Nexperia發布增強型電熱模型

基本半導體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發布新的增強型電熱模型。半導體制造商通常會為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常只包含在典型工作溫度下建模的有限數量的器件參數。Nexperia 的新高級模型可在 -55 °C 至 175 °C 的整個工作溫度范圍內捕獲整套設備參數的熱相關性。

這些高級模型中包含反向二極管恢復時間和設備電磁兼容性 （EMC） 性能，進一步提高了整體精度。這些使工程師能夠創建準確的電路和系統級仿真，并在承諾構建原型之前評估電氣、熱和 EMC 性能。這些模型還有助于節省時間和資源，因為以前需要確保他們的設計可以在（不太可能的）最壞情況下運行的工程師現在可以在特定溫度范圍內模擬他們的設計。

Nexperia 與一家 1 級 OEM 密切合作開發了這些模型，該 OEM 的要求無法滿足目前可用的任何其他設備。Nexperia 的應用工程師 Andy Berry 表示：“這些新的先進電熱模型旨在讓設計人員對其電路仿真結果充滿信心”。“模型在雙脈沖測試期間預測真實設備行為的準確性證明了他們前所未有的精度水平。我們合作伙伴的初步反饋表明，這些模型是他們見過的最精確的模型。

羅姆開發8英寸新一代SiC MOSFET

全球知名半導體制造商羅姆（ROHM Co.， Ltd.，以下簡稱“羅姆”）針對日本國立研究開發法人新能源產業技術綜合開發機構（以下簡稱“NEDO”）公開征集的“綠色創新基金事業/新一代數字基礎設施建設”項目的研發項目之一“新一代功率半導體產品制造技術開發”，提出“8英寸新一代SiC MOSFET的開發”（以下簡稱“本項目”）方案，并成功入選。

“綠色創新基金”是2020年12月25日由日本經濟產業省會同相關省廳制定的“2050年碳中和綠色增長戰略”中，為打造“經濟增長與環境保護的良性循環”而設立的基金。

“新一代數字基礎設施建設”項目的目標是促進實現碳中和社會所不可或缺的數字基礎設施的節能化和高性能化的研發和社會實際應用。而本項目則旨在通過提高新一代半導體制造技術能力，促進其在電動汽車和工業設備等各種設備和設施中的普及。

NVIDIA為 Maxine 添加回聲消除和基于 AI 的上采樣技術

NVIDIA Maxine 提供了 GPU 加速且支持 AI 軟件開發套件，可幫助開發者構建可擴展的低延遲音頻和視頻效果管線，提高通話質量和用戶體驗。

音頻超分辨率可使用基于 AI 的技術恢復較高頻段中丟失的能量，提高低帶寬音頻信號的質量。Maxine 音頻超分辨率支持將音頻從 8 kHz（窄帶）到 16 kHz（寬帶）、從 16 kHz 到 48 kHz（超寬帶）以及從 8 kHz 到 48 kHz 的上采樣。較低的采樣率（例如 8 kHz）通常會導致聲音含糊不清，并會突出齒音等瑕疵，導致語音難以理解。

為了保持原始信號的保真度和清晰度，現代影視工作室通常使用 48 kHz（或更高）的采樣率錄制音頻。音頻超分辨率可幫助恢復時間久遠的音頻錄音（例如源自磁帶或其他低帶寬介質的音頻錄音）的保真度。