MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
2023-03-27 14:29:49
`一直在做圖像處理方面，現在一直糾結在 如何建立3X3像素模板的問題，看了韓彬的書，有點不能理解，他是有9個fifo緩存3行數據，然后乒乓操作 用另外9個fifo往復緩存，來實現3X3像素模板
2015-11-12 16:24:52
求一個3x3矩陣鍵盤按鍵發音程序和仿真，蜂鳴器可以嗶嗶響就可以
2017-04-21 09:23:56
描述W11576ASB2_AtTiny32Mini用于 8、14 和 20 針 SMD AtTiny 微控制器（如 402、404 和 3216）的 3X3 螺釘端子條適配器陣列。都有 3 針
2022-08-30 06:24:36
各位大神，請問SIM900芯片背面的3x3原點陣列 和另一個同心圓是什么意思呢？封裝
2019-03-26 05:25:25
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 編輯
針對快充應用設計需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
Ω @ 10V, 16mΩ @ 4.5V- 門源極電壓 (Vgs)：最大±20V- 閾值電壓 (Vth)：2.3V封裝：DFN8 (3X3)詳細參數說明：CSD1757
2023-12-20 10:47:53
### 產品簡介我們從文件中隨機選擇一個型號 `042N04N-VB` 作為示例：#### 產品簡介`042N04N-VB` 是一種高性能的單N溝道MOSFET，采用DFN8 (3X3) 封裝技術
2024-07-02 15:08:38
### 4527GN3-VB MOSFET產品簡介4527GN3-VB是一款由VBsemi公司生產的雙極性MOSFET，采用先進的Trench技術，封裝為DFN8(3X3)-B。它集成了N溝道和P
2024-11-11 16:17:39
### 520N15N-VB 產品簡介520N15N-VB 是一款單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），采用 DFN8(3X3) 封裝。它具有中等漏極-源極電壓（150V）和適中
2024-11-14 11:35:41
### 產品簡介**7900AYWW-VB**是一款雙N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝。它利用先進的Trench技術設計，為各種電子應用提供高效能和可靠性。### 詳細參數
2024-11-20 16:52:05
### 產品簡介**8001H-VB** 是一款由 VBsemi 提供的單通道 N 型 MOSFET，采用 DFN8(3X3) 封裝。它具有低導通電阻和高電流承載能力，適合于低電壓高功率的電子
2024-11-21 14:17:08
### 一、產品簡介VBsemi 8005H-VB 是一款低壓單N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝。該器件通過Trench技術設計，具有低導通電阻和高電流承載能力，適用于需要高效能和緊湊
2024-11-21 14:19:30
### 8NH3L-VB MOSFET 產品簡介8NH3L-VB是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，適合于小型電子設備和電路板的緊湊空間。它具有低導通電阻和高電流承受能力，適用于
2024-11-22 17:13:20
### 900N15N-VB MOSFET 產品簡介900N15N-VB是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，適合于緊湊空間的電子設備和電路板。它具有高漏源電壓、低導通電阻和高電流
2024-11-22 17:26:30
### 產品簡介**型號：AM7321P-VB**AM7321P-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET，采用先進的 Trench 技術，封裝形式為 DFN8 (3X3)。該 MOSFET 具有
2024-12-02 14:26:12
### 產品簡介AM7331PE-T1-PF-VB是一款高性能的單P-Channel MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝。其具備低導通電阻和高電流承載能力，適用于需要高效能電源管理和負載開關
2024-12-02 14:29:16
### AM7333P-VB 產品簡介AM7333P-VB 是一款高性能的單P溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，適用于空間限制較嚴格的應用場合。該器件采用先進的Trench技術，具有優異
2024-12-02 14:34:35
### 產品簡介**型號：AM7360N-VB**AM7360N-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用先進的 Trench 技術，封裝形式為 DFN8 (3X3)。它具有高電壓耐受能力和低導
2024-12-02 14:40:03
### 產品簡介**型號：AM7433P-VB**AM7433P-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET，采用先進的 Trench 技術，封裝形式為 DFN8 (3X3)。它具有高電流承載能力和低導
2024-12-02 15:01:47
### 產品簡介AM7436N-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，采用先進的溝槽技術設計，封裝形式為DFN8(3X3)。該產品具有低導通電阻和良好的電流承載能力，適用于需要高效功率管理和電源轉換
2024-12-02 15:07:56
### 產品簡介**型號：AM7464N-VB**AM7464N-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用先進的 Trench 技術，封裝形式為 DFN8 (3X3)。它具有高電壓耐受能力和低導
2024-12-02 15:17:59
### 產品簡介**AON3406-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術制造，封裝為DFN8(3X3)，適用于需要高效能和穩定性能的電子應用。### 詳細參數說明- **封裝
2024-12-06 15:12:57
