商用車電驅動SiC模塊選型返璞歸真:從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國
2026-01-03 17:30:48
247 威兆半導體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-31 17:14:45
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威兆半導體推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-30 11:59:27
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通(Broadcom)的ASM3-Sxx2-NxxxH 3W 3535表面貼裝LED,看看它有哪些獨特的魅力。 文件下載: Broadcom ASM3x 3W 3535表面貼裝LED.pdf 一、產品概述 博
2025-12-30 11:50:06
198 威兆半導體推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220SF封裝,適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-29 09:53:44
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幫助工程師在空間受限的高壓應用中,可靠地驅動MOSFET或IGBT,簡化設計并提升系統功率密度。核心特性:
高壓與小封裝集成:支持最高200V的母線電壓,采用超緊湊的DFN3x3-8封裝,顯著節省PCB空間
2025-12-27 09:27:00
威兆半導體推出的VSB012N03MS是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TDFN3x3.3封裝,適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息
2025-12-25 16:22:10
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探索P3H244x/P3H284x I3C Hub:多端口連接的理想之選 在電子設備設計中,高效的總線連接和靈活的端口配置至關重要。NXP Semiconductors推出的P3H244x
2025-12-24 10:20:02
167 威兆半導體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN3x3封裝,適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型
2025-12-23 11:22:46
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威兆半導體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持2.5V邏輯電平控制,采用PDFN3x3封裝,適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品
2025-12-18 17:42:57
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威兆半導體推出的VS3603GPMT是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-18 17:33:59
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威兆半導體推出的VS3522AA4是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用DFN22x6.5-8L封裝,適配低壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-18 17:24:48
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威兆半導體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-17 18:20:18
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威兆半導體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-16 11:40:15
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威兆半導體推出的VS3612GP是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-16 11:33:14
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威兆半導體推出的VS40200AP是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-15 10:49:09
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DFN3x3-8的小封裝。現在很多設計都在往小型化、高密度走,PCB空間寸土寸金,這種小封裝優勢就體現出來了,能省下不少布局空間。性能參數:
耐壓高:支持最高200V的母線電壓,VCC工作范圍10V-20V,通用性
2025-12-13 08:41:39
威兆半導體推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配高壓電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-12 15:36:26
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:LFUS)是一家多元化的工業技術制造公司,致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40
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威兆半導體推出的VS3602GPMT是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-11 15:36:26
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威兆半導體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流等領域。一、產品基本信息
2025-12-11 10:52:20
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威兆半導體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型
2025-12-10 14:53:13
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威兆半導體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用DFN2x2封裝,適配小型化低壓電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率
2025-12-10 11:48:31
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,抗干擾性強,適用于噪聲環境復雜的工業場景。
產品優勢:為什么選擇SiLM2026EN-DG?
極致小型化:DFN3×3封裝面積僅9mm2,極大節省PCB空間,適合對體積敏感的機器人關節、便攜醫療設備等
2025-12-09 08:35:20
在電子設計領域,MOSFET是不可或缺的關鍵元件。今天,我們來詳細探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET,看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優勢。
2025-12-08 16:38:38
