HK32F005是航順芯片推出的1mm2超小封裝32位MCU，憑借微型化、低功耗、高存儲密度與高性價比，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、物聯(lián)網(wǎng)、消費電子、智能交通、智能安防、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域。以下是具體
2026-01-05 10:46:53
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和HDSM-203x表面貼裝顯示屏.pdf 產(chǎn)品概述 HDSM - 201x和HDSM - 203x采用了先進(jìn)的AlInGaP芯片技術(shù)。其灰色的頂部表面搭配白色的顯示段，提供
2025-12-30 15:30:1687 通（Broadcom）的ASM3-Sxx2-NxxxH 3W 3535表面貼裝LED，看看它有哪些獨特的魅力。 文件下載： Broadcom ASM3x 3W 3535表面貼裝LED.pdf 一、產(chǎn)品概述 博
2025-12-30 11:50:06198 OC-X87系列微型恒溫晶體振蕩器OC-X87系列是NEL Frequency Controls的一款微型恒溫晶體振蕩器（OCXO），采用緊湊的DIL-14封裝，尺寸僅為20.3×12.7×11mm
2025-12-29 09:25:14
幫助工程師在空間受限的高壓應(yīng)用中，可靠地驅(qū)動MOSFET或IGBT，簡化設(shè)計并提升系統(tǒng)功率密度。核心特性：
高壓與小封裝集成：支持最高200V的母線電壓，采用超緊湊的DFN3x3-8封裝，顯著節(jié)省PCB空間
2025-12-27 09:27:00
DFN3x3-8的小封裝。現(xiàn)在很多設(shè)計都在往小型化、高密度走，PCB空間寸土寸金，這種小封裝優(yōu)勢就體現(xiàn)出來了，能省下不少布局空間。性能參數(shù)：
耐壓高：支持最高200V的母線電壓，VCC工作范圍10V-20V，通用性
2025-12-13 08:41:39
安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎(chǔ)設(shè)施及儲能系統(tǒng)等市場的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 200V半橋門極驅(qū)動芯片，采用先進(jìn)的 DFN3×3-8 超小封裝，專為高壓、高頻應(yīng)用場景優(yōu)化。它集成了高壓集成電路（HVIC）與鎖存免疫CMOS技術(shù)，在單芯片內(nèi)實現(xiàn)了高低側(cè)驅(qū)動功能，支持高達(dá)290mA源電流
2025-12-09 08:35:20
在消費電子產(chǎn)品持續(xù)向輕薄短小演進(jìn)的浪潮中，TWS耳機(jī)、智能手表、微型傳感器等設(shè)備對內(nèi)部元器件的空間占用和信號完整性提出了前所未有的高要求。面對這一挑戰(zhàn)，上海雷卯電子憑借多年深耕EMC防護(hù)領(lǐng)域的技術(shù)積累，推出基于0201超小封裝（0.6mm×0.3mm）的高性能E
2025-12-08 18:04:01393 
、家用電器，如風(fēng)扇、熱水器等產(chǎn)品上面。薩科微光耦PC817芯片采用SMD-4封裝，是由一個發(fā)光二極管和一個光電晶體管組成的光電耦合器產(chǎn)品，輸入/輸出、 隔離電壓為 5000Vrms，響應(yīng)時間 tr
2025-12-04 11:36:34
CMOS技術(shù)，在僅3mm x 3mm的DFN-8超小封裝內(nèi)，實現(xiàn)了高達(dá)200V的工作電壓、290mA/600mA的驅(qū)動能力以及完善的保護(hù)功能。這使其成為機(jī)器人關(guān)節(jié)伺服驅(qū)動、精密醫(yī)療器械電源、緊湊型工業(yè)
2025-12-02 08:22:11
在功率電子設(shè)備向小型化、高效化發(fā)展的當(dāng)下，合科泰TOLL4封裝是超結(jié)MOS管HKTS13N65，憑借超結(jié)工藝與TOLL4封裝的協(xié)同優(yōu)化，成為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)等領(lǐng)域提升功率密度的核心選擇。這款N
2025-11-26 09:42:00545 
ADS1113、ADS1114和ADS1115（ADS111x）是高精度、低功耗、16位、I2C兼容的模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），提供無引腳X2QFN-10、SOT-10封裝和VSSOP-10封裝
2025-11-21 14:50:51726 
能力，提供了優(yōu)異的解決方案。DFN3x3-8的超緊湊封裝設(shè)計，更使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。
特性解析：
1.極致速度：18ns傳輸延遲，7ns/6ns的開關(guān)時間
2.強(qiáng)勁驅(qū)動：4.5A拉電流/5.5A灌
2025-11-18 08:19:33
英寸)、寬1.25mm(0.05英寸)，厚度通常為0.5-1.0mm。 體積 ：約為0603的2倍，適合需要較大容量或高功率的場景。 2、0603封裝 尺寸 ：長1.6mm(0.06英寸)、寬
2025-11-13 15:58:301035 
