国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅襯底,進化到12英寸!

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:梁浩斌 ? 2024-11-21 00:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,進入試產(chǎn)階段。

讓人沒想到的是,在8英寸碳化硅還遠未大規(guī)模落地時,12英寸碳化硅襯底就已經(jīng)悄然面世。

天岳先進發(fā)布300mm碳化硅襯底

在上周的德國慕尼黑半導體展上,天岳先進發(fā)布了行業(yè)首款300mm(12英寸)碳化硅襯底。

wKgZoWc9s7uAdhLSAAD63acEo5Y741.jpg
圖源:天岳先進


300mm碳化硅襯底材料,能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積,大幅提升合格芯片產(chǎn)量。在同等生產(chǎn)條件下,顯著提升產(chǎn)量,降低單位成本,進一步提升經(jīng)濟效益,為碳化硅材料的更大規(guī)模應(yīng)用提供可能。

天岳先進表示,通過增加300mm碳化硅襯底產(chǎn)品,打造了更多的差異化的產(chǎn)品系列,并在產(chǎn)品品質(zhì)、性能等方面滿足客戶多樣化的需求。

更大的晶圓尺寸,意味著單片晶圓所能夠制造的芯片數(shù)量更多,晶圓邊緣的浪費減少,單芯片成本降低。Wolfspeed的報告顯示,以32mm為例,8英寸晶圓上的裸片數(shù)量相比6英寸增加近90%,同時邊緣裸片數(shù)量占比從14%降低至7%,也就是說8英寸晶圓利用率相比6英寸提升了7%。

而如果增加到12英寸,晶圓表面積是8英寸的1.75倍,理想情況下,不考慮良率時,12英寸晶圓能夠產(chǎn)出32mm2面積的裸片數(shù)量,是8英寸的兩倍以上,而晶圓利用率只會進一步提高。

因此,12英寸碳化硅襯底能夠幫助碳化硅產(chǎn)能再次躍升至新的水平。

碳化硅襯底演變歷程

碳化硅襯底在過去很長時間里,一直都停留在6英寸的階段。實際上早在2015年,多家公司,包括II-VI(現(xiàn)稱Coherent) 、Cree(現(xiàn)為Wolfspeed),就首次在業(yè)界展示出8英寸的碳化硅襯底樣品。

但由于在當時電動汽車市場還未真正爆發(fā),碳化硅的需求一直都未得到確認,因此8英寸襯底的推進比較緩慢。

直到2019年,彼時的Wolfspeed宣布投入10億美元建設(shè)新工廠,其中包括一座8英寸的碳化硅晶圓廠,自此才拉開了8英寸碳化硅的量產(chǎn)之路。

實際上,新能源汽車市場也是從2019年后才開始正式踏上快車道。從幾家新能源頭部車企來看,特斯拉2019年全球銷量同比增長50%;比亞迪在2019年實際上則是迎來了一個低谷,經(jīng)歷了2020年疫情后,到2021年正式進入爆發(fā)增長階段,2022年銷量已經(jīng)是2019年的接近4倍。

到了2020年,有越來越多的廠商陸續(xù)加入到8英寸碳化硅的投資中。國內(nèi)方面,山西爍科晶體在這一年宣布成功研發(fā)8英寸碳化硅襯底,并即將實現(xiàn)量產(chǎn);天科合達宣布開始啟動8英寸碳化硅晶片的研發(fā)。

2022年ST、羅姆也相繼展示8英寸SiC樣品,并開始小批量生產(chǎn)。Wolfspeed也在這一年正式啟動了其全球最大的8英寸碳化硅晶圓廠,并投產(chǎn)了首批產(chǎn)品。