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威兆半導體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息
2025-12-08 10:59:34
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在電子設計領域,MOSFET 作為關鍵的功率開關器件,其性能對整個系統的效率和穩定性起著至關重要的作用。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 NVMJST1D3N04C 這款 N 溝道功率 MOSFET,看看它有哪些獨特的特性和優勢。
2025-12-05 14:56:45
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在電子工程領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,其性能和特性對電路設計起著至關重要的作用。今天我們來深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X,這是一款80V、0.79mΩ、457A的單N溝道功率MOSFET,它在多個方面展現出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19
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在電子工程領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著各種電力系統的效率和穩定性。今天,我們來深入了解一下安森美(onsemi)的NVBG095N65S3F這款N溝道、D2PAK - 7L封裝的650V MOSFET。
2025-12-02 11:24:34
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CMOS技術,在僅3mm x 3mm的DFN-8超小封裝內,實現了高達200V的工作電壓、290mA/600mA的驅動能力以及完善的保護功能。這使其成為機器人關節伺服驅動、精密醫療器械電源、緊湊型工業
2025-12-02 08:22:11
在電子設備的設計中,功率MOSFET是至關重要的元件,它對設備的性能和效率有著深遠的影響。今天,我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET,看看它有哪些獨特的特性和優勢。
2025-11-28 14:03:45
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在電子工程領域,功率 MOSFET 作為關鍵元件,其性能直接影響著各類電子設備的效率和穩定性。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的 NTMFS3D0N08X 這款 N 溝道功率 MOSFET,剖析其特性、參數及應用場景。
2025-11-28 09:35:55
330 在現代電子設備向高效、緊湊與高頻化發展的趨勢下,電路設計面臨著小空間內處理高功率負載的嚴峻挑戰。南山電子代理品牌光頡科技推出的TR50系列TO-220封裝功率電阻器,以其獨特的封裝、卓越的功率處理能力和高頻特性,為現代電源與脈沖電路提供了理想的解決方案。
2025-11-20 14:02:44
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,PCB布局,特別是貼片封裝功率MOSFET管,要在源極、漏極管腳充分敷設銅皮進行散熱。功率MOSFET管數據表的熱阻測量通常有一定限制條件,如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進行測量,實際應用中,源
2025-11-19 06:35:56
電流的非對稱設計
3.精準同步:雙通道間僅2ns延時匹配
4.寬壓工作:4.5V-20V單電源供電范圍
5.增強可靠:-5V負壓承受能力,輸入懸空保護
6.緊湊設計:DFN3x3-8封裝,優化空間利用
2025-11-18 08:19:33
在開關電源、UPS系統、工業自動化控制器等電力電子設備中,功率電阻器扮演著不可或缺的角色。光頡科技推出的TR50-RF系列厚膜功率電阻,憑借TO-220封裝的優良散熱特性和高達50W的功率處理能力
2025-11-11 11:57:54
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仁懋電子(MOT)推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝,適用于電機驅動(電動工具
2025-11-11 09:34:34
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仁懋電子(MOT)推出的MOT3145J是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、85A大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝,適用于便攜設備、電池
2025-11-11 09:29:03
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講解雷卯PESD3V3X4UHM是一款3.3V低鉗位電壓的ESD二極管,封裝為DFN1309-6L。PESD3V3X4UHM可以完全替代替代Nexperia安世(PESD3V3X4UHM)。參數對比列表如下:Parameter(參數)PES
2025-11-05 21:04:30
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在中低壓功率電子系統中,MOS管的性能參數與封裝形式直接決定了電路的效率、可靠性與集成度。ZK60N04NF作為一款聚焦實用化的N溝道MOS管,以60V耐壓、40A電流承載能力及DFN5*6封裝
2025-11-05 16:15:44
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及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產品組合。此外,英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續)和455V(瞬態)的TOLL封裝新產品
2025-10-31 11:00:59
297 電子發燒友網為你提供()采用 QFN 封裝的 0.1 至 2.7 GHz SP3T 高功率天線調諧開關相關產品參數、數據手冊,更有采用 QFN 封裝的 0.1 至 2.7 GHz SP3T 高功率
2025-10-30 18:30:43

一、產品概述MOT3712J是仁懋電子(MOT)推出的P溝道增強型MOSFET,采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝,具備高功率與電流處理能力,聚焦PWM控制、負載開關、電源管理等場景,以低導通損耗
2025-10-24 15:59:53
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一、產品定位與結構MOT3910J是仁懋電子(MOT)推出的雙N溝道增強型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,將兩只N溝道MOSFET集成于單顆芯片內,適配高頻功率轉換、同步整流等對空間與性能
2025-10-24 11:14:37
282 
MOT2165J是仁懋電子(MOT)推出的一款N溝道增強型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,聚焦于功率開關控制、筆記本核心供電等場景,以低導通損耗、快速開關特性和小型化封裝為核心技術亮點。一
2025-10-24 10:22:08
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TO-220封裝,既延續了TO-220封裝在散熱與裝配上的普適性,又憑借SGT工藝突破傳統MOSFET的損耗瓶頸,在工業控制、消費電子、備用電源等中小型功率場景中實
2025-10-21 11:38:20
