Nexperia2N7002BK,215N溝道MOSFET是一款高效能的Trench MOSFET,設計用于表面貼裝技術,適合各種高頻和高效能的應用。其邏輯電平兼容性和極快的開關速度使其在現代電子設計中具有廣泛的應用潛力。高達2 kV的ESD保護能力和AEC-Q101認證的高可靠性設計,確保了在汽車電子和其他高要求應用中的優異表現。(買電子元器件上安瑪芯城)

中文參數資料
| 參數 | 規格 |
| 晶體管類型 | N溝道增強型MOSFET |
| 封裝/外殼 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 漏源電壓 (V_DSS) | 60V |
| 漏極電流 (I_D) | 350mA |
| 閾值電壓 (V_GS(th)) | 2.1V @ 250μA |
| 擊穿電壓 (V_DS) | 60V |
| 柵極源極擊穿電壓 (V_GS) | ±20V |
| 反向傳輸電容 (C_RSS) | 4pF |
| 充電電量 (Q_G) | 0.5nC |
| 功率耗散 (P_D) | 370mW |
| 工作溫度范圍 | -65℃ 至 +150℃ |
| 存儲溫度范圍 | -65℃ 至 +150℃ |
| 封裝尺寸 | 3.00 x 1.40mm |
| 高度 | 1.10mm |
| 引腳數 | 3 Pin |
| 濕氣敏感性等級 (MSL) | 1(無限) |
| 極性 | N-溝道 |
| 是否無鉛 | 是 |
| 印字代碼 | LN* |
產品特性與優勢
邏輯電平兼容性:2N7002BK,215 MOSFET具有邏輯電平兼容性,能夠在低電壓控制信號下穩定工作,適合現代電子電路設計中的低電壓應用。
極快的開關速度:該MOSFET具備極快的開關速度,非常適合高頻數據傳輸和高速信號處理應用場景。
先進的Trench MOSFET技術:采用Trench MOSFET技術,具備更低的導通電阻和更高的功率密度,優化了整體性能。
高ESD保護能力:具備高達2 kV的ESD保護能力,增強了對靜電放電的抵抗力,提高了組件的可靠性。
AEC-Q101認證:通過了AEC-Q101認證,符合汽車電子組件的高可靠性標準,適用于汽車電子及其他要求高可靠性的應用場景。
應用領域
Nexperia 2N7002BK,215 N溝道MOSFET廣泛應用于以下領域:
繼電器驅動器:在繼電器電路中作為開關元件使用,提供穩定可靠的驅動能力。
高速線驅動器:用于高速數據傳輸和信號處理的應用場景中,提供快速響應。
低端負載開關:適用于各種低端負載控制,如LED照明和電機控制。
開關電路:作為各種開關電路的核心元件,廣泛應用于消費電子和工業控制系統中。
主要應用實例
繼電器驅動器:作為繼電器控制電路的開關元件。
高速線驅動器:用于高速信號傳輸,如數據通信和高速接口。
低端負載開關:適合控制各種低端負載,例如LED燈和小型電機。
開關電路:廣泛應用于消費電子產品和工業控制系統的各種開關應用。
Nexperia 2N7002BK,215 N溝道MOSFET以其卓越的性能和高可靠性,成為繼電器驅動器、高速線驅動器、低端負載開關及各種開關電路應用的理想選擇。其邏輯電平兼容性、極快的開關速度以及高ESD保護能力使其在現代電子設計中具有顯著的優勢。
2N7002BK,215封裝尺寸

2N7002BK,215焊腳說明

審核編輯 黃宇
-
繼電器
+關注
關注
133文章
5562瀏覽量
154803 -
MOSFET
+關注
關注
151文章
9674瀏覽量
233552 -
數據傳輸
+關注
關注
9文章
2201瀏覽量
67586 -
邏輯電平
+關注
關注
0文章
205瀏覽量
15111
發布評論請先 登錄
合科泰MOS管2N7002KM的技術原理和應用案例
選型手冊:VS2N7002K N 溝道增強型小信號 MOSFET 晶體管
Onsemi NTMFS3D2N10MD N溝道功率MOSFET深度解析
ZSKY-2N7002-SOT-23 N溝道MOSFET規格書
2N7002KDW SOT363:小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET規格書
2N7002KDW SOT363:小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET,助力精密電路設計
BK20-600D24H1N4 BK20-600D24H1N4
BK350-800S32G1N6 BK350-800S32G1N6
BK200-750S48G1N6 BK200-750S48G1N6
BK150-800S28GB1N6 BK150-800S28GB1N6
BK15-500S24H2N6(-T)(-TS) BK15-500S24H2N6(-T)(-TS)
Nexperia 2N7002BK,215 N溝道MOSFET中文參數資料_封裝尺寸_焊腳說明
評論