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電子發燒友網>今日頭條>中國28nm和14nm芯片進步神速,未來5nm仍是挑戰

中國28nm和14nm芯片進步神速,未來5nm仍是挑戰

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從臺積電到中芯國際:盤點2025年全球100+晶圓廠布局與產能現狀

期,從領先的臺積電到快速發展的中芯國際,晶圓廠建設熱潮持續。主要制造商紛紛投入巨資擴充產能,從先進的3nm5nm工藝到成熟的28nm、40nm節點不等,單個項目
2025-04-22 15:38:361574

三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率

較為激進的技術路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據韓媒《ChosunBiz》當地時間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40% 的良率,這高于
2025-04-18 10:52:53

Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現流片成功

我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標準封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續提供高性能車規級 IP 解決方案?的承諾,可滿足新一代汽車電子和高性能計算應用的嚴格要求。
2025-04-16 10:17:15843

【新品發布】紫光同創最全FPGA開發板資料發布!參與互動教材免費送!

第一顆28nm100K邏輯規模的FPGA芯片發布差不多已經有5年的時間,在這5年時間歷經多次迭代,已經在包括通訊、工業、醫療等市場被大規模地使用,如果還沒有找到合適的學習資料,或者開發難度還覺得大,那只
2025-04-14 09:53:471224

方案拆解展示 | 納祥科技365nm UV紫光燈檢測方案

隨著防偽檢測、食品、紡織等領域對紫外光源需求的提升,365nm紫光燈方案憑借其高純度UVA波段輸出等特性,成為替代傳統檢測方式操作復雜、運維成本高的理想選擇。本文將分享納祥科技便攜小巧型365nm
2025-04-11 15:34:581739

超窄帶低波數拉曼濾光片的新升級(from 350nm to 3000nm

超窄帶陷波濾光片(Bragg Notch Filter,簡稱BNF)和帶通濾光片(Bragg Bandpass Filter,簡稱BPF)是目前實現超低波數拉曼光譜(通常50cm-1以下才稱為超低波數拉曼)測量常用的方法。設計波長覆蓋350-3000nm波段,超低波數拉曼信號可低至10cm-1.
2025-04-09 16:54:15726

突破14nm工藝壁壘:天準科技發布TB2000晶圓缺陷檢測裝備

TB2000已正式通過廠內驗證,將于SEMICON 2025展會天準展臺(T0-117)現場正式發布。 這標志著公司半導體檢測裝備已具備14nm及以下先進制程的規模化量產檢測能力。這是繼TB1500突破40nm節點后,天準在高端檢測裝備國產化進程中的又一里程碑。 核心技術自主研發 TB2000采用全自主研
2025-03-26 14:40:33683

臺積電2nm制程良率已超60%

據外媒wccftech的報道,臺積電2nm制程取得了突破性進展;蘋果的A20芯片或成首發客戶;據Wccftech的最新消息顯示,臺積電公司已啟動2nm測試晶圓快速交付計劃,當前試產良率突破60%大關
2025-03-24 18:25:091240

千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

次公開了?SF1.4(1.4nm?級別)工藝,原預計?2027?年實現量產。按照三星當時的說法,SF1.4?將納米片的數量從?3?個增加到?4?個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現。? ? 三星
2025-03-23 11:17:401827

千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

次公開了 SF1.4(1.4nm 級別)工藝,原預計 2027 年實現量產。按照三星當時的說法,SF1.4 將納米片的數量從 3 個增加到 4 個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現。? ? 三星
2025-03-22 00:02:002462

手機芯片進入2nm時代,首發不是蘋果?

電子發燒友網綜合報道,2nm工藝制程的手機處理器已有多家手機處理器廠商密切規劃中,無論是臺積電還是三星都在積極布局,或將有數款芯片成為2nm工藝制程的首發產品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺
2025-03-14 00:14:002486

曝三星已量產第四代4nm芯片

據外媒曝料稱三星已量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來,每年都在改進技術。三星現在使用的是其最新的第四代4nm工藝節點(SF4X)進行大規模生產。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207

