列通過不同封裝與參數(shù)組合，滿足多場景高效整流需求。

④功率半導體 — Si MOSFET

Si(硅)是目前全球應用最廣泛的半導體材料，憑借成熟的制備工藝、優(yōu)異的電學性能及豐富的自然資源，成為集成電路、分立器件等電子元件的核心基材。

芯干線 Si MOSFET，覆蓋100V、150V、 650V 電壓等級，導通電阻低、驅動簡單、成本低、可靠性高，是中低壓領域應用最廣泛的功率開關器件。

100V 系列提供多規(guī)格：

TOLL封裝款：如XUS010N1X3TL3，100V/325A/1.3mΩ;

TO-263封裝款：如XUS010N003D2A，100V/180A/3mΩ;

150V系列同樣提供多規(guī)格：

TOLL封裝款：如XUS15004NTL4，150V/295A/3.9mΩ;

TO-263封裝款：如XUS15004ND2A，150V/195A/4.2mΩ;

DFN5*6封裝款：如XUS015N9X55，150V/60A/9.5mΩ;

TO-220封裝款：如XUS015N004X4C，150V/180A/3.8mΩ;

650V 款(X2S65150D2)，650V/21A(@25℃)，TO-263封裝，柵極總電荷32nC。

全系列通過不同封裝與參數(shù)組合，滿足多場景需求，100V/150V 低壓型號，適用汽車電子、工業(yè)領域、消費電子等大電流低壓設備。650V 中壓型號，適用家電領域、新能源領域等中壓中小功率設備。

⑤功率模塊 — SIC Module

SiC Module 模塊具有高壓高頻、高效低耗、高溫運行等優(yōu)勢，能顯著提升系統(tǒng)功率密度和可靠性。

芯干線SIC Module功率模塊，提供650V、1200V兩種電壓區(qū)間，采用不同封裝和不同電路拓撲，非常適用于中高壓、大功率電力電子領域。

650V 款(XS060SPRB065N1)，60mΩ 導通電阻、PIM電路拓補、NI封裝，比較適用于小型工業(yè)變頻器、空調(diào)變頻模塊、光伏輔助電源等。

1200V款則涵蓋多種規(guī)格，適用場景更廣泛：

N6封裝款：如XS003HB120N6，半橋電路拓補、3mΩ 導通電阻，適用新能源汽車主逆變器、大功率伺服驅動器、儲能變流器。

D4封裝款：如XS013SS120D4，單管電路拓補，13mΩ 導通電阻，適用高壓電源模塊、電網(wǎng)無功補償設備。

N2封裝款：如XS040SPRB120N2，PIM電路拓補，40mΩ 導通電阻，適用工業(yè)級 UPS 電源、風電變流器等。

⑥功率模塊 — IGBT Module

IGBT模塊是集MOSFET高速開關與GTR大電流優(yōu)勢于一體的功率半導體器件，具有高效節(jié)能、驅動簡便、散熱穩(wěn)定等特點，廣泛應用于新能源、軌道交通等領域。

芯干線IGBT Module功率模塊，同樣提供650V、1200V兩種電壓區(qū)間，采用不同封裝和不同電路拓撲，適用于中壓中功率設備及大功率工業(yè)設備、超大功率電力電子設備。

650V 款(XI50SPRB065N8S)：650V/50A，PIM電路拓補、N8封裝，適用中壓中功率設備，如空調(diào)變頻模塊、小型工業(yè)變頻器、光伏逆變器輔助電源。

1200V款則涵蓋多種規(guī)格，適用場景更廣泛：

PIM 型號小電流：如XI15SPRB120N1S，1200V/15A，N2封裝，適用于工業(yè)伺服驅動器、UPS 電源的輔助電路;

PIM 型號中 / 大電流：如XI100SPRB120N4S，1200V/100A，N4封裝形式，適用于大功率工業(yè)設備，如風電變流器、儲能變流器、高壓電機控制器。

半橋型號：如XI900HB120N3L，達1200V/900A，N3封裝，適用于超大功率電力電子設備，如新能源汽車主逆變器(高電壓平臺)、電網(wǎng)級 SVG(靜止無功發(fā)生器)。

六單元型號：如XI800SP120A4S，達1200V/800A，N3封裝，則適用于三相大功率系統(tǒng)，如高壓變頻器、船舶電力推進系統(tǒng)、軌道交通牽引變流器。

應用領域

移動出行

以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的三代寬禁帶半導體，憑耐高壓、耐高溫、高頻高效特性變革移動出行功率電子系統(tǒng)。其應用于新能源汽車電驅主逆變器，可降損耗、提效率，增約 10% 續(xù)航并精簡體積重量;賦能 800V 高壓快充平臺，大幅提升充電速度，破解續(xù)航與充電焦慮，是汽車電動化核心驅動力。

電動工具

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的三代寬禁帶半導體，正重塑電動工具性能格局。SiC 器件高頻高效的特性，能提升無繩電動工具電機轉速與扭矩，延長續(xù)航;GaN HEMT 則憑借超高開關速度，打造小巧輕便的超快充充電器，20 分鐘即可滿電，大幅提升使用效率與便利性。

