美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:282027 與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:008908 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
IGBT在國外列車供電系統(tǒng)中的應用與發(fā)展 最初，德國將300A/1200VIGBT構(gòu)成幾百千伏安的逆變器，取代了工業(yè)通用變頻器中的雙極型晶體管，用于網(wǎng)壓為750V的有軌電車上。之后不久，德國和日本又將
2012-06-01 11:04:33
`深圳市三佛科技有限公司 供應 ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應管
2021-03-24 10:35:56
羅姆(ROHM)是半導體和電子零部件領(lǐng)域的著名生產(chǎn)商，其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設(shè)計采用 Fly-Buck? 控制拓撲，從單一變壓器生成用于三相逆變器
2015-04-27 16:55:43
SBD）* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復二極管（Si FRD）的IGBT相比，開通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設(shè)計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
多重串聯(lián)型逆變器在電動汽車中的應用是什么？
2021-05-13 06:10:49
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設(shè)計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設(shè)計采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
`描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設(shè)計采用 Fly-Buck? 控制拓撲，從單一變壓器生成用于三相逆變器
2015-03-23 14:53:06
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開關(guān)頻率范圍內(nèi)（通用應用的典型范圍），其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
電阻和高達650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復電荷和結(jié)實耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr 和trr最大值。我們還評估了這種新器件在典型HID半橋電路應用中的性能：省去4個
2018-12-03 13:43:55
簡要介紹絕緣柵極晶體管（IGBT）的結(jié)構(gòu)、特點及其在鐵路供電系統(tǒng)中的應用。重點討論IGBT模塊在鐵路客車DC600V供電系統(tǒng)逆變器中的應用與保護。IGBT模塊具有損耗小，便于組裝，開
2010-12-25 17:20:09
101 IGBT在客車系統(tǒng)逆變器中的應用與保護
核心內(nèi)容:
IGBT在DC600V中的應用
過壓和欠壓保護
過熱保護
2009-10-10 15:41:491518 
IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應用與保護
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211691 
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371525 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴苛環(huán)境工作而設(shè)計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:181199 2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應用于汽車中的高速開關(guān)實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291759 意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 本文主要介紹了igbt逆變器工作原理_igbt在逆變器中的作用。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有
2018-03-01 14:51:0784093 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002707 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計應用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應用設(shè)計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:534151 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:022246 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 650 V 場截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時間，同時實現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴格的能源之星標準。 這些趨勢對選擇合適的 IGBT 提出了新的要求，這些 IGBT 是感應加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵
2021-06-01 14:56:252726 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續(xù)流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優(yōu)勢： 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:203459 
東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265831 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機型，該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時的過沖。
2023-02-09 10:19:251901 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:571193 功率晶體管與標準門極驅(qū)動器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設(shè)計。 低開關(guān)損耗：采用先進的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:342033 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:262109 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應加熱半橋評估板采用新一代650V逆導型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器，產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關(guān)應用感應
2022-03-01 09:32:401608 
RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272048 
供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473 供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:198 650V高壓低功耗非隔離電源芯片，默認輸出12V，最大電流2A，具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030 IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:351604 
本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
近日，國內(nèi)半導體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業(yè)界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設(shè)計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 6A溝槽和場阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-08 16:35:253 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費下載
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2024-04-10 16:56:381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 30A溝槽和場阻IGBT JJT30N65SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:03:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:08:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:09:161 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
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2024-04-10 17:49:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:52:381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場阻IGBT JJT50N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:53:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:56:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 60A溝槽和場阻IGBT JJT60N65UH數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:57:221 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HCN數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:58:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N65HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:01:090 ：FS3L40R07W2H5F_B70EasyPACK2B650V、40A三電平NPC1全橋IGBT模塊，配有CoolSiC肖特基二極管650V、TRENCHSTOP5H5IGBT、PressFIT壓接技術(shù)和AIND
2024-07-16 08:14:392711 
新品650V高速半橋柵極驅(qū)動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅(qū)動功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號
2024-07-27 08:14:36869 新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計，大幅度提升器件的電流密度。同時優(yōu)化了器件的開關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808 
森國科近期推出的650V/60A IGBT（型號：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導損耗和高速開關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898 森國科推出的650V/6A IGBT（型號：KG006N065SD-B）在風扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應用上做到了高效電機驅(qū)動和精準控制。
2024-11-13 16:36:131162 
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動器。自帶死區(qū)保護、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261547 
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081125 ；內(nèi)置ESD保護功能，有助于實現(xiàn)高可靠性的設(shè)計。另外，通過采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。采用DFN8080K 封裝，屬于 650V 增強型氮化鎵場效應晶體管（GaN FET
2025-03-07 15:46:54909 
電壓裕量，有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動汽車充電和固態(tài)斷路器（SSCB）應用提供額外的浪涌保護。我們的650V
2025-07-04 17:09:031016 隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其性能已成為決定整機效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-11 09:23:54217 
仁懋電子（MOT）推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測試驗證及650V耐壓，適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-24 14:33:13243 在功率半導體領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美（onsemi）的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611 
威兆半導體推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-12 15:36:26246 
威兆半導體推出的VS4N65CD是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓小功率電源管理、開關(guān)電路等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-24 13:04:05104 探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN? FET的卓越性能與設(shè)計要點 在電子設(shè)備不斷追求高效、小型化的今天，功率半導體器件的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細探討一下
2025-12-29 10:05:1576 威兆半導體推出的VS7N65AD是一款面向650V高壓小功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源開關(guān)、小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-29 10:24:08106 
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開關(guān)的理想之選 在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設(shè)計水平的關(guān)鍵。今天，我們就來深入
2025-12-29 14:45:1077
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