。 IC Insights最新資料顯示，隨著Flash市場需求增加，各存儲器業者為擴大或升級3D NAND生產線，紛紛增加Flash資本支出，使得2017與2018年全球該項支出分別年增92%與16%，達276億與319億美元，均高于各當年半導體業者在DRAM與晶圓代工上的資本支出。 而隨著主要存儲
2019-01-23 09:24:56
1391 最高的64層3D NAND芯片。據techweb的消息顯示，長江存儲今年年底預計正式量產64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產能，預計2020年底有望將產能提升至月產6萬片晶圓的規模。
2019-08-27 09:32:512672 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產內部設計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 歐盟宣布將增加4條先進生產線建設計劃，包括發光二極管和450mm晶圓等。此前，歐盟宣布建設全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）試生產線。該五條芯片試生產線項目是歐盟于5月23日宣布的“歐洲電子策略
2013-06-03 09:45:281000 ）亦可能利用M10廠生產3D NAND Flash，業界預期未來3~4年內存儲器產業既有平衡競局恐將被打破。
2015-10-09 09:40:15980 句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰一觸即發。本文詳細介紹了3D NAND閃存優勢，主要的生產廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領域的實力產品。
2016-08-11 13:58:0644661 
今日，由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設的國家存儲器基地項目正式動工，預計 2018年建成投產，2020年完成整個項目，初期計劃以先進的3D NAND為策略產品
2016-12-31 01:52:114140 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日據中科院網站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:232091 借由此案進入3D NAND代工，更說服東芝在臺灣設廠生產，此舉目的是擊破三星電子長期來以存儲器利潤補貼邏輯虧損的策略，一報大客戶高通（Qualcomm）被搶之仇。
2017-03-02 07:51:24844 通過3D堆疊技術將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:293528 對相關業務進行了重新聚焦：壓縮了NAND部分產品線。 紫光存儲方面表示，未來隨著長江存儲3D NAND穩步量產，相關業務將逐步轉移到長江存儲；同時，還將增強DRAM部分產品線。 去年9月2日，紫光集團旗下長江存儲宣布，已開始量產中國首款
2020-03-19 09:18:226283 據路透社報道，鎧俠Kioxia于本周四（10月29日）表示，將在日本中部新建一條NAND存儲芯片生產線，以滿足智能手機、自動駕駛汽車等領域不斷增長的數據存儲需求。
2020-10-29 11:22:522536 東芝官網顯示，3月10日，東芝發布功率器件業務重大投資消息，表示準備開工建設300mm晶圓制造廠。據其披露，東芝將在日本石川縣加賀東芝電子公司新建一條300mm晶圓生產線，以提高功率半導體生產能力，該生產線計劃于2023年上半年開始量產。不過，東芝未在新聞稿中披露具體投資額。
2021-03-11 09:28:134520 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
感謝Dryiceboy的投遞據市場分析數據,DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
請教大家一個問題： Altium designer 的3D封裝在機械層是有線的，我的板子在機械層也畫了線來切掉一部分。那么在PCB的生產加工中，3D封裝位于機械層的線是否會影響加工效果。請實際操作過的回答下，非常感謝。如下圖：
2016-07-22 14:05:18
密度，制造商開發了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術，該技術將Z平面中的存儲單元堆疊在同一晶圓上。
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3D NAND, 即立體堆疊技術，如果把2D NAND看成平房，那么3D
2024-12-17 17:34:06
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會有更杰出的表現，同時也希望對NAND進行進一步優化。長江存儲：2019年量產64層3D NAND長江存儲作為NAND Flash產業新晉者
2018-09-20 17:57:05
世界首款3D芯片工藝即將由無晶圓半導體公司BeSang授權。 BeSang制造了一個示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個縱向晶體管的記憶存儲單元。該芯片由韓國國家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
為我國最大的半導體生產基地，月產能為10萬片晶圓，而在去年七月份紫光集團還參與了長江存儲的投資，計劃投資1600億元，打造國產3D NAND閃存，研發DRAM。
2018-03-28 23:42:26
flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
?過去存儲器與晶圓代工業大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替傳統使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
是第一個推出1Tb級產品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發布的非易失性存儲器（NVM）技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
中圖儀器WD4000晶圓硅片表面3D量測系統采用光學白光干涉技術、精密 Z 向掃描模塊和高精度 3D 重建算法，Z 向分辨率最高可到 0. 1nm。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大
2024-10-25 16:46:20
Maxim近期已經通過300mm晶圓生產線的模擬產品驗證并開始供貨。這一重大舉措進一步確立了Maxim在模擬/混和信號
2010-11-12 08:56:43934 2013年9月3日——領先的高性能模擬IC和傳感器解決方案供應商奧地利微電子公司（SIX股票代碼：AMS）今日宣布投資逾2，500萬歐元在其位于奧地利格拉茨附近的晶圓制造工廠，用以建立3D IC專用的生產線。
2013-09-03 14:55:341433 全球包括高階制程、3D NAND Flash及大陸半導體業者對于12寸晶圓代工產能需求大增，導致硅晶圓供應缺口持續擴大，近期全球三大硅晶圓廠信越（Shin-Etsu）、Sumco、德國
2016-12-21 09:30:561358 ，投資規模累計超過100億美元，這也將是格羅方德在中國最大和最先進的晶圓制造基地。一期建設主流CMOS工藝12英寸晶圓生產線，預計2018年底投產；主要為0.13微米、0.18微米，從新加坡轉移至成都，產能2萬片/月。
2017-02-10 14:39:173908 技術的基礎上， 該公司運用其深厚的重直整合能力，開發出X4 3D NAND技術，包括硅晶圓加工、裝置工程（在每個存儲節點上提供16個不同的資料等級）、和系統專門技術（用于整體閃存管理）。
