奈梅亨，2022年4月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無引腳DFN封裝，配有側(cè)邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅固耐用，節(jié)省
2022-04-27 18:08:53
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奈梅亨，2022年5月12日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V
2022-05-12 10:20:496099 
PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關(guān)重要的情況下，可使電力
2022-07-27 10:14:36951 
Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件
2011-05-13 08:44:561298 Diodes公司推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封裝的產(chǎn)品。X3-DFN0603-2封裝可滿足平板電腦、手機等輕巧便攜式產(chǎn)品對組件微型化日益增長的需求。
2012-10-25 15:38:002340 Fig. 2標(biāo)出了我們所關(guān)注的MOSFET器件的幾何尺寸，包括溝道的有效長度L_eff（導(dǎo)體的長度L_drawn略大于L_eff），溝道的寬度W，絕緣層的厚度t_ox，這些參數(shù)主要影響溝道兩側(cè)的電容和溝道的電阻，從而影響著電壓電流的關(guān)系，后面的表達式會用到這些尺寸。
2023-02-16 11:35:284111 
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。
2020-04-23 11:05:581200 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求嚴(yán)格的應(yīng)用領(lǐng)域中使用近20年。
2020-05-08 09:02:451852 采用DFN2020D-6 （SOT1118D）封裝，能有效節(jié)省空間。
2020-10-12 11:20:341171 Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預(yù)覽，該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動態(tài)特性，并降低在設(shè)計過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風(fēng)險。
2021-08-30 09:47:281989 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。
2022-03-24 09:31:462291 
采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝，并集成BJT和電阻，加倍節(jié)省空間 ? 奈梅亨， 2023 年 9 月 27 日： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布新推出全新
2023-09-27 09:19:431044 
) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:021307 
`315433MHZ超小尺寸方案，詳情見圖`
2018-06-05 19:00:04
DFN,QFN代工QQ67217217
2015-07-21 13:41:32
產(chǎn)品概述：8323是兩款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代
2018-08-31 11:14:25
`產(chǎn)品概述：8323是國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代
2019-07-23 09:11:37
`Nexperia 200V超快恢復(fù)整流器擁有高功率密度，同時最大限度地減少了反向恢復(fù)時間和損耗。這些器件是大功率密度、超快恢復(fù)整流器，采用高效平面技術(shù)，采用小型扁平引線SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
`Nexperia汽車用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的器件，符合汽車行業(yè)制定的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。這些Nexperia汽車器件設(shè)計用于比家用和便攜式應(yīng)用中使用的功率MOSFET更惡劣
2021-01-23 11:20:27
，設(shè)計工程師已經(jīng)習(xí)慣于接受效率和隔離能力之間的折衷。然而，來自 Nexperia 的最新特定應(yīng)用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了這樣的折衷。它們得益于卓越的超結(jié)技術(shù)，可產(chǎn)生較低的導(dǎo)通電阻，而
2022-10-28 16:18:03
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
`羅姆低門驅(qū)動電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅(qū)動類型。 這種廣泛的驅(qū)動器類型范圍支持從小信號到高功率的各種應(yīng)用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
?電池壽命。 ·電池反向保護連接·集成先進功率MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護·過度充電電流保護·兩步過電流檢測:過量放電電流負載短路
2019-08-24 09:36:42
`深圳市展嶸電子有限公司朱一鳴 手機號碼：***QQ：1275294458XB6091全網(wǎng)超小封裝DFN1X1封裝之一，耳機二合一保護IC專用XB6091ISC產(chǎn)品是一個高鋰的集成解決方案?離子
2019-05-05 19:42:04
DFN1X1x0.37-4包裝，只有一個外部組件使其成為理想的組件解決方案在有限的空間電池包。XB6091ISC具有所有的保護功能要求在電池應(yīng)用中包括過度充電、過放電、過電流以及負載短路保護等準(zhǔn)確的超充電檢測電壓
2018-11-01 19:06:21
長時間使用的信息設(shè)備?電池壽命。·電池反向保護連接·集成先進功率MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護·過度充電電流保護·兩步過電流檢測:過量
2019-08-29 09:13:50
揚杰電子，代工DFN,QFN,不分單，有需求聯(lián)系：QQ67217217
2015-07-21 13:34:27
揚杰電子，代工DFN,QFN,不分單，有需求聯(lián)系：QQ67217217
2015-07-21 13:29:59
超小尺寸寬帶頻率源，低相噪保證，可內(nèi)外置晶振，唯一的區(qū)別在于腔體的高度增加兩毫米。可靠地質(zhì)量。仁健微波，頻率源專家。{:12:}
2013-07-11 09:58:40
長期供應(yīng)泰德IC MOSFET產(chǎn)品：[tr=transparent]針對快充應(yīng)用 全系列的MOSFET [/tr] [tr=transparent]PartNumberpackagecfgBv(v
2018-06-07 16:51:22
