中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網發文表示，科研人員通過優化生長工藝，進一步解決了多型相變問題，持續改善晶體結晶質量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，加工出厚度
2022-05-07 00:55:00
4626 高溫半導體解決方案供應商CISSOID日前宣布：公司已與中國科學院電工研究所（簡稱中科院電工所）達成戰略合作關系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統研發項目，攻克技術難題，實現耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領域實現廣泛應用。
2019-06-10 14:10:191675 嚴重供不應求。增加產能的有效方法就是提高襯底尺寸，目前碳化硅襯底尺寸正在從6英寸往8英寸發展。 ? 全球最大的碳化硅襯底供應商Wolfspeed，今年4月剛剛開始在全球首個8英寸碳化硅晶圓廠試產，預計今年年底可以向客戶供貨。8英寸
2022-09-07 07:56:003503 空間大 ? 國內碳化硅產業近年來發展神速，首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產以及8英寸襯底的研發進度大幅拉近了與海外領先玩家的差距，另一方面是產能擴張上的投入越來越大。這使得國內在全球碳化硅產業中，無論是從市場需求，還是
2023-12-12 01:35:002680 英寸和8英寸晶圓，可實現增加產量的同時，降低成本。 2024年10月16至18日，ASM先晶半導體亮相于深圳舉辦的首屆灣芯展（SEMiBAY 2024）。在國際化合物半導體產業發展論壇上，ASM推出了最新推出的適用于碳化硅外延的新型雙腔機臺PE2O8。該產品專為滿足先進碳化硅功率器
2024-10-17 14:11:31830 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）碳化硅產業當前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規模往8英寸發展，在最上游的晶體、襯底，業界已經具備大量產能，8英寸的碳化硅晶圓產線也開始逐漸落地，進入試產階段。 ? 讓
2024-11-21 00:01:005497 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日，由西湖大學孵化的西湖儀器成功實現12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進了碳化硅行業的降本增效。 ? 碳化硅產業當前主流的晶圓
2025-04-16 00:24:002842 替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層，并最晚在2027年廣泛應用。 ? 碳化硅過去的主力市場是功率器件，但功率器件市場需求增速存在瓶頸，從6英寸到8英寸的進程花費時間較長，除了技術原因之外，市場需求也是其中的關鍵。 ? 6英寸碳化硅襯底只能滿足兩副
2025-09-26 09:13:556424 的12英寸單片式碳化硅外延生長設備順利交付瀚天天成。 相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產業化推進階段的8英寸晶片，12英寸晶片憑借直徑的大幅增加，在相同生產流程下單片可承載的芯片數量顯著提升分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片
2025-12-28 09:55:37809 我國科學家成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領域研究連續取得突破日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
，更好地促進技術創新和產業鏈的結合。”在多個場合，白春禮都曾反復表示，為了中國LED的未來，中科院愿意先行嘗試。 7月12日，在白春禮等人的推動下，中科院邀請了研究所和企業的代表，召開半導體照明工作
2012-07-18 11:31:19
中科院計算技術研究所副所長包云崗介紹了目前全球性能最高的開源高性能RISC-V處理器核項目“香山”。他指出，計算技術研究所對標ARM Cortex-A72，已于2021年成功研制出第一代“香山
2023-05-28 08:43:00
與團隊合作精神；5. 有研發團隊的管理工作經歷優先。三、福利待遇 參照中科院海西研究院（福建物質結構研究所）相應規定給予薪酬等待遇，年底有項目獎金； 符合泉州市及所屬縣（市、區）相關政策的創業創新
2017-06-30 16:27:40
芯片加工，MEMS傳感器、光電子器件的研究背景或工作經驗；4.動手能力強，善于學習溝通，吃苦耐勞，有團隊合作精神； 5.有半導體相關工作2年以上工作經驗優先考慮； 崗位待遇：中科院蘇州納米所南昌研究院為
2017-07-12 17:19:13
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統的MOSFET，它的導通狀態電阻很大，開關損耗很大，額定工作結溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都
2018-11-29 14:43:52
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
處于領先地位。氮化鎵功率半導體雖然適用性極高，但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
。雖然碳化硅組件可望成為推動電力設備由機械轉向電子結構的重要推手，但現階段碳化硅組件最主要的應用市場，其實是電動汽車。電動汽車應用之所以對碳化硅組件的需求如此殷切，主要原因在于可實現更輕巧的電源系統
2021-09-23 15:02:11
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發電、風力發電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創能動力于2015年在國內開發出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
散電感是碳化硅封裝的一種技術發展趨勢。然而，實現碳化硅封裝技術的突破并大規模應用，還需要開展大量的工作，以下列舉一些核心挑戰以及前景展望：1）低雜散電感封裝結構綜合性能的進一步研究驗證。例如封裝結構
2023-02-22 16:06:08
范圍-5V~-15V，客戶根據需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優先穩定正電壓，保證開通穩定。 2）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對開關電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
中科院微電子研究所研制成功40GHz靜態分頻器
近日，中科院微電子研究所四室InP HBT 小組研制成功基于InP/InGaAs DHBT工藝的靜態分頻器，測試
2009-03-18 14:49:491153 中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室（籌）光物理重點實驗室王兵兵副研究員、傅盤銘研究員及其合作者發展了非微擾量子電動力學（QED）理論處理強場中電離電子的重
2010-07-14 16:49:251508 簡介:中國科學院高能物理研究所（以下簡稱高能所）的前身是創建于1950年的中科院近代物理研究所，1973年在原子能研究所一部的基礎上組建而成。現有在編職工1145人，其中科技人員842人，研究生導師221人（其中兩院院士10人，博士生導師110人）。高能所在學研
2011-02-23 22:07:42