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PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態均流功能,專為需要并聯多個匹配MOSFET的高功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅動系統,或高功率工業電機。
2025-10-10 11:22:27
700 XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed(原CREE)推出的高功率碳化硅(SiC)電源模塊平臺,專為電動汽車、工業電源和牽引驅動等高要求應用設計。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
### 產品簡介 - IR9331-VB MOSFETIR9331-VB 是一款 DFN8 (3x3) 封裝的單通道 P 型 MOSFET,設計用于高效的開關和功率轉換應用。該器件具備 -30V
2025-09-02 15:53:59
### IR3707-VB MOSFET 產品簡介IR3707-VB 是一款單一 N 溝道的 MOSFET,采用 DFN8 (3x3) 小封裝設計,具有高效的導通性能和低導通電阻。其主要特點包括
2025-09-02 15:42:42
]第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面貼裝TOLL封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-09-01 16:33:49
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碳化硅(SiC)功率半導體技術引領者森國科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統級可靠性,為新能源發電、工業電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:09
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AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝 的優勢和應用領域的深度分析: 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的核心優勢 頂面散熱設計 熱管理優化
2025-08-10 15:11:06
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。故障保護包括逐周期限流保護和過溫保護。MP2359 采用 TSOT23-6 和 SOT23-6封裝,最大限度地減少了現有外部元器件的使用。
產品特性和優勢
1.2A 峰值輸出電流
0.35Ω 內部功率
2025-08-06 19:07:40
:DFN3x3-8
SiLM27213EK-DG:DFN4x4-8 SiLM27213EZ-DG:DFN3x3-10 SiLM27213LCB-DG:SOP8-EP
SiLM27213LCA-DG:SOP8
2025-07-05 08:55:40
傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關鍵詞:1200V/540A、2.5mΩ超低導通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29
460 
Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出采用DFN3.3x3.3源極朝下(Source Down)封裝技術
2025-06-18 15:18:49
1438 
作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破,其研發團隊持續創新,正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產品
2025-06-11 08:59:59
2500 
上海雷卯推出兩款5V,小封裝(DFN1006和DFN0603),帶回掃,低鉗位電壓VCmax的防靜電二極管:ULC0521CLV、ULC0542CLV。帶回掃ESD和普通ESD二極管電性參數圖如下:我們可以看到,普通的ESD是隨著IPP
2025-05-23 16:16:19
877 
”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術,并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22
901 
輸入電壓高于、低于或等于輸出電壓 的全工況下穩定運行,無需外部電路切換模式。LTM4693內部集成了開關控制器、功率 MOSFET、電感器及所有支持組件,形成完整的電源解決方案,顯著簡化系統設計并提
2025-05-13 09:45:09
日前,集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出其新一代
2025-05-07 10:56:10
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HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術的有源微型x2倍頻器,提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm(典型值),單電源電壓為+5V,在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。 在輸出信號電平方面,對無用基波和次諧波的抑制為30 dBc(典型值)。
2025-04-17 11:21:29
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方框圖 1. 產品概述 ? 型號 ?:CSD17581Q3A ? 類型 ?:30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?:SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 ? 特點 ?:低柵極電荷(Q_g)、低導通電阻(R_DS(on))、低熱阻、雪崩額定、無鉛、
2025-04-16 11:25:34
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/1.5A電源開關提供高達6W的輸出功率。PC4401具有欠壓鎖定(UVLO)功能)短路保護(SCP)及以上溫度保護(OTP)以幫助設備安全可靠地運行。PC4401采用5引腳TSOT-23封裝。特征:?3V至
2025-04-08 10:43:00
)封裝技術,稱為X.PAK。這種封裝技術的創新之處在于其頂面冷卻設計,使得設備在高功率應用中能夠有效散熱,極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊,只有1
2025-03-20 11:18:11
963 
功率損耗:50mW。
封裝尺寸
80mm x 53mm x 19mm。
應用領域
電動汽車充電站:CAB450M12XM3模塊適用于高功率的快速充電設備,其高開關頻率和低損耗特性能夠滿足電動汽車快速充電
2025-03-17 09:59:21
電子發燒友網站提供《ESD0502L DFN1006-3L ESD保護器件規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-13 17:32:15
0 電子發燒友網站提供《ESD0302L DFN1006-3L ESD保護器件規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-13 17:10:40
0 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業級高性能服務器和AI服務器電源,開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:04
1206 
Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出兩款先進的表面貼片封裝選項,擴展其行業領先的高功率MOSFET產品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:46
