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電子發燒友網>存儲技術>南亞科自研10nm DRAM DRAM產品可持續微縮至少三個時代

南亞科自研10nm DRAM DRAM產品可持續微縮至少三個時代

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2018-12-11 09:40:551196

DRAM市場仍供過于求價格持續下跌

19日出具調查報告指出,今年上半年DRAM市場仍供過于求,價格持續下跌,不僅本季價格跌幅將超過二成,下季仍持續看跌15%,相當于上半年累計跌價幅度超過成,比市場原預期更悲觀,華邦、南亞等芯片廠,以及模組廠威剛、宇瞻等,營運將面臨下修壓力。
2019-02-22 09:20:122875

南亞啟動自主研發的10納米世代制程研發 將擴大辦理超過100人以上的研發人才招募

今年以來DRAM價格持續下跌,DRAM南亞今年獲利表現恐不如去年好。為了維持穩定獲利,南亞將朝向優化產品組合方向調整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產品比重。此外,南亞已取得美光的1x/1y納米制程技術授權選擇權,并啟動自主研發的10納米世代制程研發。
2019-03-01 16:30:254592

南亞表示近期服務器用DRAM需求已經反彈 下半年仍有產業旺季效應可期

DRAM大廠南亞總經理李培瑛表示,近期服務器用DRAM需求已經反彈,此舉將幫助第二季DRAM市況優于首季,下半年轉好。
2019-03-05 17:30:134818

星宣布開發出業內首款基于第10nm級工藝的DRAM內存芯片

3月21日,星電子宣布開發出業內首款基于第10nm級工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16月。
2019-03-21 16:43:083840

星突破DRAM的擴展極限 成功研發10nm級DDR4內存

,動態隨機存取存儲器)。開始批量生產第二代10nm級(1y-nm)8Gb DDR4以來僅僅16月,星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發1z-nm 8Gb DDR4,說明星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:542123

星電子將開發首款基于第10nm級工藝DRAM內存芯片,下半年量產

星電子宣布開發出業內首款基于第10nm級工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16月。
2019-03-24 11:36:164320

星第10nm工藝DDR4內存下半年量產

關鍵詞:DRAM , DDR4 星電子宣布開發出業內首款基于第10nm級工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16月。量產時間
2019-03-29 07:52:01592

南亞表示下半年DRAM還是會比上半年好 并長期看好DRAM多元化應用

DRAM南亞昨日舉行股東會,總經理李培瑛會后受訪表示,第2季DRAM市況已看到會比第1季好,第3季又會比第2季稍好,合約價跌幅會比現貨價??;整體而言,隨著旺季到來,下半年DRAM還是會比上半年好。
2019-05-31 16:58:212780

星首次開發出第10nmDRAM高級存儲器

星電子有限公司(Samsung Electronics)在其官網上發布消息,該公司正式宣布,首次開發了第10nm 制程工藝(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取存儲器)。
2019-09-27 17:23:291500

南亞李培瑛宣布已完成自主研發10納米級DRAM技術 預計2020下半年陸續進入產品試產

南亞總經理李培瑛近日宣布,已完成自主研發10納米級DRAM技術。
2020-01-13 15:16:102666

出貨100萬 星業界首款EUV DRAM推出

星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經出貨100萬業界首款10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動終端、企業級服務器等等應用領域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848

星將EUV技術應用于新型DRAM產品中,并實現量產

韓國星電子于25日宣布,已經成功出貨100 萬極紫外光刻技術(EUV)生產的業界首款10nm級DDR4 DRAM 模組,將為高端PC、移動設備、企業服務器和數據中心應用等提供更先進EUV制程技術產品,開啟新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880

預計2021年整體DRAM價格可望逐步向上

美國記憶體大廠美光(Micron Technology Inc.)股價大漲4.53%再攀新高,第一季開始,DRAM合約價預期將開始止跌回升,南亞(2408)可望受惠,今股價續攻上90元。 美光
2021-01-06 17:43:452693

美光量產并出貨1αnm DRAM內存芯片 功耗降低15%

的工藝節點都不使用明確的數字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先進,或者說1xnm比較接近20nm,1αnm則更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工藝適用于各種不同的內存芯片,尤其適用于最新旗艦手機標配的LPDDR5,相比于1z工藝可以將容量密度增加多達40%,同時還能讓功耗降低15%
2021-01-27 17:28:332298