0 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID日前宣布：公司已與中國科學院電工研究所（簡稱中科院電工所）達成戰略合作關系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統研發項目，攻克技術難題，實現耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領域實現廣泛應用。
2019-06-11 14:50:594189 據中央紀委國家監委網報道，目前，中國電科山西碳化硅材料產業基地已經實現4英寸晶片的大批量產，6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經開始工程化驗證，預計年底達到產業化應用與國際水平相當。 此外，中電科
2020-06-09 18:58:422884 中科院上海技術物理研究所在 太赫茲量子級聯激光器方面的研究進展 太赫茲量子級聯激光器（THz-QCL）是材料科學、能帶工程與微納光子學的完美結合體，是太赫茲波段極具競爭力的緊湊型激光
2021-06-18 15:02:442826 近日中科院物理研究所在官網發文表示，科研人員通過優化生長工藝，進一步解決了多型相變問題，持續改善晶體結晶質量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，加工出厚度約2 mm的8英寸碳化硅晶片
2022-05-07 09:41:352888 最近晶盛機電宣布，公司成功生產出行業領先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告，在8月12日晶盛機電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經成功出爐，表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。
2022-09-07 09:29:443278 傳感新品 【中科院大連化學物理研究所：提出基于功能化紙基比色傳感器的農殘快檢新策略】 近日，中科院大連化學物理研究所化學傳感器研究組(106組)馮亮研究員團隊在紙基光化學傳感器的信號放大研發中取得
2023-01-12 01:21:141771 碳化硅晶體是一種性能優異的半導體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領域具有重要應用。春節期間，中科院物理研究所科研團隊們正在探索用一種新的方法生長碳化硅晶體，研制情況如何？
2023-01-31 11:52:10973 6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:161372 
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:37:001561 6.3.5.1界面態分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.8其他
2022-01-12 10:00:291695 6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.5界面的不穩定性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:35:561588 8.2.1MOS靜電學回顧8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.1.6功率JFET器件的實現
2022-02-22 09:21:591322 6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.1反應性離子
2022-01-04 16:34:331227 6.5總結第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16:442024 6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.3界面
2022-01-18 09:28:241378 6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:23:451361 6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.1界面
2022-01-13 11:21:291442 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:561715 6.1.2n型區的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》第６章
2022-01-06 09:17:331568 6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理
2022-01-04 14:10:561468 第１章導論１.１電子學的進展１.2碳化硅的特性和簡史１.３本書提綱第２章碳化硅的物理性質2.4總結2.3熱學和機械特性2.2.6擊穿電場強度2.2.5漂移速率2.2.4遷移率2.2.3雜質摻雜
2022-05-09 17:19:455767 
的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.1氧化速率
2022-01-05 13:59:371219 6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術
2022-01-24 10:09:122491 6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.4半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 14:25:521329 8.1.4比通態電阻8.1結型場效應晶體管(JFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.1.3飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征
2022-02-20 16:16:461520 6.2.1反應性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 10:57:221931 6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-25 09:18:081668 6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.2.1反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.6
2021-12-31 10:31:171681 8.1.6功率JFET器件的實現8.1結型場效應晶體管(JFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.1.5增強型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術
2022-02-21 09:29:281484 特有的基本現象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.2氧
2022-01-07 14:24:251164 5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:551433 從實際情況上看，目前多數SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降低SiC的應用成本。但為什么目前市場上主流還是6英寸碳化硅襯底？
2023-06-20 15:01:243320 
