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Nexperia擴展一系列創新應用專用MOSFET

安世半導體 ? 來源:安世半導體 ? 2024-07-15 16:07 ? 次閱讀
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隨著設計人員打破應用性能界限,了解如何在應用中使用MOSFET至關重要。過去,具有給定的品質因數(FOM)的標準功率開關基本上適用于任何應用。但是,為了滿足特定的應用要求或功能,越來越需要優化MOSFET參數組來更好地匹配這些要求。例如,應用可能要求軟啟動、擴展的安全工作區域、可靠的線性模式性能或增強的保護。在Nexperia,我們將久經驗證的MOSFET專業知識和廣泛的應用認知相結合,打造了一系列更豐富的應用專用MOSFET。

過去,具有給定的品質因數(FOM)的標準功率開關基本上可以應用于任何場合。但隨著技術的進步和應用的多樣化,對MOSFET的需求比以往任何時候都要復雜和多樣。常規MOSFET數據表上有100多個參數,如Rds(on)、Vth、Ciss和Qg等等。但通常只有少數參數在每個項目中至關重要。而且隨著應用的變化,關鍵參數也會發生變化。

因此,單一的 MOSFET 參數很難滿足所有應用的需求。Nexperia 深諳這一道理,“應用專用”是在 MOSFET 領域的又一大創新,這是基于多年對特定應用的理解和與客戶的攜手合作而推出的產品系列。通過重點優化對某一應用場景最為關鍵的參數,即使可能會犧牲其他不太關聯的參數,但也確保我們的 MOSFET 產品能夠完美匹配特定領域的需求,發揮出最優的性能和效益。

重復雪崩的汽車ASFET

有保證的重復雪崩性能,符合汽車標準

使用MOSFET為驅動電磁閥等感性負載供電時,大多數電路設計包含附加的器件,以便當負載電流在關斷期間持續流動時保護MOSFET。解決方案包括高效但昂貴的升壓拓撲(可重復利用能量),以及效率較低但更經濟實惠的續流二極管方案。重復雪崩裝置的簡單替代方案在過去只能通過平面技術來實現。Nexperia通過優化MOSFET,使其能夠輕松應對重復雪崩電流,同時將結溫保持在175 ℃以下,從而提供了一種真正耐用的器件,實現了大量的系統級節約。

用于重復雪崩的ASFET專為滿足一系列汽車和感性負載的需求而設計:

符合AEC-Q101標準

有保證的重復雪崩性能,經過高達10億個周期的測試

穩健的硅技術與LFPAK的熱性能相結合,確保芯片溫度保持在175 ℃以下

使用單個MOSFET非常簡便,減少了BOM和電路復雜性,實現了系統成本和空間節約

用現代溝槽替代舊式平面技術

與續流二極管方案相比,提供了更高的效率和更快的開關

推薦產品

BUK9K13-60RA

雙N溝道60V、12.5 mΩ邏輯電平MOSFET,采用LFPAK56D封裝,使用重復雪崩。

電池隔離的ASFET

增強的SOA、穩健性和最大電流

如今大多數手持和電池供電的工具和設備都依賴于多節鋰離子電池組。鋰離子電池具有能量密度高的優點。但是在故障情況下,這可能會成為問題,因為它有可能導致大量不受控制的能量釋放,從而導致負載過熱和潛在的電路火災。要在安全隔離電池并關閉系統前以可控的方式處理大量放電,需要非常穩健且具有高熱效的MOSFET。Nexperia最穩健的LFPAK封裝器件的理想應用。

用于電池隔離的ASFET專為多節電池供電設備而設計:

在故障情況下,由于在故障引起深度放電時,大電流下的電路電感會產生電壓,因此電池隔離MOSFET通常會進入線性模式

增強的SOA MOSFET繼續安全可控地運行,直到關閉為止,電池與負載電路完全隔離

正常工作時,需要低導通電阻才能實現低傳導損耗,但需要優化參數以實現安全的電池隔離

穩健的電池隔離MOSFET可用作設備批準的主要保護

可能需要低Vt,因為電池保護IC可能只有2-3 V柵極驅動

推薦產品

PSMNR70-40SSH

N溝道40V、1.1 mΩ、280 A邏輯電平MOSFET,采用LFPAK56封裝。

熱插拔和軟啟動的ASFET

可靠的線性模式,增強的SOA與低導通電阻

無論是云還是邊緣技術,都和我們忙碌的生活息息相關。我們的日常生活很大程度上依賴于始終開啟的機架式計算機、通信和存儲系統。要確保這些系統不會出現電源中斷,在將替換電路板插入運行中的系統時保護上面的器件,必須小心控制沖擊電流。在常規MOSFET中,強大的SOA性能和低導通電阻是互斥的。Nexperia專用于熱插拔和軟啟動的MOSFET在單個器件上同時提供這兩種功能,并針對不間斷的運行要求進行了優化。

用于熱插拔和軟啟動的ASFET專為支持始終開機的應用和設備而設計:

當在背板中引入電容負載時,需要采用具備強勁線性模式性能和增強安全工作區域(SOA)的MOSFET來高效可靠地控制沖擊電流

一旦安全接通替換電路板,MOSFET便會完全導通。在此運行模式下,具有低導通電阻值是最重要的,它有助于最大限度地保持低溫和高系統效率

推薦產品

PSMNR67-30YLE

N溝道100 V,2.3 mΩ,SuperSOA MOSFET, 采用LFPA88封裝。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia(安世半導體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者,Nexperia(安世半導體)的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域,幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導體)為全球客戶提供服務,每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業基準,獲得廣泛認可。Nexperia(安世半導體)擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證,充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia:效率致勝。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:【樣品申請】Nexperia擴展一系列創新應用專用MOSFET,精準優化匹配您的設計需求

文章出處:【微信號:Nexperia_China,微信公眾號:安世半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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