據中央紀委國家監委網報道，目前，中國電科山西碳化硅材料產業基地已經實現4英寸晶片的大批量產，6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經開始工程化驗證，預計年底達到產業化應用與國際水平相當。

　　此外，中電科總經理李斌表示，目前國際上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%，而原來國內實驗室生產的碳化硅晶片的合格率僅有30%。但在碳化硅產業基地，這個合格率可以達到65%。現在我們在實現迅速研發的同時也進一步開展量產，三年內整個項目要達到18萬片每年的產能。另外，我們目前在進行8英寸晶片的研究，希望三年之后，我們能有8英寸的樣片出來。

　　2019年4月1日，中國電科（山西）碳化硅產業基地一期項目開工建設，同年9月26日封頂。

　　今年2月28日，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地在山西轉型綜合改革示范區正式投產，第一批設備正式啟動。

　　據報道，基地一期項目可容納600臺碳化硅單晶生長爐，項目建成后將具備年產10萬片4-6英寸N型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產能力，是目前國內最大的碳化硅材料產業基地。這一基地的啟動，將徹底打破國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現碳化硅的完全自主供應。

　　據悉，自 2007 年，中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規劃。2018年，中電科二所在國內率先完成4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底材料的工程化和6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的研發。