2017-07-26 16:07:111246 的廠商競爭，以及日經貼般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區別和聯系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據
2017-10-13 20:33:26
6 紫光南京半導體產業基地主要將生產3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠，另一個紫光大型的存儲器生產南京基地也已經實質啟動。
2017-11-28 12:54:402401 集微網消息，1月9日，英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚鑣。今日臺灣DIGITIMES報道指出，業界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場，不僅
2018-01-10 19:43:16679 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發3D NAND，其維持多年的長期合作關系也將結束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:555172 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術。由于具備以下四點優勢，3D Xpoint被看做是存儲產業的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產設備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房實現提前封頂，2018年2月份進行廠內潔凈室裝修和空調、消防等系統安裝，正是為4月搬入機臺設備而準備，預計很快就可以實現 3D NAND 量產。
2018-04-15 10:08:0010302 京東方（BOE）作為中國面板巨擘，目前已經在四川成都和綿陽布局了2條第6代柔性AMOLED生產線，其中成都線是中國第一條柔性AMOLED生產線，也是全球第2條量產的6代柔性AMOLED產線。而綿陽
2018-05-02 10:32:003835 的平面閃存，3D存儲器的關鍵技術是薄膜和刻蝕工藝，技術工藝差別較大，而且相對2D NAND來說，國際大廠在3D存儲器布局方面走得并不遠。
2018-06-20 17:17:495087 韓國第二大存儲芯片巨頭SK海力士宣布，將與中國成立新的合資企業，并于今年下半年興建新的200毫米晶圓代工生產線。
2018-07-17 11:33:525114 作為3D NAND閃存產業的新晉者，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發表備受期待的主題演講，闡述其即將發布的突破性技術XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 紫光集團旗下長江存儲發展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產線建置、2020年量產，震撼業界。
2018-08-13 09:45:002770 存儲器是半導體三大支柱產業之一。據IC Insights數據，2015年半導體存儲器市場總額達835億美元。各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。其廣泛應用于PC、手機、服務器等各類電子產品，2015年營收達到267億美元，占半導體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001863 ?由于國家政策和大基金的支持，中國大陸現在也把存儲芯片作為重點來抓，3D NAND也順理成章成為廣大廠商關注的重點，早前被紫光納入旗下的武漢新芯科技（XMC）很早已經在武漢開工建設12英寸晶圓廠
2018-10-08 15:52:39780 再投240億美元，紫光成都存儲器制造基地成又一個長江存儲！ 繼2016年12月30日，紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設，項目總投資為240億美元的長江存儲國家
2018-10-15 17:07:021241 根據紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿試驗區舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設12英寸3D NAND存儲器晶圓生產線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯產品的研發、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿試驗區隆重舉行。
2018-10-18 09:34:1711110 華潤12吋晶圓生產線項目投資約100億元，建設國內首座本土企業的12吋功率半導體晶圓生產線，主要生產MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導體產品。
2018-11-08 10:15:139889 全球 3D NAND 價格近來快速崩跌，紫光集團旗下的長江存儲肩負打破國內“零”存儲自制率之重任，以”光速”的氣勢加入這場存儲世紀大戰。除了武漢 12 寸廠進入生產，南京廠也將于年內動工，加上成都廠
2018-11-30 09:16:252791 技術確實降低了每千兆字節的成本。本報告展示了目前市場上四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2018-12-25 14:39:563714 昨日，紫光集團旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發布信息，宣布公司成功實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產。他們表示，這次公告標志著內資封測產業在3D NAND先進封裝測試技術實現從無到有的重大突破，也為紫光集團完整存儲器產業鏈布局落下關鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 紫光集團存儲芯片戰略規劃，紫光宏茂自2018年4月起，開始建設全新3D NAND封裝測試產線，組建團隊，研發先進封測技術。
2019-01-12 10:28:003677 SK海力士今年第一季財報和當初預期相同，受存儲器行情影響，營收和營益驟減，對此SK海力士準備以強化技術、調整生產線應對市場，預計今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 根據官網資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品，廣泛應用于移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。
2019-08-29 14:28:002725 據悉，紫光在四川的產業布局宏大，總投資已超2000億元，建設周期需3年-5年。而紫光在成都芯片的布局比較深入，主要包括服務器的芯片的研發，安全芯片的研發，存儲芯片、移動通訊芯片的相關研。目前，紫光
2019-06-27 16:52:347562 SkyWater科技的晶圓廠生產出第一批可以匹敵先進硅芯片性能的3D納米管晶圓。
2019-07-26 14:03:463706 由于 3D NAND 存儲器市場出現了供過于求的現象，制造商們不得不減產以穩定價格。
