上海 — Micron Technology， Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產全球首款 232 層 NAND。它采用了業界領先的創新技術，從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產品擁有業界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。

美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過 200 層，可謂存儲創新的分水嶺。此項突破性技術得益于廣泛的創新，包括創建高深寬比結構的先進工藝能力、新型材料的進步，以及基于美光市場領先的 176 層 NAND 技術所進行的進一步設計創新。”

領先技術鑄就卓越性能

隨著全球數據量的增加，客戶必須擴大存儲容量，提升性能，同時降低能耗，并滿足對環境可持續發展更為嚴格的要求。美光 232 層 NAND 技術提供了必要的高性能存儲，支持數據中心和汽車應用所需的先進解決方案和實時服務，同時還可在移動設備、消費電子產品和 PC 上實現快速響應和沉浸式體驗。

美光還在該技術節點上實現了業界最快的 NAND 輸入/輸出（I/O）速度1（每秒2.4GB），以滿足低延遲和高吞吐量的需求，適用于人工智能和機器學習、非結構化數據庫和實時分析，以及云計算等數據密集型工作負載。該 I/O 速度比美光在 176 層節點上所支持的最高速度還要快50%2。

相比上一代產品，美光 232 層 NAND 的每顆裸片寫入帶寬提升至高100%，讀取帶寬提升至少 75%2。這些優勢提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能效。

此外，美光 232 層 NAND 還是全球首款六平面 TLC 量產 NAND3。與其他 TLC 閃存相比，該產品在每顆裸片上擁有最多的平面數量3，且每個平面都具有獨立的數據讀取能力。高 I/O 速度和低讀寫延遲，以及美光的六平面架構，使其可在多種配置中提供一流的數據傳輸能力。該結構可確保減少寫入和讀取命令沖突，推動系統級服務質量的提升。

美光 232 層 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的量產技術。NV-LPDDR4 是一種低壓接口，與此前的 I/O 接口相比，每比特傳輸能耗可降低至少 30%。因此，232 層 NAND 解決方案可實現高性能與低功耗平衡，是移動應用以及數據中心和智能邊緣領域部署的理想之選。此外，該接口還可向后兼容，支持傳統控制器和系統。

232 層 NAND 緊湊的外形規格還便于客戶進行靈活設計，同時實現超越歷代產品的每平方毫米最高的 TLC 密度（14.6 Gb/mm2）3。其面密度比當今市場上的 TLC 競品高 35% 到 100%3。它還采用全新的 11.5mm x 13.5mm 封裝規格，較前幾代產品的封裝尺寸小 28%2，使其成為目前市場上尺寸最小的高密度 NAND3。該產品兼具小體積和高密度，因此占用更小的電路板空間，適用于各類部署。

下一代 NAND 助力整個市場實現創新

美光首席商務官 Sumit Sadana 表示：“美光持續率先上市更高堆疊層數的 NAND，實現移動設備更長的電池續航和更緊湊的存儲空間，提升云計算性能，加快 AI 模型的訓練速度，從而能夠保持長期的技術領先地位。美光 232層 NAND 為端到端存儲創新確立了新基準，助推多個行業的數字化轉型。”

232 層 NAND 的開發得益于美光領先業界的研發和制程技術進步。這些突破性技術將幫助客戶在數據中心、輕薄筆記本電腦、新型移動設備和智能邊緣等領域打造更多創新解決方案。

供貨情況

美光 232 層 NAND 目前已在其新加坡晶圓廠實現量產，并首先以組件形式通過英睿達（Crucial）SSD 消費類產品線向客戶出貨。其他產品信息及供貨狀況將在稍后公布。

美光位于新加坡的 NAND 卓越中心因其在智能制造領域的優秀運營能力而被世界經濟論壇列入其全球燈塔工廠網絡。先進的 AI 工具、智能控制系統和預測能力使美光能夠加速產品開發，強化產品質量，更快提升良率，從而縮短產品上市時間。