過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。MRAM雖然還沒有真正量產，但技術上讀寫速度已達20ns，甚至略優于DRAM，前景看好。

這些新技術的推進，打破原先的產業格局，每家廠商都想搶得先機，鴨子劃水般的投資暗暗給全球半導體業帶來重大的改變。不僅原本的存儲器大廠虎視眈眈，晶圓代工大廠不會缺席，國內也想彎道超車。

2018年前十大半導體業者營收預估

至于誰會領先達陣？當DRAM因為技術極限而可能成為消費商品時，倚賴政府投資的半導體大廠能否后來居上，而在智財權的緊箍咒下，國內如何成為多元應變的“孫猴子”呢？這些都是2019年觀察產業的重點。

全球半導體產值預估

存儲器與晶圓代工產業跨界經營

由于DRAM最新工藝轉換不易，服務器等需求依然暢旺，Mobile DRAM的裝載量持續擴大，都給2018年DRAM的商機帶來足夠的支撐。3D NAND的多層化，既是進入障礙也是商機的來源，但非存儲器的商機仍然占了半導體市場的65.5%。如果瞄準未來的市場，CMOS影像傳感器(CIS)、行動AP與車聯網等三大需求依舊是市場的保證。

更重要的是臺積電稱雄晶圓代工業，自然會多元耕耘，不讓他人染指。但三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)都有分散業務過度集中于存儲器的策略，國內的IC設計業也開始超車，系統IC與晶圓代工的競爭依然波濤洶涌。

2017年全球存儲器市場為1,303億美元，比2016年的713億美元暴增82.6%，估計2018年仍維持26.3%的成長率。在市場的驅動下，韓國兩大存儲器體業者的資本支出也持續擴大，直到2018年底才出現減緩的趨勢。

另據SEMI資料，全球半導體材料市場將從2017年的247億美元，增加到2018年的278億美元，成長率12.7%。從2016年開始的半導體高峰期，延續到2018年底，半導體業者也順勢推舟，在資本支出上更進一步的提高。

對照存儲器業者2016年的資本支出為243億美元，2017年達到401億美元，2018年預估為440億美元，也可以理解全球的半導體產業正在投資的高峰期。但美中貿易是最大變數，2018年底三星的人事布局、擴張策略趨于保守，顯示主力大廠對于2019年的投資采謹慎態度。

全球DRAM仍處于寡占狀態

全球DRAM市場95%以上掌握在前三大廠手中，由于競爭相對緩和，主力大廠在2017年的資本支出，竟然比2016年減少3.8%。因服務器需求高于預期，新工藝轉換的過程難度也高于預期，而每臺設備所搭載的DRAM也相應提高，因此2018年的企業投資仍高于往年。

2018年起，三星量產1ynm(10nm中段級技術)，由于難度比1xnm(10nm級后段技術)高出不少，因此在工藝轉換上比原先預計的要長。SK海力士也將從2017年下半開始前進1xnm的工藝，2018年下半期起比重便顯著增加，也進入了1ynm等級的工程技術。

在這種背景下，三星曾明確的表達擴大投資的計劃構想，而SK海力士原先計劃在2019年啟動的增產計劃，也提前到2018年下半。

在手機市場上，Mobile DRAM受限于手機市場飽和之苦，但即將來臨的5G商機、手機游戲、AR/VR、4K影像、智慧城市等領域都將帶來龐大的機會。手機搭載DRAM平均容量從3GB起跳，2019年甚至上看10GB；2018年出貨的iPhone Xs已使用每層4GB的雙層DRAM架構。

美日韓對決96層3D NAND

相較于DRAM的積極投資，韓國雙雄在NAND的投資反而保守。關鍵在于DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND并非寡占狀態，三星必須積極投資，而SK海力士也必須力爭上游。所以各廠的投資都很積極，并往3D多層化的方向進展。

NAND同樣必須以良率在市場上競爭，加以十分耗電，因此小面積、大容量便成為競爭關鍵。2D的NAND在10xnm階段便遭遇技術壓力，因此三星、東芝(Toshiba)都向3D發展。相較于2017年，三星2018年的資本支出會少一點點，但比起往年仍是大幅成長，而SK海力士、美光(Micron)則是積極回應市場的需求。

目前三星以64層NAND為主力，2018年下半推進到96層，2019年初便會進展到128層。另外，英特爾(Intel)與美光也在2018年上半進入96層的技術規格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。

為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆疊技術上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產技術已經完全克服，而64層的產品在總產量中的比重也將持續提高，借以取得更好的競爭優勢。