電機驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高。 為滿足市場需求，意法半導(dǎo)體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET。 本文在實際
2018-11-20 10:52:44
幾乎所有的設(shè)備都有印刷電路板。然而，并不是每個設(shè)備都有相同的大小。例如，與電視相比，智能手機需要非常小的PCB。與重型機械相比，電視機需要更小的PCB。因此，這些尺寸在電路中起著至關(guān)重要的作用。設(shè)計人員必須根據(jù)設(shè)備尺寸來設(shè)計印刷電路板。而我們?nèi)绾芜x擇這些電子印刷電路板的尺寸呢？
2023-04-14 15:17:35
：介于平面和超結(jié)型結(jié)構(gòu)中間的類型超級結(jié)結(jié)構(gòu)是高壓MOSFET技術(shù)的重大發(fā)展并具有顯著優(yōu)點，其RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時得到降低。為充分利用這些快速和高效器件，設(shè)計工程師需要非常注意
2018-10-17 16:43:26
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 編輯
針對快充應(yīng)用設(shè)計需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對高壓MOSFET器件設(shè)計的影響:對超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:27
31 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183977 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:402363 日前，集設(shè)計，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:243028 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 5 月25 日，Vishay Intertechnology宣布，推出采用超小尺寸、無色SMD封裝，帶有圓頂透鏡的新系列大紅、紅、琥珀和黃色的超亮LED。
2015-05-26 11:14:353318 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V
2015-06-19 17:07:561374 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別
2015-12-16 16:57:431580 關(guān)鍵詞：MOSFET , NXP , PBSM5240PF , Trench 恩智浦半導(dǎo)體（NXP）推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道
2019-01-07 12:53:02994 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263713 AOI檢測等優(yōu)點的DFN（分立式扁平無引腳）封裝，涵蓋Nexperia的所有產(chǎn)品組合，包括開關(guān)、肖特基、齊納和保護二極管、雙極結(jié)晶體管（BJT）、N溝道及P溝道MOSFET、配電阻晶體管和LED驅(qū)動器。
2020-06-29 15:09:053584 基本半導(dǎo)體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發(fā)布新的增強型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常只包含在典型工作溫度下建模的有限數(shù)量的器件參數(shù)
2022-03-28 09:56:055026 Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計指南 認識理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)
2022-04-07 11:40:220 信馳達發(fā)布尺寸僅為 8.0 x 8.0 mm 的 RF-BM-BG22C3 超小體積藍牙透傳模塊，豐富信馳達 RF-BM-BG22 系列產(chǎn)品線。
2022-09-15 11:58:073164 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。
2022-09-21 00:08:341458 __[導(dǎo)讀]__Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引線 DFN 封裝。這些節(jié)省空間且堅固耐用的組件
2022-09-27 11:53:231984 設(shè)備。 ? 多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗結(jié)合起來，增強器件中關(guān)鍵MOSFET的
2022-11-18 10:32:58992 
的安全工作區(qū)（SOA）性能與超低的 RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于 12V 熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。? 多年來，Nexperia（安世半導(dǎo)體）致力于將成熟的 MOSFET 專業(yè)知識和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗結(jié)合起來，增強器件中關(guān)鍵 MOSFET 的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造市場領(lǐng)先的
2022-11-21 16:11:381509 Nexperia（安世半導(dǎo)體）持續(xù)加大投資，擴大產(chǎn)能，以滿足市場對于 CFP 封裝產(chǎn)品不斷增長的需求。為滿足高電壓功率應(yīng)用的廣大需求，Nexperia（安世半導(dǎo)體）計劃進一步擴大 650 V 表面貼裝的快恢復(fù)整流管（高達30 A）
2022-11-22 14:57:251359 維安高壓超結(jié)MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221504 
雖然尺寸至關(guān)重要，但在許多方面，Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正優(yōu)勢在于其RDSon。提供額定 VGS 為 4.5 V 的選項，典型 RDSon 低至 122 mΩ。在某些
2023-02-03 10:39:551024 
針對空間非常緊湊的功率MOSFET應(yīng)用而言，3x3封裝是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET產(chǎn)品序列中，采用了非常可靠的高性能LFPAK33封裝。Nexperia開發(fā)了MLPAK33，它是一款功率MOSFET封裝，與業(yè)界聞名的DFN3333封裝保持管腳兼容性，提供給客戶另外一個選項。
2023-02-08 09:18:001183 盡管DFN封裝的尺寸非常緊湊，但它具有出色的功耗能力。然而， 使用具有低熱阻和足夠?qū)嵝缘?PCB 是強制性的，以允許適當(dāng)?shù)臋M向散熱.圖2中的紅外圖片顯示了高功率密度，顯示了SOT23
2023-02-08 09:45:384505 
Nexperia 文檔白皮書 RET 設(shè)備 2021-Nexperia_document_wh...