°C。共模阻抗范圍：3Ω至35.8Ω（10MHz時典型值）和22Ω至250Ω（100MHz時典型值）。這些扼流圈符合RoHS指令，不含鉛和鹵素，采用1.6mmx0.85mmx1.25mm SMD封裝
2025-11-11 11:02:33350 
講解雷卯PESD3V3X4UHM是一款3.3V低鉗位電壓的ESD二極管，封裝為DFN1309-6L。PESD3V3X4UHM可以完全替代替代Nexperia安世(PESD3V3X4UHM)。參數(shù)對比列表如下：Parameter（參數(shù)）PES
2025-11-05 21:04:30455 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，DFN（雙邊扁平無引腳）封裝因其小尺寸、高導(dǎo)熱性和優(yōu)良的電性能被廣泛應(yīng)用，而高效精準(zhǔn)的劃片機(jī)正是確保DFN封裝質(zhì)量的關(guān)鍵。在集成電路電子元件向精密微型與高度集成方向發(fā)展中，晶圓厚度
2025-10-30 17:01:15545 
Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq：DIOD）宣布推出PI7C9X762Q，這是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的高性能 I2C/SPI 總線至雙通道 UART 網(wǎng)橋。該器件在工作狀態(tài)和睡眠模式下
2025-10-17 17:51:131015 微型導(dǎo)軌憑借超小體積、高負(fù)載能力及低摩擦特性，成為高精度設(shè)備中不可或缺的傳動元件。
2025-10-10 17:44:15419 
二氧化碳 (CO2) 傳感器。STCC4采用超小型4 × 3 × 1.2mm3封裝，可直接測量CO2濃度，適用于室內(nèi)的空氣質(zhì)量監(jiān)測器、空調(diào)、智能恒溫器等空間受限的環(huán)境監(jiān)測應(yīng)用。 ? Sensirion
2025-09-15 18:29:45426 
C0603C系列是基美公司推出的通用貼片電容，采用0603封裝形式，尺寸為1.6mm×0.8mm×0.8mm，具有體積小、重量輕的特點，適合緊湊型設(shè)計需求。該系列電容廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，可用
2025-09-11 17:07:04992 
稍大。 2、電容容量 ： 0402封裝：由于體積小，其電容容量相對較小，但足以滿足許多微型電子設(shè)備的需求
2025-09-08 15:53:041016 Diodes公司（Nasdaq：DIOD）推出四款符合車用規(guī)范*的異步降壓轉(zhuǎn)換器，適用于48V 低電壓軌負(fù)載點（PoL）應(yīng)用。
2025-09-01 17:26:591933 存儲動力。極致微型封裝，釋放設(shè)計潛能RSUN2M采用先進(jìn)的USON6封裝，尺寸僅為1×0.72×0.45mm，在極小的空間內(nèi)實現(xiàn)強(qiáng)大存儲功能。精準(zhǔn)的尺寸控制（A值
2025-08-19 15:23:271742 
碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()采用 WLCSP 封裝的 3P4T 發(fā)射/接收 LTE 交換機(jī)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有采用 WLCSP 封裝的 3P4T 發(fā)射/接收 LTE 交換機(jī)的引腳圖、接線圖、封裝
2025-07-31 18:34:48
致力于高性能電力電子芯片與數(shù)字能源解決方案創(chuàng)新的——廣芯微電子（廣州）股份有限公司今日宣布，基于自主研發(fā)的 UM3242F高性能工業(yè)實時微處理器芯片 ，成功開發(fā)出新一代 2x520W并網(wǎng)型微型逆變器參考開發(fā)平臺 。
2025-07-21 10:07:533938 
Diodes 公司的AP66x00Q/AP64x03Q 3A DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器，設(shè)計用于和符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管 MOSFET 控制器 AP74700Q 搭配使用，確保符合 EMC（電磁兼容性）規(guī)范。
2025-07-14 10:16:285009 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()表面貼裝 0402 硅超突變調(diào)諧變?nèi)荻O管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有表面貼裝 0402 硅超突變調(diào)諧變?nèi)荻O管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，表面貼裝
2025-07-11 18:33:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()表面貼裝、硅超突變調(diào)諧變?nèi)荻O管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有表面貼裝、硅超突變調(diào)諧變?nèi)荻O管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，表面貼裝、硅超突變調(diào)諧變?nèi)荻O管真值表，表面貼裝、硅超突變調(diào)諧變?nèi)荻O管管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-11 18:32:21