排名第二的東芝也與技術合作伙伴威騰(WD)合作名為“BiCS4”的96層3D NAND技術，這是東芝的戰略武器。此外，與英特爾合作的美光，也發表了96層技術順利進展的消息，并發表第一款單芯片容量超過1TB的QLC新產品，而稍微落后的SK海力士則以2018年底完成技術研發，2019年量產為推進的進度。

從64層一路往上提升到96層，并劍指128層的技術，關鍵就在于存儲容量的提高，但相對的也必須面對包括控制IC在內的技術更新，而一旦存儲量提高，也可能會有使用壽命縮短的問題，透過控制IC也可以適度的延長壽命。

近期存儲器需求看淡 設備投資恐遞延

存儲器價格下滑、數據中心的需求也有減緩的跡象，三星、SK海力士都出現縮小2019年半導體投資的征候。原先計劃進駐平澤的三星第二層DRAM工廠的設備時間延后，SK海力士也將新設備的進駐時間從2019年上半延遲到2019年下半，此為韓廠正在盤算的重要議題。

目前SK海力士正在興建的是C2 Fab廠，該廠的4萬片產能如期進駐，但之后的6萬片似乎仍有疑慮。此外，SK海力士預計在利川興建的F16工廠，原計劃是2020年10月完工，除了這兩個新廠的計劃之外，SK海力士顯然以目前的工藝轉換、升級為主要的任務。

除了必要的工藝轉換投資之外，三星對于新廠的投資計劃趨于保守，除了平澤2萬張的晶圓產能的DRAM設備展延，西安工廠的NAND工廠擴廠計劃也有暫緩的跡象。韓國業界人士認為，三星乃根據市場需求狀況，延后到2019下半才開始啟動生產設備進駐的作業，而全年的設備采購金額，也會少于原來的估計。

IC Insights最新報告指出，三星2018年的總投資金額為226.2億美元，估計2019年會減少到180億美元，比2018年減少20%左右，而SK海力士2019年估計投資金額為100億美元，比2018年減少22%。

對半導體產業的短中長期展望而言，2019年下半開始的5G手機，人工智能與新世代的微處理器，都會帶動存儲器的需求，而未來的自駕車、數據中心的需求，都是非常令人期待的商機。

非存儲器市場的商機可期

2018年全球4,780億美元的半導體市場，其實有65.5%來自非存儲器市場，但韓國擅長存儲器，在非存儲器領域的市占率不到5%，不僅不如英特爾的20.3%，也不如高通(Qualcomm)的6.8%，甚至遠遠落后兩岸半導體同業。

2017年5月，三星將內部的系統半導體事業(System LSI)中的晶圓代工部門獨立，同時從事IC設計和晶圓代工；SK海力士也加碼投資，并將部分產能移往無錫，希望爭取國內市場的商機。

在晶圓代工市場，***地區業者掌握7成商機，韓國業者近兩年才急起直追，并將存儲器生產線轉換為非存儲器。三星在晶圓代工的市占率為8%，目前三星的非存儲器營收僅占7.1%，但占有技術優勢，主流技術為14/10nm，目前正朝8/4nm的新目標邁進，預期貢獻值也將提高。

其次，韓國業者向來關注CIS市場，而應用處理器(AP)的商機更被期待。SK海力士即將目標放在CIS與DDI、PMIC等領域。雖然目前對營收的貢獻很低，但SK海力士寄望5G與物聯網集成存儲器的商機浮現。單以CIS而言，目前手機市場貢獻73%，有11.5%來自國防航天產業，而5.5%則是汽車。

2014年雙鏡頭手機比重為74.5%，估計在2018年時達88%，甚至三鏡頭也會有4.8%的貢獻。2019年5G手機上市時，三星預告會有正面雙鏡頭、背面4鏡頭的產品。2014年車用CIS賣掉2.7億顆，到2020年時可達7.9億顆，年均成長率達20%以上。在CIS市場上，Sony市占率45%，三星以16%居次。

AP市占率以高通42%最高，其次依序為蘋果20%、聯發科14%、三星11%與海思8%。三星在EUV設備的加持下，市占率仍有上揚的空間。過去客戶都擔心相關技術流出，因此不愿將訂單交給三星，逼得三星將晶圓代工事業部獨立，借以改善這種不利的狀況。展望未來，智慧城市、智能家庭、車聯網等商機浮現，AP商機也將水漲船高。

車用半導體規模2017年時為357億美元，估計2023年時達535億美元，CAGR是18%，其中先進駕駛輔助系統(ADAS)相關從2017年的35億美元，增加到2023年的103億美元，年均成長率(CAGR)高達19%，更是大家關注的焦點。三星除了斥資買下Harman，近期也與奧迪(Audi)簽約代工生產半導體，便是看準了車用商機。目前一輛汽車約200~300顆IC，自駕車則約需2,000顆，未來商機可期。