北京市最值得去的十家半導體芯片公司

A股上市,獲中國移動、紅杉資本等投資,技術應用于大模型訓練與圖形渲染。 4. 昆侖芯(Kunlunxin) *領域 :AI芯片 亮點 :前身為百度智能芯片部門,7nm工藝的昆侖芯2代已量產,性能較前
2025-03-05 19:37:43

28nm!印度今年將推出首款 “國產芯片

電子發燒友網綜合報道 近日,拉美社報道稱,印度鐵道、通信以及電子和信息技術部長阿什維尼?瓦伊什瑙透露,印度今年將擁有首款國產芯片。 ? 據悉,印度首款芯片采用 28 納米制程工藝,由塔塔電子與力積電
2025-03-05 00:20:001014

2025年中國成熟芯片將占全球產量的28%

的市場格局。 成熟工藝節點(通常指20nm及以上的工藝)看似工藝遠落后于先進工藝節點(典型如5nm),但卻是芯片市場的主流,被廣泛應用于消費電子和汽車等諸多日常產品中,而這些看似落后的芯片產品實則為整個芯片行業的研發部門提供了寶貴的利潤
2025-02-28 14:29:292814

請問DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少?

您好!請問DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量級的功率密度?
2025-02-26 06:16:47

要設計CH氣體檢測設備應用的激光源波長為3370nm,請問DMD微鏡的反射波長是多少?

請問:我現在要設計CH氣體檢測設備應用的激光源波長為3370nm,請問貴司的DMD微鏡的反射波長是多少?我們的要求能滿足嗎?
2025-02-24 08:08:31

DLP660TE 370-420nm波長的反射率以及紫外波段不同區間能承受的最大光功率值是多少?

我想知道該型號關于370-420nm波長的反射率以及紫外波段不同區間能承受的最大光功率值是多少?
2025-02-21 07:05:14

DLP9500UV在355nm納秒激光器應用的損傷閾值是多少?

DLP9500UV在355nm納秒激光器應用的損傷閾值是多少,480mW/cm2能否使用,有沒有在355nm下的客戶應用案例? 這個是激光器的參數:355nm,脈寬5ns,單脈沖能量60uJ,照射面積0.37cm^2,
2025-02-20 08:42:33

DLP9500UV在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?

請問在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?如何查看?
2025-02-20 07:49:07

YOKOGAWA/橫河AQ6370B 光譜分析儀 波長范圍 600nm至1700nm

范圍:600 至 1700 nm應用光纖:9/125 微米 50/125 微米,62.5/125 微米1523 nm 處的近動態范圍:37 dB(±0.1 nm
2025-02-19 14:36:55

VirtualLab Fusion應用:基于分布式計算的AR光波導中測試圖像的仿真

使用一個由5個提供41個客戶端的多核PC組成的網絡,模擬時間可以減少到大約4小時(與之前的大約43小時相比)。 模擬任務 入射耦合 周期:380 nm;光柵脊寬度:190 nm;高度:100 nm
2025-02-19 08:51:05

請問DLP9500能否承受3mJ/cm2的脈沖光(532nm, 5ns, 2kHz)?

我嘗試使用脈沖激光照射具有調制圖案的DMD反射鏡(DLP9500),我想知道DMD是否能夠承受以下參數的激光: 激光器:532nm 脈沖能量:3mJ 脈沖寬度:5ns 重復頻率:2kHz 照明面積:1cm2
2025-02-18 06:05:30

紫光同創FPGA權威開發指南,原廠攜手小眼睛科技技術專家聯合編著

100Pro+開發板(型號:MES2L676-100HP)采用紫光同創28nm工藝Logos2系列PG2L100H-6IFBG676, 擁有100k等效LUT4,DDR3數據交互時鐘頻率最高到533MHz,2
2025-02-17 16:33:20

365nm紫外點光源固化燈的特點、優勢與應用

在現代制造業中,紫外光固化技術已成為一種高效、環保的固化方式,廣泛應用于涂料、油墨、膠水等多個領域。紫外點光源固化燈,尤其是365nm波長的紫外燈,因其獨特的光學性能和應用優勢,成為高精度固化過程中
2025-02-13 15:44:392484

臺積電加大亞利桑那州廠投資,籌備量產3nm/2nm芯片

據最新消息,臺積電正計劃加大對美國亞利桑那州工廠的投資力度,旨在推廣“美國制造”理念并擴展其生產計劃。據悉,此次投資將著重于擴大生產線規模,為未來的3nm和2nm等先進工藝做準備。
2025-02-12 17:04:04996