新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產(chǎn)品線現(xiàn)擴(kuò)充ThinTOLL8x8封裝
2025-07-08 17:08:311019 
SD12FDT是一款瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電源接口而設(shè)計。該器件適用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個分立元件，其特定設(shè)計用途是保護(hù)電源線路。該產(chǎn)品采用DFN1610-2L封裝形式，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品符合無鉛無鹵素環(huán)保要求。
2025-07-08 09:26:27
0 SD07FDT是一款瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電源接口而設(shè)計。該器件適用于替代便攜式電子設(shè)備中的多個分立元件，其設(shè)計初衷是專門保護(hù)電源線路。SD07FDT采用DFN1610-2L封裝形式，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品符合無鉛無鹵素環(huán)保要求。
2025-07-07 17:42:030 新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導(dǎo)通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 可靠性的設(shè)計方案。該系列產(chǎn)品現(xiàn)已新增采用底部冷卻技術(shù)的TOLL和DFN封裝，其創(chuàng)新設(shè)計可降低各類工業(yè)及消費電子應(yīng)用中的功率損耗。產(chǎn)品型號：■IGT65R025D2A
2025-06-26 17:07:332034 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出采用DFN3.3x3.3源極朝下（Source Down）封裝技術(shù)
2025-06-18 15:18:491438 
鼎先電子推出微小封裝DFN0603低容TVS ESD靜電防護(hù)二極管DL0521P0，0.5PF,IPP4.5A,VC低于25V，外形尺寸僅為0.6*0.3*0.3毫米,較業(yè)界常用DF1006
2025-06-14 15:54:54
進(jìn)迭時空推出首款PsP（Package-side-Package）封裝CoM（Computer-on-Module）產(chǎn)品B1，集成RISC-VAICPU芯片K1、LPDDR4x芯片和無源器件，重布線
2025-06-06 16:55:59944 
Diodes 公司擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FOM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。
2025-06-06 16:09:51867 
陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺，PitchSize 1.6um，TO247封裝。
2025-05-27 12:04:171070 
SiXG301和SiXG302是芯科科技采用22納米工藝節(jié)點推出的首批無線SoC系列產(chǎn)品，在計算能力、功效、集成度和安全性方面實現(xiàn)突破性進(jìn)展
2025-05-26 14:27:43577 
上海雷卯推出兩款5V，小封裝（DFN1006和DFN0603），帶回掃，低鉗位電壓VCmax的防靜電二極管：ULC0521CLV、ULC0542CLV。帶回掃ESD和普通ESD二極管電性參數(shù)圖如下：我們可以看到，普通的ESD是隨著IPP
2025-05-23 16:16:19877 ”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901 
電壓控制晶振，分別提供小型與標(biāo)準(zhǔn)封裝、寬頻率輸出、低相位抖動性能，適用于SONET、以太網(wǎng)、xDSL、數(shù)字視頻廣播與工業(yè)同步系統(tǒng)。
產(chǎn)品特點
· FVC-3X：3.2×2.5mm 小型封裝，支持2
2025-05-20 17:05:37
。DSCxxA065LP 系列的額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A，采用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝，專為高效率電源開關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用而設(shè)計，例如直流對直流、交流轉(zhuǎn)直流、可再生能源、數(shù)據(jù)中心 (特別是處理大量人工智能運算的數(shù)據(jù)中心) ，以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等。