2023-02-08 19:15:040 自動焊接在電子元件如何在PCB上工作方面起著至關(guān)重要的作用。一般來說，有兩種主要技術(shù)：表面貼裝封裝的回流焊和通孔或雙列直插式封裝的波峰焊。Nexperia創(chuàng)建了DFN波峰焊評估項目，以確定波峰焊工藝對于某些分立式扁平無鉛（DFN）封裝是否可行。
2023-02-09 09:50:092499 用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密電熱模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380 對于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用中，尤其是可穿戴設(shè)備來說，準(zhǔn)則是更精簡、更高效。通過使用高效的開關(guān)選項，設(shè)計者可以擁有更多空間來嵌入功能，同時最大限度降低電池消耗。Nexperia新發(fā)布的小信號MOSFET采用超小型DFN0606，擁有低導(dǎo)通電阻，能夠節(jié)省大量空間
2023-02-10 09:33:311073 
Nexperia邏輯產(chǎn)品組合中的移位寄存器有助于減小使用LED的設(shè)計的尺寸和BOM。通過提供I/O擴展，移位寄存器支持使用引腳較少的較便宜的微控制器。
2023-02-10 10:08:131577 
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內(nèi)部結(jié)構(gòu)、單元尺寸以及電壓額定等多個因素相關(guān)。
2023-02-16 10:39:361600 
Nexperia 白皮書溝槽肖特基整流器日語-nexperia_whitepaper_...
2023-02-16 19:52:000 MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1692 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大連續(xù)電流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 白皮書：DFN 能否成功進行波峰焊？-Nexperia_document_wh...
2023-02-17 19:40:190 Side-Wettable Flanks 可在無引線 SMD (DFN) 封裝上啟用 AOI-Nexperia_document_wh...
2023-02-20 19:05:261 Nexperia | 了解RET的開關(guān)特性
2023-05-24 12:16:301383 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:571193 日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET (ASFET) 新產(chǎn)品組合，重點發(fā)布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:111160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用 MOSFET
2023-11-30 11:47:401120 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET，以進一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應(yīng)用。
2024-02-29 11:44:531341 全球知名半導(dǎo)體制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）在最近的APEC上展示了其最新的產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布推出幾款新型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），以進一步擴大其分立開關(guān)解決方案的覆蓋范圍。這些新產(chǎn)品旨在滿足多個終端市場中各種應(yīng)用的需求。
2024-03-04 11:41:461356 在追求更長電池壽命和無電池應(yīng)用趨勢的推動下，全球知名半導(dǎo)體廠商Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日發(fā)布了一款創(chuàng)新的能量平衡計算器。這款網(wǎng)絡(luò)工具專為電池管理工程師設(shè)計，旨在通過提供精確的數(shù)據(jù)支持，幫助
2024-03-11 10:13:361257 在智能穿戴設(shè)備領(lǐng)域，微型化、高性能的圖像傳感器需求日益增加。思特威（SmartSens，股票代碼688213），一家技術(shù)領(lǐng)先的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商，近日發(fā)布了全新0.16MP超小尺寸背照式全局快門CMOS圖像傳感器SC020HGS。
2024-05-11 15:29:402039 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 近日，全球知名的半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世)半導(dǎo)體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)布的MOSFET共包含四種不同選項，RDSon值
2024-05-23 10:57:391110 
隨著可穿戴設(shè)備市場的持續(xù)繁榮，如何在極其緊湊的電路板空間中集成多種功能成為行業(yè)面臨的重要挑戰(zhàn)。近日，半導(dǎo)體巨頭Nexperia推出了一款專為便攜設(shè)備設(shè)計的微型尺寸DFN0603 MOSFET，為設(shè)計師們提供了全新的解決方案。
2024-05-28 09:59:281245 Nexperia超快整流器采用緊湊型熱效率封裝，具有快速開關(guān)性能和軟恢復(fù)功能。它占地面積小，非常適合電路板空間有限的便攜式和汽車應(yīng)用。該器件外形小巧，非常適合作為DC/DC轉(zhuǎn)換器中的反向極性保護或續(xù)
2024-06-19 15:39:381279 