2019-07-30 14:29:393096 根據臺積電在第二十四屆年度技術研討會中的說明，SoIC是一種創新的多芯片堆疊技術，是一種晶圓對晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合（Bonding）技術，這是一種3D IC制程技術，可以讓臺積電具備直接為客戶生產3D IC的能力。
2019-08-14 11:21:064993 
單元，這樣有利于選擇更先進的制造工藝。當兩片晶圓各自完工后，創新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。
2019-09-03 10:07:021788 據外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基于創新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 Xtacking是長江存儲在去年FMS（閃存技術峰會）首次公開的3D NAND架構，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經開始批量生產采用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2019-09-10 15:24:411115 據悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 據SEMI最新報告，2019年底，將有15個新Fab廠開工建設，總投資金額達380億美元。在全球新建的Fab廠中，約有一半用于200毫米（8英寸）晶圓尺寸。自2000年以來，芯片廠家逐漸遷移到更高
2019-09-23 16:21:165373 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 長江存儲打破全球3D NAND技術壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經歷多年的研發，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰。
2019-11-29 15:39:053808 在此前高調地宣布“分道揚鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應協議。分析人士指出，鑒于英特爾是當前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費用。
2020-03-17 14:21:142525 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產，并于 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091627 近日，華潤微電子在投資者互動平臺上表示，公司目前正在規劃12英寸晶圓生產線項目。
2020-09-03 09:39:524875 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級技術研究員 Joengdong Choe 發表了相關演講，詳細介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內的半導體產品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 8英寸晶圓被認為是落后產線，更關注12英寸晶圓產線的建設和量產。然而，就是這一比12英寸晶圓古老多年的產品，目前其產能依然很緊張。 供不應求的8英寸晶圓與逐年下滑的生產線 目前全球代工廠產能爆滿，臺
2020-11-23 14:00:393711 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 日前，有媒體報道稱，消息人士透露，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產量提高一倍至10萬片晶圓，并準備最早將于2021年年中試產第一批192層3D NAND閃存芯片，不過為確保量產芯片質量，該計劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875 生產線三維建模解決方案就是通過模型、虛實聯動和三維建模等先進技術，以一個3D立體模型展現出來，可以讓我們很直觀的看到生產線的運作以及對數據的監控。商迪3D運用3D建模技術可以讓工業3D模型管理系統
2021-03-06 10:15:352040 日前，有媒體報道，雖然目前許多大廠都紛紛投資于建設12英寸晶圓廠，不過8英寸晶圓的需求依舊強烈，國際半導體產業協會在一則報告中表示：預計到2024年之前，全球的8英寸晶圓生產線將會新增25條，今年8
2022-04-13 16:11:552342 根據合作框架協議，中芯國際將在當地建設12英寸晶圓代工生產線項目，產品主要應用于通訊、汽車電子、消費電子、工業等領域。項目擬選址西青開發區賽達新興產業園內。規劃建設 產能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產線，可提供28納米~180納米不同技術 節點的晶圓代工與技術服務。
2022-08-29 11:31:413729 NAND價格從2022年第1季在缺貨拉抬調漲報價后，市場價格快速反轉走跌，第3季NAND晶圓跌價約達3成以上，相當于從年初高點下跌約達50%，由于終端備貨消極，晶圓廠報價持續探底，市場預估第4季NAND晶圓價格跌幅將再季減20%。
2022-11-01 12:36:27887 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術幾十年發展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構，存儲密度隨時間呈指數
2022-11-25 14:57:352730 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 SuperViewW1白光3D輪廓測量儀適配芯片制造生產線，致力于滿足時下半導體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測量需求，助力半導體行業發展。
2022-12-19 15:44:511608 
最近，三星集團援引業界有關負責人的話表示，計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015 據悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數據的3d nand閃存。該公司開發了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 W系列白光3D輪廓測量儀適配芯片制造生產線，致力于滿足時下半導體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測量需求，助力半導體行業發展。
2022-12-19 09:16:291 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
來源：天成先進 2024年12月30日，天成先進12英寸晶圓級TSV立體集成生產線正式投產! 本次投產聚焦三大類型，共計六款產品，產品基于天成先進“九重”晶圓級三維集成技術體系，圍繞“縱橫(2.5D
2025-01-02 10:54:221466 一、引言
隨著半導體技術向小型化、高性能化發展，3D 集成封裝技術憑借其能有效提高芯片集成度、縮短信號傳輸距離等優勢，成為行業發展的重要方向 。玻璃晶圓因其良好的光學透明性、化學穩定性及機械強度
2025-10-14 15:24:56317 
在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 電子發燒友網報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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