2025-05-12 16:06:34897 2.4G芯片DFN封裝的作用是什么 在無線通信技術(shù)快速發(fā)展的今天，2.4G頻段因其廣泛的應(yīng)用場景（如Wi-Fi、藍(lán)牙、ZigBee等）成為高頻芯片設(shè)計的重要領(lǐng)域。而DFN（Dual Flat
2025-04-30 10:31:321206 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設(shè)備、信號開關(guān)和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:340 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
AnalogDevices ADIS1647x精密微型工業(yè)IMU提供了一種將完整慣性系統(tǒng)集成到工業(yè)及運動物聯(lián)網(wǎng) (IoMT)應(yīng)用中的簡單方法。ADIS1647x微型工業(yè)IMU采用小尺寸的標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝
2025-04-24 19:30:181147 
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)* 的 3D 線性霍爾效應(yīng)傳感器。AH4930Q 可檢測 X、Y、Z 軸的磁場，實現(xiàn)可靠且高精度的非接觸旋轉(zhuǎn)運動與接近檢測。產(chǎn)品應(yīng)用包括信息娛樂系統(tǒng)上的按壓旋鈕、換擋撥片、門把手和門鎖，以及電動座椅調(diào)角器。
2025-04-23 17:01:41961 脈沖。
MEDER超微型繼電器：理想的解決方案MEDER特殊設(shè)計的CRF超微型繼電器系列，體積小巧且能夠承受上億次的運行任務(wù)，具備快速切換和對高速脈沖的傳輸能力，具有卓越的可靠性和耐用性。
技術(shù)細(xì)節(jié)
2025-04-23 16:50:25
HMC577LC4B是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs PHEMT技術(shù)，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號驅(qū)動時，該倍頻器提供+20 dBm的典型輸出功率，在27至31 GHz的頻率下工作。 在29 GHz頻率下的Fo和3Fo隔離為>55 dBc。
2025-04-18 11:40:42770 
HMC573LC3B是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs PHEMT技術(shù)，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號驅(qū)動時，該倍頻器提供+12 dBm的典型輸出功率，在8至22
2025-04-18 11:13:24749 
HMC494LP3(E)是一款低噪聲8分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。 此器件在DC（使用方波輸入）至18 GHz的輸入頻率下工
2025-04-18 10:18:56734 
HMC493LP3(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。 此器件在DC（使用方波輸入）至18 GHz的輸入頻率下工
2025-04-18 09:59:26838 
HMC492LP3（E） 是一款低噪聲 2 分頻靜態(tài)分頻器，采用 InGaP GaAs HBT 技術(shù)，采用無引腳 3x3 mm QFN 表面貼裝塑料封裝。該器件采用單個 +5V DC 電源，在 DC
2025-04-18 09:48:50789 
HMC445LP4(E)是一款有源微型x16倍頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用4x4 mm無引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+7 dBm（典型值），電源電壓為5V，在不同的輸入功率
2025-04-18 09:22:16722 
HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用4x4 mm無引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+6 dBm（典型值），電源電壓為5V，在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。
2025-04-17 17:03:10999 
HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技術(shù)的有源微型x2倍頻器，提供3x3 mm無引腳QFN表貼封裝。 功率輸出為+4 dBm（典型值），單電源電壓為+5V，在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。 在輸出信號電平方面，對無用基波和次諧波的抑制為30 dBc（典型值）。
2025-04-17 11:21:29996 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 首次推出先進(jìn)的銻化銦 (InSb) 霍爾器件傳感器系列，可檢測旋轉(zhuǎn)速度和測量電流，適用于筆記本電腦、手機(jī)、游戲手柄等消費產(chǎn)品