英特爾三個工廠正在全速生產 10nm 芯片

根據外媒 TechPowerUp 的消息,為了應對巨大的客戶需求,英特爾在過去幾年里將其 14 納米和 10 納米的生產能力增加了一倍。英特爾產品現正逐漸轉向 10nm,目前全球共有三個工廠正在全速
2020-12-24 14:58:132323

SK海力士已開始安裝EUV光刻機,以量產10nm 1a DRAM

據etnews報道,SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機,以量產10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內在M16廠建設產線以生產下一代DRAM,不過并未透露
2021-01-20 18:19:202943

美光全球首創1αnm DRAM內存芯片

美光今天宣布,已經開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內存芯片,這也是迄今為止最先進的DRAM工藝,明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

星將中斷12nm DRAM芯片開發,直接跨入11nm

廠商都專心研究28nm DRAM芯片時,星同樣跨過了28nm,直接開始研發25nm工藝,最終取得了成功。 這次星同樣想靠彎道超車來與其他廠商拉開差距,占據行業領先地位。星計劃在6月完成11nm DRAM芯片的開發工作。 綜合整理 比特網 萬仟網 中文科技資訊 審核編輯
2022-04-18 18:21:582244

南亞預估2022年Q4 DRAM市場

%。其中生產設備資本支出降幅約四成。 ? 展望2022第四季度DRAM市場供需,南亞表示,全球性總體經濟面臨衰退,受高通膨、升息、俄烏戰爭、封控等負面因素電子產品市場需求疲弱,部分終端客戶庫存逐步去化。 ? 供應商庫存增加,部分供應商調降資本支出,整體市
2022-10-19 14:16:082408

DRAM的范式轉變歷程

DRAM制造技術進入10nm世代(不到20nm世代)已經過去五年了。過去五年,DRAM技術和產品格局發生了巨大變化。因此,本文總結和更新了DRAM產品、發展和技術趨勢。
2023-11-25 14:30:152892

星與美光擬提DRAM價格,以求盈利回暖

部分存儲模組廠已接到星通知,要求明年年初至少DRAM價格上調15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預計后者將會持續上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:211562

DRAM價格上漲因存儲巨頭減產,供需緊張料持續至年底

據報道,近期星宣布明年第一季度起,DRAM價格將上漲至少15%;盡管NAND閃存漲價跡象尚不明顯,但預測同樣存在跟進上漲的可能。據IT之家引用集邦觀點預計,DRAM價格漲勢將持續至2024年末。
2024-01-03 14:31:031462

星電子:2025年步入3D DRAM時代

據分析師預測,DRAM行業將于2030年前縮減工藝至10nm以下,然而當前的設計已無法在此基礎上進行延伸,故而業內開始尋求如3D DRAM等新型存儲器解決方案。
2024-04-03 15:48:251077

SK海力士引入創新MOR技術于DRAM生產

SK海力士在半導體領域再次邁出創新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nmDRAM的生產中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產工藝。
2024-05-30 11:02:581506

北京君正預計年底推出21nm DRAM產品

和20nm的研發工作。預計21nmDRAM產品將于今年年底推出,而20nm產品則有望在明年中前后上市。此外,公司還表示將持續進行更新工藝的產品研發,以保持技術領先。
2024-11-12 14:27:051737

南亞科技與補丁科技攜手開發定制超高帶寬內存

Memory)的開發。 此次合作將充分融合南亞科技在10nmDRAM技術領域的深厚積累,以及補丁科技在定制內存產品設計方面的卓越能力。雙方將強強聯手,共同打造出針對AI與邊緣應用需求的高附加值、高性能、低功耗的定制超高帶寬內存解決方案。 這一戰略合作的達成,標志著南亞科技與補丁科技在內存技
2024-12-20 14:28:171003

星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰

近日,據韓媒最新報道,星電子在面對其12nmDRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀,星決定在優化現有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071411

星否認重新設計1b DRAM

據DigiTimes報道,星電子對重新設計其第五代10nmDRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,星電子內部為解決12nmDRAM內存產品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

星電子否認1b DRAM重新設計報道

據報道,星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nmDRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發了業界對星電子內存產品策略的新一輪關注。 此前有報道指出,星電子為應對其12nm
2025-01-23 15:05:11923

DRAM價格下滑趨勢預計持續至第季度

據市場研究機構Omdia于2月7日發布的最新數據,DRAM市場價格正面臨持續的下滑趨勢,這一趨勢預計至少持續到今年第季度。導致這一狀況的主要原因是IT產品需求疲軟以及中國公司供應量的增加。
2025-02-10 17:30:40968

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