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電子發燒友網>新品快訊>AOS推出超薄DFN3X3封裝功率MOSFET

AOS推出超薄DFN3X3封裝功率MOSFET

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2025-05-07 10:56:10728

HMC369LP3/369LP3E x2有源倍頻器SMT技術手冊

HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術的有源微型x2倍頻器,提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝功率輸出為+4 dBm(典型值),單電源電壓為+5V,在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。 在輸出信號電平方面,對無用基波和次諧波的抑制為30 dBc(典型值)。
2025-04-17 11:21:29996

CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

方框圖 1. 產品概述 ? 型號 ?:CSD17581Q3A ? 類型 ?:30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?:SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 ? 特點 ?:低柵極電荷(Q_g)、低導通電阻(R_DS(on))、低熱阻、雪崩額定、無鉛、
2025-04-16 11:25:34775

替代LT8301微功率反激隔離開關控制器SOT23-5封裝

/1.5A電源開關提供高達6W的輸出功率。PC4401具有欠壓鎖定(UVLO)功能)短路保護(SCP)及以上溫度保護(OTP)以幫助設備安全可靠地運行。PC4401采用5引腳TSOT-23封裝。特征:?3V至
2025-04-08 10:43:00

Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創新X.PAK封裝技術

)封裝技術,稱為X.PAK。這種封裝技術的創新之處在于其頂面冷卻設計,使得設備在高功率應用中能夠有效散熱,極大地提升了整體性能。新推出X.PAK封裝尺寸緊湊,只有1
2025-03-20 11:18:11963

AOS推出兩款先進的MOSFET封裝方案助力大電流應用

行業芯事行業資訊
電子發燒友網官方發布于 2025-03-18 14:15:11

CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE

功率損耗:50mW。 封裝尺寸 80mm x 53mm x 19mm。 應用領域 電動汽車充電站:CAB450M12XM3模塊適用于高功率的快速充電設備,其高開關頻率和低損耗特性能夠滿足電動汽車快速充電
2025-03-17 09:59:21

ESD0502L DFN1006-3L ESD保護器件規格書

電子發燒友網站提供《ESD0502L DFN1006-3L ESD保護器件規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-13 17:32:150

ESD0302L DFN1006-3L ESD保護器件規格書

電子發燒友網站提供《ESD0302L DFN1006-3L ESD保護器件規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-13 17:10:400

ROHM推出超低導通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業級高性能服務器和AI服務器電源,開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3
2025-03-13 15:08:041206

新品 | 兩款先進的MOSFET封裝方案,助力大電流應用

Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出兩款先進的表面貼片封裝選項,擴展其行業領先的高功率MOSFET產品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305

英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管, 推動全行業標準化進程

缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題,全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封裝
2025-03-03 15:50:564323

IU5516具備直通跟隨模式,DFN2X2_6L封裝,低功耗3μA,1M@2.0A降壓穩壓器

IU5516具備直通跟隨模式,DFN2X2_6L封裝,低功耗3μA,1M@2.0A降壓穩壓器
2025-03-02 20:26:17744

應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結

適當的熱設計,TI以QFN 12x12格式封裝的新型LMG342x GaN功率級產品可以完全滿足高功率(>3 kW)轉換應用的需求。
2025-02-25 10:36:391037

江波龍推出0.6mm超薄ePOP4x,智能穿戴存儲創新不止

超薄ePOP4x,實現了更精簡的穿戴物理布局。超薄封裝、高集成度設計穿戴設備更極致的空間利用最大厚度0.6mm(max)|64GB+16Gb與標準存儲方案相比,e
2025-02-20 17:31:571229

AOS/萬代 AON7296 DFN3x3 場效應管

特點AON7296采用溝槽MOSFET技術獨特優化,提供最高效的高頻率切換性能。傳導和由于RDS(ON)、Ciss和Coss的組合極低。該設備非常適合升壓轉換器和同步用于消費類、電信、工業電源的整流器LED背光
2025-02-17 10:41:59

基本半導體正激DCDC開關電源芯片BTP1521x簡介

基本半導體自主研發的BTP1521x是一款正激DCDC開關電源芯片,集成上電軟啟動功能及過溫保護功能,輸出功率可達6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設定,最高工作頻率可達1.3MHz,適用于給隔離驅動芯片副邊電源供電。芯片有SOP-8封裝DFN3*3-8封裝兩種封裝形式。
2025-01-15 10:22:362630

BSZ900N20NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 產品簡介**BSZ900N20NS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET),采用DFN8(3X3)封裝。該MOSFET采用溝槽(Trench)技術,具有較高的耐壓能力
2025-01-10 16:20:48

BSZ340N08NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 一、產品簡介**型號:BSZ340N08NS3 G-VB**- **封裝類型**:DFN8 (3x3)- **配置**:單N溝道MOSFET- **技術**:溝槽式BSZ340N08NS3
2025-01-10 16:00:37

BSZ240N12NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

應用設計。該MOSFET具有100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),采用緊湊的DFN8(3x3 mm)封裝。它使用了先進的溝槽技術,具備低導通電
2025-01-10 15:59:16