2025-04-14 15:19:07880 HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次諧波(x2) MMIC混頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT封裝。 在30 dB時，2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波
2025-04-02 09:17:36711 
HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻器下變頻器，采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在28至47 dB時，2LO至RF和IF隔離性能出色
2025-04-01 14:52:50702 
HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻器，采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在25至35 dB時，2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。 LO
2025-04-01 14:43:12784 
HMC264LC3B是一款集成LO放大器的21 - 31 GHz次諧波(x2) MMIC混頻器，采用無引腳“無鉛”SMT封裝。 在30 dB時，2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。 LO放大器
2025-04-01 14:38:20739 
新品CoolSiC肖特基二極管G510-80A2000V，TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極管10-80A2000VG5系列現(xiàn)在也采用TO-247-2封裝。在高達(dá)1500V的高直流母線系統(tǒng)
2025-03-25 17:04:241009 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
導(dǎo)體深耕分立器件領(lǐng)域30余年，其TO-252封裝產(chǎn)品憑借高耐壓、低損耗、快速響應(yīng)等特性，為智能插座提供全場景解決方案。
2025-03-14 14:04:001342 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD05D6BU DFN0603塑料封裝ESD保護(hù)二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-13 16:20:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD03D6BU DFN0603塑料封裝ESD保護(hù)二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-13 16:16:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD05D6BN DFN0603塑料封裝ESD保護(hù)二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-13 15:51:510 。
RN6520采用微小的6引腳DFN2*2封裝，只需極少的外圍器件，具有系統(tǒng)低成本，小體積和使用簡單等優(yōu)點，非常適合那些對PCB空間要求較高，對靜態(tài)功耗要求較高，可嵌入各種手持式應(yīng)用。
產(chǎn)品特點
2025-03-11 17:20:58
的點陣LED顯示面板，最大支持10x2按鍵。適用于要求可靠、穩(wěn)定和抗干擾能力強(qiáng)的產(chǎn)品。采用 QFN24L的封裝形式。Z153+03
產(chǎn)品特點：
? 工作電壓 3.0-5.5V
? 內(nèi)置 RC振蕩器
2025-03-11 15:44:37
1MHz的高頻段，電源效率也可達(dá)到96.5%以上。另外，通過采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。 *附件：GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊
2025-03-07 17:40:40847 
HMC596LP4(E)是一款低成本4x2開關(guān)矩陣產(chǎn)品，采用無引腳QFN 4x4 mm表貼封裝，可用于衛(wèi)星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路開關(guān)。 開關(guān)上集成由正電壓控制的4位解碼器。 該開關(guān)可用于75 Ω或50 Ω系統(tǒng)。
2025-03-07 16:50:271511 
HMC536LP2(E)是一款DC至6 GHz GaAs MMIC T/R開關(guān)，采用無引腳2x2 mm DFN LP2表貼封裝，帶有裸露接地焊盤。 該開關(guān)非常適合蜂窩、WiMAX和WiBro接入點
2025-03-07 14:47:371177 
LQFP100L(14X14)封裝產(chǎn)品是低輪廓四方扁平封裝，適用于表面貼裝技術(shù)(SMT)。
2025-03-06 16:00:301089 
的 CoolGaN? G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶體管。 ?
