SK海力士擬將無錫C2工廠升級為第四代D-ram工藝，并引進EUV技術
據《首爾經濟日報》報道，SK海力士計劃于2024年前完成對其位于中國無錫C2工廠的改造工作，使之成為具備10納米級第四代（1a）D-ram技術的新生產線。此生產線目前占據Sk海力士D-RAM總產量的大約40%。
Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環節中的部分工藝流程，隨后將芯片運回韓國總部利川園區進行EUV處理，最后送回無錫工廠進行后續操作。盡管第四代產品僅需一層使用EUV工藝，但公司仍認為增加的成本是合理可承受的。
鑒于無錫工廠曾遭遇2013年火災導致D-RAM生產停滯，該公司為此積累了豐富的恢復重建經驗。而對于如何實施無錫工廠工藝轉型，SK海力士并未透露具體的運營計劃信息。
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