低空飛行

三代寬禁帶半導體(碳化硅-SiC和氮化鎵-GaN)功率器件憑借其耐高壓、耐高溫、高頻高效的特性，在低空飛行器(如無人機和eVTOL)的電驅動系統(tǒng)中扮演著核心角色，顯著提升了飛行器的性能與可靠性。

AI算力

三代寬禁帶半導體(尤其是碳化硅-SiC和氮化鎵-GaN)功率器件，以其耐高壓、耐高溫、高頻高效的特性，正成為提升AI算力基礎設施能源效率的關鍵。

能源與動力

碳化硅(SiC)器件與硅基 IGBT 模組是現(xiàn)代能源電力電子核心。SiC 憑高頻高效耐高溫特性，革新光伏、新能源車等領域，降本增效;IGBT 模組性價比突出，主導大功率場景。二者長期互補，助力電力系統(tǒng)升級，是 “雙碳” 戰(zhàn)略重要技術支撐。

消費電子

在消費電子技術迭代中，硅(Si)、碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)三類半導體材料各展所長，共同推動產(chǎn)品升級。其中，傳統(tǒng)硅基器件憑借成熟工藝和成本優(yōu)勢，長期支撐消費電子基礎電路運行，是行業(yè)發(fā)展的基石。

海洋電子

三代半導體(碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN)功率器件，憑借高功率密度、高效率、高可靠性，在海洋電子領域應用前景廣闊。它們可提升船艦動力、深?？碧皆O備等的能源效率，降低散熱需求，增強海洋惡劣環(huán)境適應性，助力設備小型輕量化，還能支撐海上風電等新能源電力轉換傳輸及岸基 / 船基充電，為海洋資源開發(fā)提供先進電子硬件保障。

發(fā)展歷程

2020年10月

公司在蘇州成立

2021年4月

深圳辦公室正式開業(yè)

2021年7月

第一批氮化鎵批量出貨

2021年11月

公司總部喬遷南京總部基地

2021年12月

SIC MOSFET批量出貨

2022年4月

獲評“中國中小企業(yè)成長標桿企業(yè)”稱號

2022年12月

SIC MOSFET批量出貨突破2KK，GaN出貨1KK

08

2023年1月

榮獲“中國GaN功率器件十強”稱號

2023年1月

進入國內(nèi)電驅主驅前五供應商目錄

2023年2月

獲得功率器件行業(yè)新銳獎、SIC行業(yè)優(yōu)秀獎

2023年11月

取得《ISO9001:2016質(zhì)量管理體系認證》資質(zhì)證書

2023年12月

2023年12月，通過國家高新技術企業(yè)認證

2024年4月

進入全球頭端數(shù)據(jù)中心供應商供應鏈白名單

2024年5月

IATF16949生產(chǎn)質(zhì)量體系認證

2024年6月

聯(lián)合瑞薩半導體簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，共建三代半數(shù)字電源實驗室

2024年6月

進入國內(nèi)頭部汽車主機廠供應商目錄

2024年7月

鹽城模塊封裝廠量產(chǎn)

2024年12月

榮獲“2024年第三代半導體應用推動突破獎”

2025年3月

在 2025 年度“中國IC設計成就獎頒獎典禮”上，芯干線憑借氮化鎵功率模塊X3G65045HMB(650V/45mΩ/半橋模塊)脫穎而出，榮獲「年度最佳功率器件 / 寬禁帶器件」獎項。

2025年3月

亮相美國APEC展，產(chǎn)品和技術獲得國際市場用戶認可。

2025年7月

提前圓滿完成2025年全年銷售目標!

2025年8月

芯干線&瑞薩電子攜手亮相“elexcon2025深圳國際電子展”參展。

2025年10月

成功斬獲 “2025 年江蘇省潛在獨角獸企業(yè)”與 “2025 年創(chuàng)新型中小企業(yè)” 雙重榮譽認證。

2025年12月

斬獲“第三代半導體市場開拓領航獎”，市場開拓實力獲產(chǎn)業(yè)高度認可。

2025年12月

憑硬核技術拿下電源行業(yè)GaN技術突破獎。

關于芯干線

芯干線科技是一家由功率半導體資深海歸博士、電源行業(yè)市場精英和一群有創(chuàng)業(yè)夢想的年輕專業(yè)人士所創(chuàng)建寬禁帶功率器件原廠。2022年被評為規(guī)模以上企業(yè)，2023年國家級科技型中小企業(yè)、國家級高新技術企業(yè)，通過了ISO9001生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認證。在2024年通過了IATF16949汽車級零部件生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認證。

公司自成立以來，深耕于功率半導體GaN HEMT、SiC MOS & SBD、Si MOS & IGBT、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)和銷售。產(chǎn)品被廣泛應用于海洋電子、移動出行、電動工具、低空飛行、消費電子、Ai算力等能源電力轉換與應用領域。

公司總部位于南京，分公司遍布深圳、蘇州、江蘇、浙江等國內(nèi)多地，并延伸至北美與臺灣地區(qū)，業(yè)務版圖不斷拓展中。