### 一、產品簡介**AON3702-VB** 是一款由 VBsemi 公司生產的單 N 溝道 MOSFET，采用了 Trench 技術。封裝為 DFN8(3X3)，具有小尺寸和高性能的特點
2024-12-06 15:16:47
### 產品簡介AON3806-VB 是一款雙 N 型通道 MOSFET，采用槽道結構技術（Trench），封裝在DFN8(3X3)-B中，適用于低電壓高性能應用。該器件具有低導通電阻和高電流
2024-12-06 15:18:49
### 產品簡介**AON3812-VB** 是一款雙N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)-B封裝，適用于低電壓高電流的功率管理應用。### 詳細參數說明- **產品型號
2024-12-06 15:22:30
### 一、AON3816-VB 產品簡介AON3816-VB是一款雙N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)-B封裝，適用于低壓高電流應用場合。該器件采用Trench技術，具有低導通電阻和優異
2024-12-06 15:27:31
### 產品簡介**AON7200-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術制造，封裝為DFN8(3X3)。它具有低導通電阻和高電流承載能力，適用于需要高效能和低損耗的功率開關
2024-12-07 17:10:35
### 一、產品簡介**AON7210-VB** 是一款單路N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，由VBsemi采用Trench技術制造。該器件具有低導通電阻、高電流承載能力和優良的熱特性
2024-12-07 17:14:22
### 產品簡介AON7212-VB 是一款高性能的單 N-通道 MOSFET，采用槽道結構技術（Trench），封裝在 DFN8(3X3) 中。它具有低導通電阻、高電流承載能力和優秀的電壓控制特性
2024-12-07 17:15:48
### 產品簡介**AON7242-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝。它具有低導通電阻和高電流承載能力，適合需要高效能和高功率密度的電源管理和開關應用。### 詳細
2024-12-07 17:19:46
### 一、AON7246-VB 產品簡介AON7246-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，設計用于高效能和高功率密度的功率管理和電源轉換應用。該器件具有低導通電
2024-12-07 17:26:41
### 一、產品簡介**AON7290-VB** 是一款單通道N溝道MOSFET，采用Trench技術，封裝為DFN8(3X3)。它具有高達100V的最大漏源電壓和最大50A的漏極電流承載能力
2024-12-07 17:28:27
### 一、AON7400A-VB 產品簡介AON7400A-VB是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，設計用于高性能功率開關和電源管理應用。它具有低導通電阻、高電流承載能力和優異
2024-12-07 17:29:33
### 產品簡介**AON7400-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術制造，封裝為DFN8(3X3)。它具有低導通電阻和適中的電流承載能力，適合于需要高效能和低損耗的功率開關
2024-12-07 17:31:16
### 一、產品簡介**AON7403-VB** 是一款單路P溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，由VBsemi采用Trench技術制造。該器件具有低導通電阻、高電流承載能力和優良的熱特性
2024-12-07 17:35:20
### 產品簡介AON7404-VB 是一款單 N-通道 MOSFET，采用槽道結構技術（Trench），封裝在 DFN8(3X3) 中。它具有低導通電阻、高電流承載能力和優秀的電壓控制特性，適用于
2024-12-07 17:36:34
### 產品簡介**AON7406-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝。它具有低導通電阻和高電流承載能力，適合需要高效能和高功率密度的電源管理和開關應用。### 詳細
2024-12-07 17:42:59
### 一、產品簡介**AON7409-VB** 是一款單通道P溝道MOSFET，采用Trench技術，封裝為DFN8(3X3)。它具有最大-30V的漏源電壓和最大-45A的漏極電流承載能力，適用于
2024-12-07 17:54:49
### 一、AON7412-VB 產品簡介AON7412-VB是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，專為高性能功率開關和電源管理設計。具有優異的導通特性和高電流承載能力，適用于要求
2024-12-07 17:56:00
### 產品簡介**AON7416-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術制造，封裝為DFN8(3X3)。它具有低導通電阻和高電流承載能力，適合高效能和低損耗的功率開關
2024-12-07 17:57:10
### 產品簡介AON7422E-VB 是一款單 N-通道 MOSFET，采用槽道結構技術（Trench），封裝在 DFN8(3X3) 中。它具有低導通電阻、高電流承載能力和優秀的電壓控制特性
2024-12-09 10:49:37
### 一、AON7426-VB 產品簡介AON7426-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，專為高功率密度和高效能的電源管理和電路控制設計。該器件具有低導通電阻、優異
2024-12-09 11:12:26
### 一、產品簡介**AON7428-VB** 是一款單通道N溝道MOSFET，采用Trench技術，封裝為DFN8(3X3)。它具有最大30V的漏源電壓和最大60A的漏極電流承載能力，具備低導
2024-12-09 11:16:00
### 一、AON7430-VB 產品簡介AON7430-VB是一款單N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，設計用于高效能功率開關和電源管理應用。其優秀的導通特性和高電流承載能力使其成為
2024-12-09 11:17:21