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缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題,全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封裝
2025-03-03 15:50:56
4323 
IU5516具備直通跟隨模式,DFN2X2_6L封裝,低功耗3μA,1M@2.0A降壓穩壓器
2025-03-02 20:26:17
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適當的熱設計,TI以QFN 12x12格式封裝的新型LMG342x GaN功率級產品可以完全滿足高功率(>3 kW)轉換應用的需求。
2025-02-25 10:36:39
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)超薄ePOP4x,實現了更精簡的穿戴物理布局。超薄封裝、高集成度設計穿戴設備更極致的空間利用最大厚度0.6mm(max)|64GB+16Gb與標準存儲方案相比,e
2025-02-20 17:31:57
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特點AON7296采用溝槽MOSFET技術獨特優化,提供最高效的高頻率切換性能。傳導和由于RDS(ON)、Ciss和Coss的組合極低。該設備非常適合升壓轉換器和同步用于消費類、電信、工業電源的整流器LED背光
2025-02-17 10:41:59
基本半導體自主研發的BTP1521x是一款正激DCDC開關電源芯片,集成上電軟啟動功能及過溫保護功能,輸出功率可達6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設定,最高工作頻率可達1.3MHz,適用于給隔離驅動芯片副邊電源供電。芯片有SOP-8封裝、DFN3*3-8封裝兩種封裝形式。
2025-01-15 10:22:36
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### 產品簡介**BSZ900N20NS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET),采用DFN8(3X3)封裝。該MOSFET采用溝槽(Trench)技術,具有較高的耐壓能力
2025-01-10 16:20:48
### 一、產品簡介**型號:BSZ340N08NS3 G-VB**- **封裝類型**:DFN8 (3x3)- **配置**:單N溝道MOSFET- **技術**:溝槽式BSZ340N08NS3
2025-01-10 16:00:37
應用設計。該MOSFET具有100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),采用緊湊的DFN8(3x3 mm)封裝。它使用了先進的溝槽技術,具備低導通電
2025-01-10 15:59:16
封裝在緊湊的DFN8(3x3)封裝中,適用于空間受限的應用。BSZ22DN20NS3 G-VB 采用先進的溝槽技術,具有高電壓承受能力和較低的導通電阻,能夠滿足各
2025-01-10 15:58:00
### 產品簡介**BSZ16DN25NS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET),封裝形式為DFN8(3X3)。它采用了溝槽(Trench)技術,具備較高的耐壓能力和較低
2025-01-10 15:42:55
### 一、產品簡介**型號:BSZ12DN20NS3 G-VB**- **封裝類型**:DFN8 (3x3)- **配置**:單N溝道MOSFET- **技術**:溝槽式BSZ12DN20NS3
2025-01-10 15:35:43
管理應用設計。該MOSFET具有-30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),采用緊湊的DFN8(3x3 mm)封裝,非常適合空間受限的設計需求。它使
2025-01-10 15:34:32
采用DFN8(3x3)封裝,尺寸小巧,適合空間受限的應用環境。BSZ120P03NS3 G-VB 采用先進的溝槽技術,具備低導通電阻和優良的功率處理能力,能夠滿足
2025-01-10 15:33:21
### 一、BSZ110N06NS3 G-VB 產品簡介BSZ110N06NS3 G-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用DFN8(3X3)封裝。這款產品具有低導通電阻和高電流處理能力
2025-01-10 15:32:04
### 產品簡介**BSZ100N06LS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET),封裝形式為DFN8(3X3)。它采用了溝槽(Trench)技術,具有優良的性能和低導通電
2025-01-10 15:29:22
### 一、BSZ0909NS-VB 產品簡介BSZ0909NS-VB 是一款先進的單N溝道MOSFET,采用DFN8 (3x3)封裝。它結合了現代Trench技術,提供卓越的電性能。憑借其低導通電
2025-01-10 15:24:28
應用設計。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),采用緊湊的DFN8(3x3 mm)封裝,適用于空間受限的設計。其先進的溝槽技術使其
2025-01-10 15:20:03
單極P溝道MOSFET封裝在緊湊的DFN8(3x3)封裝中,非常適合空間受限的應用。其先進的溝槽技術確保了低導通電阻和高效能,使其在各種功率管理應用中表現出色。#
2025-01-10 15:16:59
### 產品簡介**BSZ086P03NS3 G-VB** 是一款高性能單P溝道MOSFET,采用Trench技術制造,封裝形式為DFN8(3x3)。該MOSFET設計用于負電壓、高電流應用,具有
2025-01-10 15:15:32
### 產品簡介**型號**: BSZ076N06NS3 G-VB **封裝**: DFN8 (3x3) **配置**: 單N溝道MOSFET **技術
2025-01-10 15:13:11
### 產品簡介BSZ042N04NS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封裝為 DFN8 (3x3)。它具備高電流處理能力和低導通電阻,適合用于高效電源管理和開關
2025-01-10 14:59:17
**1. 產品簡介:**BSZ040N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封裝為 DFN8(3x3)。采用 Trench 技術,具有極低的導通電阻和高電流處理能力
2025-01-10 14:57:55
### 產品簡介**型號**: BSZ019N03LS-VB **封裝**: DFN8 (3x3) **配置**: 單N溝道MOSFET **技術**: 溝槽型
2025-01-10 14:53:08
### 產品簡介**BSC900N20NS3 G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET,封裝形式為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 采用 Trench 技術,具備高耐壓
2025-01-09 11:03:46
### 產品簡介BSC360N15NS3 G-VB 是一款高電壓 N-Channel MOSFET,封裝為 DFN8(5x6)。它能夠承受高達 150V 的漏源電壓,并提供穩定的電流處理能力,適合
2025-01-09 10:53:43
圣邦微電子推出 SGMNQ32430,一款 30V,功率型,3.1mΩ 超低導通電阻,單通道 N 型,采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應用于 VBUS 過電壓保護開關,電池充放電開關和直流-直流轉換器。
2025-01-08 16:34:24
1182 楷登電子(Cadence)公司近日宣布,正式推出新一代Cadence? Palladium? Z3 Emulation和Protium? X3 FPGA原型驗證系統。這一組合標志著數字孿生
2025-01-07 13:48:20
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