在今年,國內(nèi)已經(jīng)有碳化硅襯底廠商大規(guī)模量產(chǎn)8英寸襯底,據(jù)稱前期主要是向海外客戶供應(yīng)。

寫在最后

實際上,博雅新材在今年3月也展示過12英寸的碳化硅晶錠,這是12英寸襯底的首次展出。不過目前8英寸襯底的產(chǎn)業(yè)鏈還在起步階段,晶圓制造側(cè)的8英寸產(chǎn)線目前市場上的保有量和產(chǎn)能還有很大的提升空間。從過去8英寸從首次亮相到真正量產(chǎn)用了7年多時間來看,相信碳化硅從8英寸切換到12英寸,中間還需要很長一段時間。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3464

    瀏覽量

    52327
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    12英寸碳化硅外延片突破!外延設(shè)備同步交付

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 , 短短兩天內(nèi),中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)接連迎來重磅突破。12月23日,廈門瀚天天成宣布成功開發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅(SiC)外延晶片;次日, 晶盛機電 便官
    的頭像 發(fā)表于 12-28 09:55 ?1381次閱讀

    加速!12英寸碳化硅襯底中試線來了!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 12英寸碳化硅再迎來跨越式進展!9月26日,晶盛機電宣布,首條12英寸碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-29 08:59 ?5159次閱讀

    AR光波導+先進封裝雙驅(qū)動,12英寸碳化硅靜待爆發(fā)

    替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。 ? 碳化硅過去的主力市場是功率器件,但功率器件市場需求增速存在瓶頸,從6英寸8英寸的進程花費時間較長,除了
    的頭像 發(fā)表于 09-26 09:13 ?6666次閱讀

    重大突破!12 英寸碳化硅晶圓剝離成功,打破國外壟斷!

    9月8日消息,中國科學院半導體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè),于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備,成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一
    的頭像 發(fā)表于 09-10 09:12 ?1683次閱讀

    數(shù)據(jù)中心電源客戶已實現(xiàn)量產(chǎn)!三安光電碳化硅最新進展

    16000片/月,配套產(chǎn)能即從襯底、外延、芯片制程,封測的全流程產(chǎn)能。8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能為1000片/月,外延產(chǎn)能2000片/月,目前8
    發(fā)表于 09-09 07:31 ?1996次閱讀

    探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準確性與效率,為半導體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標準
    的頭像 發(fā)表于 08-23 16:22 ?1390次閱讀
    探針式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準確性與效率,為半導體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提
    的頭像 發(fā)表于 08-20 12:01 ?717次閱讀
    【新啟航】探針式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

    【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙度對結(jié)果的影響研究

    摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量過程,深入探究表面粗糙度對測量結(jié)果的影響機制,通過理論分析與實驗驗證,揭示表面粗糙度與測量誤差的關(guān)聯(lián),為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測量方法、提升
    的頭像 發(fā)表于 08-18 14:33 ?704次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測量中表面粗糙度對結(jié)果的影響研究

    12英寸碳化硅襯底,會顛覆AR眼鏡行業(yè)?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)今年以來,各家廠商都開始展示出12英寸SiC產(chǎn)品,包括晶錠和襯底,加速推進12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近,天成半
    的頭像 發(fā)表于 07-30 09:32 ?1.2w次閱讀

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1171次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    超薄碳化硅襯底切割自動對刀精度提升策略

    超薄碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 07-02 09:49 ?602次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>切割自動對刀精度提升策略

    切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進行工藝優(yōu)化,對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:03 ?657次閱讀
    切割進給量與<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    12英寸SiC,再添新玩家

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在SiC行業(yè)逐步進入8英寸時代后,業(yè)界并沒有停下腳步,開始投入12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月,天岳先
    的頭像 發(fā)表于 05-21 00:51 ?7696次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,又有新進展

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日,由西湖大學孵化的西湖儀器成功實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案,大幅降低損耗,提升加工速度,推進了碳化
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?3107次閱讀

    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

    )的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期:Wolfspeed(原CREE)曾長期主導全球碳化硅襯底市場,其物理氣相傳輸法(PVT)生長技術(shù)及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對優(yōu)勢。2018年特斯拉采用
    的頭像 發(fā)表于 03-05 07:27 ?1517次閱讀
    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>崛起的發(fā)展啟示