最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數百分比；DDR5價格上漲個位數百分比。據稱 DDR4 上調 20%，DDR5 上調約 5%。

除了三星，SK海力士、美光此前也傳出漲價的消息。據供應鏈人士透露，海力士DRAM（消費級）顆粒（Memory Chip/Die）價格已上漲約12%。

而美光率先于2025年第二季度對DRAM內存合約價上調10-12%，并已通知對部分存儲產品（如DRAM內存和SSSD固態硬盤等）征收與關稅相關的附加費。

最近諸多信息顯示，存儲器價格跌勢結束，在2025年一季度和第二季度，價格開始企穩反彈。NAND閃存原廠閃迪在3月6日也向渠道發布了閃存價格上調通知，該公司從4月1日開始實施價格上漲，這些漲幅將超過10%，并適用于所有面向渠道和消費者客戶的產品。

閃迪官方在文件中稱，存儲行業的供需關系即將過渡到供不應求的狀態，這與關稅變動一同影響了閃迪的供應能力并增加了該企業的運營成本，因此作出了價格調漲的決定。閃迪還提到該企業將繼續頻繁進行定價審查，且認為在接下來的幾個季度中還會有更多的漲價。

另外，國內廠商長江存儲旗下零售品牌致態此前也透露，或從2025年4月起上調渠道提貨價格，漲幅可能超10%。國內多家存儲芯片原廠的價格也在上漲，包括兆易創新、東芯股份、江波龍等廠商的部分產品。其中，小容量NAND是這一輪漲價里最先有反應的品類。

這一輪價格上漲首先源于供需關系的變化，近期，由于全球IT設備制造商庫存緊張，以及AI、云計算、5G等技術的快速發展，對高性能存儲芯片的需求激增。存儲芯片制造商為應對市場需求，紛紛進行產能結構性調整，減少對傳統制程產品的生產，增加對先進制程產品（如DDR5、HBM等）的投入，導致部分存儲芯片供應緊張。

其次源于技術升級需求，隨著AI技術的不斷迭代升級，對存儲芯片的性能要求也越來越高。高帶寬存儲器（HBM）等高端存儲芯片的需求迅速增長，推動了存儲芯片市場的整體價格上漲。存儲芯片制造商為保持市場競爭力，不斷加大研發投入，推動技術升級和產品迭代，這也增加了生產成本，進而傳導至產品價格。

還有就是源于地緣政治因素，美國對華半導體出口限制及關稅政策的影響，導致全球供應鏈緊張局勢持續。為規避供應鏈風險，部分企業提前鎖定存儲芯片訂單，進一步加劇了市場供需失衡。