2025-03-03 15:50:564323 
IU5516具備直通跟隨模式，DFN2X2_6L封裝，低功耗3μA，1M@2.0A降壓穩(wěn)壓器
2025-03-02 20:26:17744 
HTSSOP封裝(3 mm × 3 mm)和DFN6封裝(2 mm × 2 mm)。對于較低負(fù)載電流應(yīng)用，NEX90x15-Q100器件提供150 mA輸出電流，性價比更高，并提供SOT23-5
2025-02-26 11:01:33
適當(dāng)?shù)臒嵩O(shè)計，TI以QFN 12x12格式封裝的新型LMG342x GaN功率級產(chǎn)品可以完全滿足高功率（>3 kW）轉(zhuǎn)換應(yīng)用的需求。
2025-02-25 10:36:391037 
：±1% 額定功率 ：100mW（或0.1W） 封裝類型 ：0603（1608公制） 二、技術(shù)特性 電阻類型 ：厚膜電阻 溫度系數(shù) ：±100ppm/°C 額定電壓 ：75V 工作溫度范圍 ：-55°C
2025-02-21 14:18:151457 
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2025-02-19 17:06:350 mm沒有問題吧？該芯片使用28V轉(zhuǎn)5V，5V最大輸出電流3A，輸入28V電流是多少？
SN74ALVC164245封裝中，DL、DGG性能一致？市面上都容易毛到？我考慮使用DL封裝
謝謝！
2025-02-14 06:55:48
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2025-02-10 16:17:380 日前，全球領(lǐng)先的電子元件制造商威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布推出一款創(chuàng)新產(chǎn)品——TSM3系列多匝表面貼裝金屬陶瓷微調(diào)電位器。 TSM3系列電位器專為在惡劣
2025-02-08 10:35:251087 — 202 5 年 2 月 5 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一系列新的多匝表面貼裝金屬陶瓷微調(diào)電位器--- TSM3
2025-02-06 17:32:00963 高像素分辨率2K（2048*2048）微型顯示器，具備高分辨率(2048x2048),高填充率（>94%）,高響應(yīng)速度（3.6KHz）的特點，適用于半導(dǎo)體外觀檢測、醫(yī)學(xué)成像、3D光學(xué)計量、超分辨率熒光顯微鏡等方面。
2025-01-23 14:22:481505 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8866Q LED 驅(qū)動器，擴(kuò)大符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的產(chǎn)品組合。這款直流開關(guān) LED 驅(qū)動控制器可驅(qū)動外部 MOSFET，支持
2025-01-23 13:53:231245 008004尺寸的片狀多層陶瓷電容器（MLCC）是一種超微型的電子元器件，其尺寸僅為0.25mm*0.125mm*0.125mm。與現(xiàn)有的01005尺寸（0.4mm*0.2mm*0.2mm
2025-01-22 09:10:111912 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8891Q LED 驅(qū)動器，擴(kuò)大符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的產(chǎn)品組合。這款同步降壓 LED 驅(qū)動器簡單易用，具有高側(cè)電流感測功能
2025-01-17 13:51:28907 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開關(guān)電源芯片，集成上電軟啟動功能及過溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.3MHz，適用于給隔離驅(qū)動芯片副邊電源供電。芯片有SOP-8封裝、DFN3*3-8封裝兩種封裝形式。
2025-01-15 10:22:362630 
### 一、產(chǎn)品簡介**型號：BSZ340N08NS3 G-VB**- **封裝類型**：DFN8 (3x3)- **配置**：單N溝道MOSFET- **技術(shù)**：溝槽式BSZ340N08NS3
2025-01-10 16:00:37
封裝在緊湊的DFN8（3x3）封裝中，適用于空間受限的應(yīng)用。BSZ22DN20NS3 G-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具有高電壓承受能力和較低的導(dǎo)通電阻，能夠滿足各
2025-01-10 15:58:00
采用DFN8（3x3）封裝，尺寸小巧，適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。BSZ120P03NS3 G-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的功率處理能力，能夠滿足
2025-01-10 15:33:21
**1. 產(chǎn)品簡介：**BSZ040N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(3x3)。采用 Trench 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力
2025-01-10 14:57:55
：DFN6（2*2超小封裝）
通訊接口：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 低功耗模式電流1.5uA-3V
VKD233DG --- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝
2025-01-09 17:35:33
--- 工作電壓/電流：2.4V-5.5V/2.5uA-3V 1感應(yīng)按鍵 封裝：DFN6（2*2超小封裝）
通訊接口：直接輸出，鎖存(toggle)輸出 低功耗模式電流2.5uA-3V
VKD233DR
2025-01-07 17:25:45
? ?【新品發(fā)布】湖南靜芯推出用于USB 3.2的深回掃型靜電保護(hù)器件SEUCS2X3V1BB 湖南靜芯宣布推出全新產(chǎn)品SEUCS2X3V1BB?。SEUCS2X3V1BB是一款保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口
2025-01-07 16:01:261181 
Palladium Z3和Protium X3系統(tǒng)在前代產(chǎn)品Palladium Z2和Protium X2的基礎(chǔ)上進(jìn)行了全面升級，專為十億門級的大規(guī)模設(shè)計打造。 與前代產(chǎn)品相比
2025-01-07 13:48:201849
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