10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。

這款實現(xiàn)了單一芯片標準內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。于第二代1Y產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的生產(chǎn)效率提高了27%，并且可以在不適用超高價的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進行生產(chǎn)，結(jié)果具有成本競爭力。

該款1Z納米 DRAM還穩(wěn)定支持最高3200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，這是DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度。 功耗也顯著提高，與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比，將功耗降低了約40％。

特別是，第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關(guān)鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進了新的設(shè)計技術(shù)，提高了動作穩(wěn)定性。

DRAM 1Z 開發(fā)事業(yè)TF長 李廷燻表示：“第三代10納米級DDR4 DRAM擁有業(yè)界最高水平的容量和速度， 再加上功耗， 是最適合于購買高性能/高容量DRAM的客戶需求變化。計劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn)，從明年開始正式供應(yīng)， 積極應(yīng)對市場需求。”

另一方面，SK海力士計劃對于下一代移動DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多種應(yīng)用領(lǐng)域擴大適用第三代10納米級微細工程技術(shù)。