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美光宣布已量產(chǎn)全球首款232層NAND 帶來前所未有的性能

Micron美光科技 ? 來源:Micron美光科技 ? 作者:Micron美光科技 ? 2022-07-28 09:49 ? 次閱讀
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上海 — Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù),從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比,該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效,能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。

美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示:“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴展到超過 200 層,可謂存儲創(chuàng)新的分水嶺。此項突破性技術(shù)得益于廣泛的創(chuàng)新,包括創(chuàng)建高深寬比結(jié)構(gòu)的先進工藝能力、新型材料的進步,以及基于美光市場領(lǐng)先的 176 層 NAND 技術(shù)所進行的進一步設(shè)計創(chuàng)新。”

領(lǐng)先技術(shù)鑄就卓越性能

隨著全球數(shù)據(jù)量的增加,客戶必須擴大存儲容量,提升性能,同時降低能耗,并滿足對環(huán)境可持續(xù)發(fā)展更為嚴(yán)格的要求。美光 232 層 NAND 技術(shù)提供了必要的高性能存儲,支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用所需的先進解決方案和實時服務(wù),同時還可在移動設(shè)備、消費電子產(chǎn)品和 PC 上實現(xiàn)快速響應(yīng)和沉浸式體驗。

美光還在該技術(shù)節(jié)點上實現(xiàn)了業(yè)界最快的 NAND 輸入/輸出(I/O)速度1(每秒2.4GB),以滿足低延遲和高吞吐量的需求,適用于人工智能機器學(xué)習(xí)、非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)庫和實時分析,以及云計算等數(shù)據(jù)密集型工作負載。該 I/O 速度比美光在 176 層節(jié)點上所支持的最高速度還要快50%2。

相比上一代產(chǎn)品,美光 232 層 NAND 的每顆裸片寫入帶寬提升至高100%,讀取帶寬提升至少 75%2。這些優(yōu)勢提升了 SSD嵌入式 NAND 解決方案的性能和能效。

此外,美光 232 層 NAND 還是全球首款六平面 TLC 量產(chǎn) NAND3。與其他 TLC 閃存相比,該產(chǎn)品在每顆裸片上擁有最多的平面數(shù)量3,且每個平面都具有獨立的數(shù)據(jù)讀取能力。高 I/O 速度和低讀寫延遲,以及美光的六平面架構(gòu),使其可在多種配置中提供一流的數(shù)據(jù)傳輸能力。該結(jié)構(gòu)可確保減少寫入和讀取命令沖突,推動系統(tǒng)級服務(wù)質(zhì)量的提升。

美光 232 層 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的量產(chǎn)技術(shù)。NV-LPDDR4 是一種低壓接口,與此前的 I/O 接口相比,每比特傳輸能耗可降低至少 30%。因此,232 層 NAND 解決方案可實現(xiàn)高性能與低功耗平衡,是移動應(yīng)用以及數(shù)據(jù)中心和智能邊緣領(lǐng)域部署的理想之選。此外,該接口還可向后兼容,支持傳統(tǒng)控制器和系統(tǒng)。

232 層 NAND 緊湊的外形規(guī)格還便于客戶進行靈活設(shè)計,同時實現(xiàn)超越歷代產(chǎn)品的每平方毫米最高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm2)3。其面密度比當(dāng)今市場上的 TLC 競品高 35% 到 100%3。它還采用全新的 11.5mm x 13.5mm 封裝規(guī)格,較前幾代產(chǎn)品的封裝尺寸小 28%2,使其成為目前市場上尺寸最小的高密度 NAND3。該產(chǎn)品兼具小體積和高密度,因此占用更小的電路板空間,適用于各類部署。

下一代 NAND 助力整個市場實現(xiàn)創(chuàng)新

美光首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示:“美光持續(xù)率先上市更高堆疊層數(shù)的 NAND,實現(xiàn)移動設(shè)備更長的電池續(xù)航和更緊湊的存儲空間,提升云計算性能,加快 AI 模型的訓(xùn)練速度,從而能夠保持長期的技術(shù)領(lǐng)先地位。美光 232層 NAND 為端到端存儲創(chuàng)新確立了新基準(zhǔn),助推多個行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型。”

232 層 NAND 的開發(fā)得益于美光領(lǐng)先業(yè)界的研發(fā)和制程技術(shù)進步。這些突破性技術(shù)將幫助客戶在數(shù)據(jù)中心、輕薄筆記本電腦、新型移動設(shè)備和智能邊緣等領(lǐng)域打造更多創(chuàng)新解決方案。

供貨情況

美光 232 層 NAND 目前已在其新加坡晶圓廠實現(xiàn)量產(chǎn),并首先以組件形式通過英睿達(Crucial)SSD 消費類產(chǎn)品線向客戶出貨。其他產(chǎn)品信息及供貨狀況將在稍后公布。

美光位于新加坡的 NAND 卓越中心因其在智能制造領(lǐng)域的優(yōu)秀運營能力而被世界經(jīng)濟論壇列入其全球燈塔工廠網(wǎng)絡(luò)。先進的 AI 工具、智能控制系統(tǒng)和預(yù)測能力使美光能夠加速產(chǎn)品開發(fā),強化產(chǎn)品質(zhì)量,更快提升良率,從而縮短產(chǎn)品上市時間。

審核編輯:彭靜
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原文標(biāo)題:美光出貨全球首款232層NAND,進一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位

文章出處:【微信號:gh_195c6bf0b140,微信公眾號:Micron美光科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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