Nexperia2N7002BK,215N溝道MOSFET是一款高效能的Trench MOSFET，設(shè)計用于表面貼裝技術(shù)，適合各種高頻和高效能的應(yīng)用。其邏輯電平兼容性和極快的開關(guān)速度使其在現(xiàn)代
2024-07-01 11:50:242440 
在半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新浪潮中，Nexperia再次站在了行業(yè)的前沿，隆重推出了兩款專為高壓環(huán)境精心設(shè)計的650V超快速恢復(fù)整流二極管。這兩款產(chǎn)品不僅代表了Nexperia在高壓半導(dǎo)體元件領(lǐng)域的深厚積累，也預(yù)示著工業(yè)及消費領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀咝А⒏煽康碾娏D(zhuǎn)換解決方案。
2024-07-12 15:20:431381 MOSFET參數(shù)組來更好地匹配這些要求。例如，應(yīng)用可能要求軟啟動、擴展的安全工作區(qū)域、可靠的線性模式性能或增強的保護。在Nexperia，我們將久經(jīng)驗證的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應(yīng)用認知相結(jié)合，打造了一系列更豐富的應(yīng)用專用MOSFET。
2024-07-15 16:07:171031 全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)領(lǐng)軍者Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布了一項重要戰(zhàn)略舉措，旨在持續(xù)強化其NextPower系列MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的產(chǎn)品陣容。此次擴充
2024-08-13 14:33:141160 隨著電動車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)Ω咝А⒏咝阅芙M件需求的持續(xù)上升，電源管理系統(tǒng)的復(fù)雜性也隨之增加，市場對更先進和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。對此，Nexperia、東芝和Navitas等
2024-08-27 11:47:541396 
BJT產(chǎn)品，涵蓋標(biāo)準(zhǔn)與汽車級應(yīng)用，均采用先進的DFN2020D-3封裝技術(shù)。這一舉措不僅豐富了其BJT產(chǎn)品線，更彰顯了Nexperia在技術(shù)創(chuàng)新與市場響應(yīng)速度上的領(lǐng)先地位。
2024-09-03 14:28:571386 場效應(yīng)管(MOSFET) AGM4025A DFN5x6 40V 125A
2024-11-26 10:02:56809 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度
2024-12-12 11:35:134678 提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨，2024 年12 月12 日 ：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片
2024-12-16 14:09:09578 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小尺寸P溝道FemtoFET MOSFET測試EVM.pdf》資料免費下載
2024-12-21 10:41:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超小尺寸N溝道FemtoFETT MOSFET測試EVM.pdf》資料免費下載
2024-12-21 10:43:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費下載
2025-02-13 17:21:182 隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 、高性能、高可靠性，同時也注重成本效益。因此，對于大部分電源、充電器、電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電機驅(qū)動器，關(guān)鍵在于以適當(dāng)?shù)男?b class="flag-6" style="color: red">尺寸封裝和合適的價格提供恰當(dāng)?shù)腞DS(on)值。Nexperia新發(fā)布的MLPAK33封裝的60 V MOSFET系列產(chǎn)品正好滿足了這一市場需求。
2025-05-23 13:33:33781 面對大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長的需求，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關(guān)速度以及超強的短路耐受性，是電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器以及電機驅(qū)動的不二選擇。
2025-06-14 14:56:401365 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應(yīng)用設(shè)計。
2025-09-12 09:38:45630 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，為旗下不斷擴充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校，可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中，80 V
2025-10-10 11:22:27701 ROHM（羅姆半導(dǎo)體）宣布，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封裝，非常適用于采用48V電源AI
2025-11-17 13:56:19200 
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