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CoolSiC MOSFET 650V第二代
產品,新增75m?型號

CoolSiC MOSFET 650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiC MOSFET技術打造,通過提升性能、增強設計靈活性及魯棒性,實現系統性價比的飛躍。該系列在硬開關與軟開關拓撲中均能實現頂級的效率、高頻開關特性及可靠性。
產品型號:
■IMBG65R075M2H
■IMW65R075M2H
■IMZA65R075M2H
■IMLT65R075M2H
■IMTA65R075M2H
產品特性
卓越的器件優值
同類最佳的導通電阻
高魯棒性與整體品質
靈活的驅動電壓范圍
支持單極性驅動(關斷柵壓VGS,off=0 V)
更低的熱阻
采用.XT擴散焊技術
支持頂部與底部雙側散熱
TOLL封裝:與所有8x8mm FET引腳完全兼容
應用價值
優化系統成本
單位成本下的系統性能最大化
最高的可靠性
可實現頂尖效率與功率密度
簡化組裝與散熱設計
支持水冷設計
支持無風扇或散熱片的設計
更低的雜散電感
更優的柵極控制性能
競爭優勢
TOLL封裝在嚴苛的高功率應用中,以卓越的可靠性取代D2PAK、TO247及TO220封裝,并可實現最大功率密度
TOLT封裝頂部散熱設計是液冷系統的理想選擇,并與高度同為2.3mm的Q-DPAK封裝形成互補
應用領域
單相組串式逆變器解決方案
儲能系統
邊緣計算設備開關電源
服務器電源
電視電源
人形機器人充電
電池充電系統
輕型電動車輛
電動自行車充電
電機驅動
家用空調
暖通空調系統
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