見合八方亮相2025年美國西部光電子展

”)攜自主研發的覆蓋850nm、1060nm、1270nm、1310nm、1490nm、1550nm、1625nm、1653nm波段的SOA(半導體光放大器)及增益芯片驚艷亮相,彰顯了“中國芯”的強勁實力。
2025-02-06 15:17:531058

聯發科采用AI驅動Cadence工具加速2nm芯片設計

近日,全球知名的EDA(電子設計自動化)大廠Cadence宣布了一項重要合作成果:聯發科(MediaTek)已選擇采用其人工智能驅動的Cadence Virtuoso Studio和Spectre X Simulator工具,在英偉達(NVIDIA)的加速計算平臺上進行2nm芯片的開發工作。
2025-02-05 15:22:381069

三星電子1c nm內存開發良率里程碑推遲

據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達到結束開發工作、順利進入量產階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001

慧榮正在開發4nm PCIe 6.0 SSD主控芯片

慧榮科技正在積極開發采用4nm先進制程的PCIe 6.0固態硬盤主控芯片SM8466。根據慧榮的命名規律,其PCIe 4.0和5.0企業級SSD主控分別名為SM8266和SM8366,因此可以推測,SM8466也將是一款面向企業級市場的高端產品。
2025-01-22 15:48:511148

三星1c nm DRAM開發良率里程碑延期

據韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241107

三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰

近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀,三星決定在優化現有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071410

歐洲啟動1nm及光芯片試驗線

高達14億美元,不僅將超越當前正在研發的2nm工藝技術,更將覆蓋從1nm至7A(即0.7nm)的尖端工藝領域。NanoIC試驗線的啟動,標志著歐洲在半導
2025-01-21 13:50:441023

創飛芯90nm BCD工藝OTP IP模塊規模量產

一站式 NVM 存儲 IP 供應商創飛芯(CFX)今日宣布,其反熔絲一次性可編程(OTP)技術繼 2021年在國內第一家代工廠實現量產后,2024 年在國內多家代工廠關于 90nm BCD 工藝上也
2025-01-20 17:27:471647

臺積電美國Fab 21晶圓廠2024年Q4量產4nm芯片

21晶圓廠在生產相同4nm芯片時面臨著一系列挑戰。首先,由于折舊成本較高,使得在該廠生產的芯片成本相應增加。其次,Fab 21晶圓廠的生產規模相對較小,這也會對其生產效率和經濟性產生一定影響。此外,當地不完整的生態系統以及需要將芯片運回亞洲進行封裝等
2025-01-20 14:49:411129

293nm UVB LED無創光療治療骨質疏松癥

紫外LED分UVA、UVB、UVC,用于醫療消毒、皮膚及骨科疾病治療。UVBLED波長窄,屏蔽不利波長,更優治骨質疏松。293nm波長LED有效產生維生素D3,光療潛力大,助治慢性病,中國骨質疏松癥患者眾多,期待創新方案。
2025-01-18 10:43:42784

臺灣取消臺積電海外生產2nm芯片限制

近日有消息報道,臺積電(TSMC)在美國投資生產下一代2納米(nm)芯片將不再受到任何限制。這一決定標志著臺灣當局在半導體產業策略上的重要調整。 此前,為了維護中國臺灣在芯片制造領域的領先地位
2025-01-15 15:21:521017

臺積電4nm芯片量產

率和質量可媲美臺灣產區。 此外;臺積電還將在亞利桑那州二廠生產領先全球的2納米制程技術,預計生產時間是2028年。 臺積電4nm芯片量產標志著臺積電在美國市場的進一步拓展,也預示著全球半導體產業格局的深刻變化。 ?
2025-01-13 15:18:141453

創新突破|單模1064nm鎖波DFB激光芯片與器件

單模1064nm鎖波DFB激光芯片與器件成功開發,實現穩定批產供貨。該產品基于自主研制的第一代高性能1064nmFP激光芯片,采用片上集成DFB光柵技術,實現了大功率范圍的鎖波功能,產品性能和光譜
2025-01-08 11:02:441990

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