### 產品簡介**AON7436-VB** 是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術制造，封裝為DFN8(3X3)。它具有低導通電阻和高電流承載能力，適合于要求高效能和低損耗的功率開關
2024-12-09 11:18:35
### 一、產品簡介**AON7446-VB** 是一款單路N溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝，由VBsemi采用Trench技術制造。該器件具有低導通電阻、高電流承載能力和優秀的熱特性
2024-12-09 11:21:29
### 產品簡介AON7448-VB 是一款單 N-通道 MOSFET，采用槽道結構技術（Trench），封裝在 DFN8(3X3) 中。它具有高壓耐受性、低導通電阻和適中的電流承載能力，適合
2024-12-09 11:24:18
### 產品簡介AON7516-VB是一款高性能的單N溝道功率MOSFET，采用先進的Trench技術制造。其封裝形式為DFN8 (3x3)，具有優異的導通電阻和電流處理能力，適用于各種高效率電源
2024-12-09 11:58:29
### AON7700-VB 產品簡介AON7700-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用先進的溝槽技術，提供優越的導通電阻和高效的開關性能。該產品封裝為DFN8（3X3），具備較低的導通電
2024-12-09 13:47:43
### 產品簡介AON7804-VB是一款高性能的半橋N+N溝道功率MOSFET，采用先進的Trench技術制造。其封裝形式為DFN8 (3x3)-C，適合要求高效率和可靠性的功率控制和開關
2024-12-09 14:01:55
### 產品簡介**AP2428GN3-VB** 是一款雙N+N-溝道功率MOSFET，采用DFN8(3X3)-B封裝。該器件結合了雙N溝道和雙P溝道MOSFET，適合高效能量轉換和功率管
2024-12-17 11:44:45
### 一、產品簡介AP4435GYT-HF-VB 是一款單P溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝。它具有低漏源電壓和低導通電阻的特性，適用于需要高效能量轉換和電源管理的電子電路
2024-12-19 13:54:15
### 一、產品簡介AP4527GN3-VB 是一款雙N+P溝道MOSFET，采用DFN8(3X3)-B封裝。該器件適用于需要同時控制正負電壓的電路設計，具有優良的導通特性和高效的功率轉換能力
2024-12-19 16:47:05
### 1. 產品簡介AP4800GYT-HF-VB是一款DFN8(3X3)封裝的單N溝道場效應管（Single-N-Channel MOSFET）。采用Trench工藝制造，具有高性能和可靠性
2024-12-20 15:50:33
### 一、產品簡介**AP4820GYT-HF-VB** 是一款高性能的單極性（N-Channel）MOSFET，采用DFN8(3X3)封裝。它采用先進的溝槽（Trench）技術，具有低導通電
2024-12-20 16:11:14
### AP9430GYT-HF-VB 產品簡介AP9430GYT-HF-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用先進的Trench技術，封裝在DFN8(3X3)中。它具有低導通電阻和高電流
2024-12-23 17:18:01
### 一、產品簡介**型號：BSZ340N08NS3 G-VB**- **封裝類型**：DFN8 (3x3)- **配置**：單N溝道MOSFET- **技術**：溝槽式BSZ340N08NS3
2025-01-10 16:00:37
日前，集設計，開發和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發布了具有行業領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:24
3028 在兩個3x3矩陣的頂部添加最終的3x3矩陣。我擴展了最終3x3矩陣的正引腳，因為它們比其他LED的要短
2019-10-25 17:48:295205 封裝/組裝合格測試報告：16L 3x3 mm QFN封裝(QTR：11003版本：02)
2021-04-24 18:49:43
0 ab5636a qfn20 3x3 tws藍牙耳機電路免費下載。
2022-08-05 16:36:1231 Mini Circuits的RMK-3-33+倍頻器可將輸入頻率從700轉換為1000MHz轉換成2100至3000MHz的輸出頻率，收發器鏈、衛星上下轉換器等。它提供+12至+17 dBm的低輸入
2022-12-21 11:17:551031 9DBL02x3-04x3-06x3-08x3 系列數據表
2023-01-09 19:00:260 PowerPAIR? 3x3FS封裝，30V對稱雙通道MOSFET
2023-02-06 15:34:151480 
MLPAK33 中的 N 溝道 60 V、11.5 mOhm、邏輯電平溝槽 MOSFET-PXN012-60QL
2023-02-16 19:55:090 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、4.3 mOhm 邏輯電平 MOSFET-BUK9M4R3-40H
2023-02-20 18:46:590 采用 NextPower-S3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、5 mΩ、標準電平 MOSFET-PSMN5R0-40MSH
2023-02-20 19:00:240 采用 NextPower-S3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、5 mΩ、邏輯電平 MOSFET-PSMN5R0-40MLH
2023-02-20 19:00:360 采用 NextPower-S3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、4.3 mΩ、標準電平 MOSFET-PSMN4R3-40MSH
2023-02-20 19:00:570 采用 NextPower-S3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、4.3 mΩ、邏輯電平 MOSFET-PSMN4R3-40MLH
2023-02-20 19:01:150 N 溝道 40 V、4.3 ma?| LFPAK33 中的標準電平 MOSFET-BUK7M4R3-40H