BSZ22DN20NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

封裝在緊湊的DFN8(3x3封裝中,適用于空間受限的應用。BSZ22DN20NS3 G-VB 采用先進的溝槽技術,具有高電壓承受能力和較低的導通電阻,能夠滿足各
2025-01-10 15:58:00

BSZ16DN25NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 產品簡介**BSZ16DN25NS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET),封裝形式為DFN8(3X3)。它采用了溝槽(Trench)技術,具備較高的耐壓能力和較低
2025-01-10 15:42:55

BSZ12DN20NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 一、產品簡介**型號:BSZ12DN20NS3 G-VB**- **封裝類型**:DFN8 (3x3)- **配置**:單N溝道MOSFET- **技術**:溝槽式BSZ12DN20NS3
2025-01-10 15:35:43

BSZ120P03NS3E G-VB一款Single-P溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

管理應用設計。該MOSFET具有-30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),采用緊湊的DFN8(3x3 mm)封裝,非常適合空間受限的設計需求。它使
2025-01-10 15:34:32

BSZ120P03NS3 G-VB一款Single-P溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

采用DFN8(3x3封裝,尺寸小巧,適合空間受限的應用環境。BSZ120P03NS3 G-VB 采用先進的溝槽技術,具備低導通電阻和優良的功率處理能力,能夠滿足
2025-01-10 15:33:21

BSZ110N06NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 一、BSZ110N06NS3 G-VB 產品簡介BSZ110N06NS3 G-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用DFN8(3X3)封裝。這款產品具有低導通電阻和高電流處理能力
2025-01-10 15:32:04

BSZ100N06LS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 產品簡介**BSZ100N06LS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET),封裝形式為DFN8(3X3)。它采用了溝槽(Trench)技術,具有優良的性能和低導通電
2025-01-10 15:29:22

BSZ0909NS-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 一、BSZ0909NS-VB 產品簡介BSZ0909NS-VB 是一款先進的單N溝道MOSFET,采用DFN8 (3x3)封裝。它結合了現代Trench技術,提供卓越的電性能。憑借其低導通電
2025-01-10 15:24:28

BSZ088N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

應用設計。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),采用緊湊的DFN8(3x3 mm)封裝,適用于空間受限的設計。其先進的溝槽技術使其
2025-01-10 15:20:03

BSZ086P03NS3E G-VB一款Single-P溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

單極P溝道MOSFET封裝在緊湊的DFN8(3x3封裝中,非常適合空間受限的應用。其先進的溝槽技術確保了低導通電阻和高效能,使其在各種功率管理應用中表現出色。#
2025-01-10 15:16:59

BSZ086P03NS3 G-VB一款Single-P溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 產品簡介**BSZ086P03NS3 G-VB** 是一款高性能單P溝道MOSFET,采用Trench技術制造,封裝形式為DFN8(3x3)。該MOSFET設計用于負電壓、高電流應用,具有
2025-01-10 15:15:32

BSZ076N06NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 產品簡介**型號**: BSZ076N06NS3 G-VB  **封裝**: DFN8 (3x3)  **配置**: 單N溝道MOSFET  **技術
2025-01-10 15:13:11

BSZ042N04NS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 產品簡介BSZ042N04NS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET封裝DFN8 (3x3)。它具備高電流處理能力和低導通電阻,適合用于高效電源管理和開關
2025-01-10 14:59:17

BSZ040N04LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

**1. 產品簡介:**BSZ040N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET封裝DFN8(3x3)。采用 Trench 技術,具有極低的導通電阻和高電流處理能力
2025-01-10 14:57:55

BSZ019N03LS-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 產品簡介**型號**: BSZ019N03LS-VB  **封裝**: DFN8 (3x3)  **配置**: 單N溝道MOSFET  **技術**: 溝槽型
2025-01-10 14:53:08

BSC900N20NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 產品簡介**BSC900N20NS3 G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET封裝形式為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 采用 Trench 技術,具備高耐壓
2025-01-09 11:03:46

BSC360N15NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

### 產品簡介BSC360N15NS3 G-VB 是一款高電壓 N-Channel MOSFET封裝DFN8(5x6)。它能夠承受高達 150V 的漏源電壓,并提供穩定的電流處理能力,適合
2025-01-09 10:53:43

圣邦微電子推出超封裝MOSFET器件SGMNQ32430

圣邦微電子推出 SGMNQ32430,一款 30V,功率型,3.1mΩ 超低導通電阻,單通道 N 型,采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝MOSFET 器件。該器件可應用于 VBUS 過電壓保護開關,電池充放電開關和直流-直流轉換器。
2025-01-08 16:34:241182

Cadence推出Palladium Z3與Protium X3系統

楷登電子(Cadence)公司近日宣布,正式推出新一代Cadence? Palladium? Z3 Emulation和Protium? X3 FPGA原型驗證系統。這一組合標志著數字孿生
2025-01-07 13:48:201849

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