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算力存儲:首款2nm定制SRAM來了!

晶芯觀察 ? 來源:電子發燒友 ? 作者:綜合報道 ? 2025-06-21 00:57 ? 次閱讀
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電子發燒友網綜合報道,Marvell 美滿電子當地時間 17 日宣布推出業界首款 2nm 定制 SRAM,可為 AI xPU 算力設備提供至高 6Gb(即 768MB)的高速片上緩存。Marvell 宣稱其定制版 2nm SRAM 設計相比標準片上 SRAM 可節約 15% 的面積、降低約 2/3 的待機功耗,同時能實現 3.75GHz 的工作頻率。

Marvell 高級副總裁兼定制云解決方案部總經理 Will Chu 表示:定制化是人工智能基礎設施的未來。超大規模企業目前用于開發尖端定制 XPUs 的方法論和技術將逐漸滲透到更多客戶、更多設備類別和更多應用中。我們期待與我們的合作伙伴和客戶共同打造定制化時代的領先技術組合。

早前,Marvell展示了其用于下一代 AI 和云基礎設施的首款 2nm 硅片 IP。該工作硅片采用臺積電的 2nm 工藝生產,是 Marvell 平臺的一部分,用于開發定制 XPU、交換機和其他技術,以幫助云服務提供商提升其全球運營的性能、效率和經濟潛力。

Marvell表示,公司的平臺戰略以開發全面的半導體 IP 產品組合為中心,包括電氣光學串行器/反串行器 (SerDes)、2D 和 3D 設備的芯片到芯片互連、先進的封裝技術、硅光子學、定制高帶寬存儲器 (HBM) 計算架構、片上靜態隨機存取存儲器 (SRAM)、片上系統 (SoC) 結構和計算結構接口(如 PCIe Gen 7),它們可作為開發定制 AI 加速器、CPU、光學 DSP、高性能交換機和其他技術的基礎。

此前,海外公司Groq推出的LPU推理加速方案速度超越英偉達GPU十倍,且成本僅為后者的十分之一。這一創新方案得益于其采用的靜態隨機存儲器(SRAM),這種存儲器的速度相較于GPU所使用的HBM快達20倍。SRAM,作為儲存芯片的一個重要分支,能夠直接與CPU進行數據交換,且訪問速度極快。在追求低延遲和高速計算的人工智能等領域,SRAM的讀寫速度優勢愈發明顯。隨著LPU等基于SRAM的推理加速方案的涌現,SRAM的應用領域正在不斷拓展,有望進一步提升人工智能算法的運算速度,助力高效計算任務的完成。

Axelera的AIPU芯片采用了創新的內存計算技術。基于SRAM(靜態隨機訪問存儲器)和數字計算相結合,每個存儲單元有效地成為一個計算單元。這從根本上增加了每個計算機周期的操作數(每個存儲單元每個周期一次乘法和一次累加),而不受噪音或較低精度等問題的影響。該芯片還采用了開源的RISC-V指令集架構(ISA)。RISC-V作為一種低成本、高效且靈活的ISA,允許根據特定的應用需求進行定制。它為Axelera提供了極大的設計自由度和創新空間。


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