2023-02-20 19:13:560 采用 NextPower-S3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、8.5 mΩ、標準電平 MOSFET-PSMN8R5-40MSD
2023-02-20 19:18:170 采用 NextPower-S3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、8.5 mΩ、邏輯電平 MOSFET-PSMN8R5-40MLD
2023-02-20 19:18:300 采用 NextPower-S3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、3.3 mΩ、標準電平 MOSFET-PSMN3R3-40MSH
2023-02-20 19:27:260 采用 NextPower-S3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、3.3 mΩ、邏輯電平 MOSFET-PSMN3R3-40MLH
2023-02-20 19:27:450 采用 NextPower-S3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、6.7 mΩ、標準電平 MOSFET-PSMN6R7-40MSD
2023-02-20 19:28:050 采用 NextPower-S3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、6.7 mΩ、邏輯電平 MOSFET-PSMN6R7-40MLD
2023-02-20 19:42:460 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-30MLD
2023-02-20 19:43:010 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、6.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R4-30MLD
2023-02-20 20:08:040 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7M3R3-40H
2023-02-20 20:17:170 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、3.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M3R3-40H
2023-02-20 20:18:060 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、6.3 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M6R3-40E
2023-02-21 19:51:200 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD
2023-02-22 18:52:470 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、3.72 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD
2023-02-22 18:53:180 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD
2023-02-22 18:54:380 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD
2023-02-22 18:55:320 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R4-30MLD
2023-02-22 18:57:060 采用 NextPower 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、3.15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R0-30MLC
2023-02-23 18:37:390 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、4.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R2-30MLD
2023-02-23 18:45:501 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、7.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R5-30MLD
2023-02-23 18:46:010 采用 NextPower 技術的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V 4.15 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R9-25MLC
2023-03-03 18:55:430 電子發燒友網站提供《屏蔽鍵盤3X3開源設計.zip》資料免費下載
2023-06-09 15:15:430 9DBL02x3-04x3-06x3-08x3 系列數據表
2023-06-30 18:38:160 電子發燒友網站提供《采用3x3 QFN封裝的4V至17V 1A 降壓轉換器TLV62150x數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-10 10:35:421 電子發燒友網站提供《采用 3x3 QFN 封裝的 3V 至 17V 3A 降壓轉換器TLV62130x數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-15 09:17:090 、高性能、高可靠性，同時也注重成本效益。因此，對于大部分電源、充電器、電池管理系統 (BMS) 和電機驅動器，關鍵在于以適當的小尺寸封裝和合適的價格提供恰當的RDS(on)值。Nexperia新發布的MLPAK33封裝的60 V MOSFET系列產品正好滿足了這一市場需求。
2025-05-23 13:33:33781
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