隨著新能源汽車、光伏和儲能等市場的快速發展，國內的碳化硅產業正迅速進入商業化階段。國際功率半導體巨頭對該產業表達了濃厚的興趣，并與國內企業合作，積極追趕更先進的8英寸工藝節點。
2023-07-10 15:21:242655 碳化硅襯底是碳化硅產業鏈中成本最高、技術門檻最高的環節之一。近期，受到新能源汽車、光伏和儲能等市場的推動，碳化硅廠商紛紛投資建設8英寸晶圓生產線，。國內外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導體、三星和三菱電機等都宣布參與8英寸碳化硅生產的競爭。
2023-07-14 16:22:581831 采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進給速度等切割參數對晶片切割表面的影響。通過優化切割工藝參數，最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:314324 
近日，中科院合肥物質科學研究院固體物理研究所研究員劉曉迪等與中國科學技術大學教授李傳鋒、教授許金時、研究員王俊峰（現四川大學）等合作，在國際上首次實現了基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位量子磁探測。該
2023-08-23 09:39:331458 前來看，在未來一段時間內，6英寸導電型產品將作為主流尺寸，但隨著技術的進步、基于成本和下游應用領域等因素考慮，8英寸導電型碳化硅產品將是碳化硅襯底行業的發展趨勢。最終的周期將取決于技術的進度、下游市場的發展情況等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35598 2023年9月，科友半導體自產首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:461174 業內人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展，多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166 三安光電10月23日宣布，旗下湖南三安在碳化硅產品上取得階段性進展，實現8英寸襯底準量產，部分產品已進入主流新能源汽車企業供應鏈。
2023-10-25 14:55:041652 環球晶董事長徐秀蘭10月26日表示，她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅（SiC）需求，現在情況超出預期，她強調環球晶將加快8英寸碳化硅基板產能建設，預估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進行認證，并于2025年量產。
2023-10-27 15:07:431115 碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:535133 
平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗證了中宜創芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面的獨特優勢。
2024-02-21 09:32:311666 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業務。公司已掌握行業領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝，量產晶片的核心位錯達到行業領先水平。
2024-03-22 09:39:291418 為了解決難題，聯合實驗室采用的是提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法，成功生長出直徑為6英寸（即150 mm）的碳化硅單晶，其厚度突破了100 mm。
2024-04-29 17:40:301874 
近日，芯聯集成宣布其8英寸碳化硅工程批已順利下線，這一里程碑事件標志著芯聯集成成為國內首家成功開啟8英寸碳化硅晶圓生產的廠家。此項技術的突破不僅體現了芯聯集成在碳化硅領域的領先實力，也展示了其對推動行業技術發展的堅定決心。
2024-05-27 10:57:491312 5月27日，中國半導體制造領域迎來里程碑式的事件——芯聯集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線，這一成就標志著國產8英寸碳化硅晶圓的生產正式邁入國產化階段。此項目總投資高達9.61億元，預計全面投產
2024-05-30 11:24:522315 
英飛凌于近期宣布，其位于馬來西亞的新晶圓廠正式進入第一階段建設，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的8英寸碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠。無獨有偶，安森美、意法半導體、羅姆等國際巨頭紛紛投入8英寸
2024-08-16 16:48:361306 
英寸和8英寸晶圓，可實現增加產量的同時，降低成本。 2024年10月16至18日，ASM先晶半導體亮相于深圳舉辦的首屆灣芯展（SEMiBAY 2024）。在國際化合物半導體產業發展論壇上，ASM推出了最新推出的適用于碳化硅外延的新型雙腔機臺PE2O8。該產品專為滿足先進碳化硅功率器
2024-10-17 14:21:26514 
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用，高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸，其外延生長室的結構設計
2024-12-31 15:04:18398 
近日，晶馳機電開發的8英寸碳化硅（SiC）電阻式長晶爐順利通過客戶驗證，設備穩定性和工藝穩定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅晶驗收晶錠 技術創新，引領未來 此次推出的8英寸碳化硅電阻式長晶爐
2025-01-09 11:25:33891 
端快速實現市場突破，公司8英寸碳化硅外延設備和光學量測設備順利實現銷售，12英寸三軸減薄拋光機拓展至國內頭部封裝客戶，12英寸硅減壓外延生長設備實現銷售出貨并拓展了新客戶，相關設備訂單持續增長。 ? ? 6-8 英寸碳化硅襯底實現批量出
2025-02-22 15:23:221830 近年來，以大規模預訓練模型為代表的人工智能技術迅猛發展，為科研創新提供了全新范式。中科院高能物理研究所依托正負電子對撞機等大科學裝置，積累了海量高價值實驗數據，如何高效利用數據、加速成果產出，成為研究所面臨的核心課題。
2025-05-06 15:19:01756 9月8日消息，中國科學院半導體研究所旗下的科技成果轉化企業，于近日在碳化硅晶圓加工技術領域取得了重大突破。該企業憑借自主研發的激光剝離設備，成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一成果不僅填補
2025-09-10 09:12:481432 作用。深入研究碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數的關聯性，有助于優化生長工藝，提升外延片質量，推動碳化硅半導體產業發展。
二、碳化硅外延片生長工藝參數分析
2025-09-18 14:44:40645 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）英飛凌在8月8日宣布，其位于馬來西亞的新工廠一期項目正式啟動運營，這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠，一期項目投資額高達20億歐元，重點生產碳化硅功率半導體
2024-08-12 09:10:335264
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