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6.4.2.1 基本原理

6.4.2 n型和p型SiC的歐姆接觸

6.4 金屬化

第６章碳化硅器件工藝

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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沖擊電壓發(fā)生器的基本原理是 “電容并聯(lián)充電、串聯(lián)放電”，核心流程分三步：先通過整流電路，將工頻交流電轉(zhuǎn)換為直流電，給多組電容器并聯(lián)充電，儲存足夠電能并達(dá)到設(shè)定電壓；當(dāng)充電完成后，觸發(fā)高壓開關(guān)使

發(fā)表于 10-17 14:10

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發(fā)表于 09-22 09:53 ?1942次閱讀

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發(fā)表于 09-03 17:56 ?1742次閱讀

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微加工激光蝕刻技術(shù)的基本原理及特點

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