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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>中芯國(guó)際將在2019年量產(chǎn)14納米FinFET,并勾勒28納米三階段藍(lán)圖

中芯國(guó)際將在2019年量產(chǎn)14納米FinFET,并勾勒28納米三階段藍(lán)圖

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上海市長(zhǎng)應(yīng)勇:國(guó)際14nm今年量產(chǎn)

上海市市長(zhǎng)應(yīng)勇表示:“加快落實(shí)集成電路、人工智能、生物醫(yī)藥等產(chǎn)業(yè)政策,深入實(shí)施智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)等一批產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新工程,推動(dòng)國(guó)際、和輝二期等重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目加快量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)集成電路14納米生產(chǎn)工藝量產(chǎn),推進(jìn)昊海生物、ABB機(jī)器人、盛美半導(dǎo)體等項(xiàng)目開(kāi)工建設(shè)”,其中國(guó)際14nm工藝的量產(chǎn),最受關(guān)注。
2019-01-28 09:55:502325

國(guó)際在國(guó)內(nèi)推出首個(gè)14nm FinFET工藝風(fēng)險(xiǎn)產(chǎn)品

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造商國(guó)際(SMIC)于8月8日宣布,已開(kāi)始使用FinFET工藝生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片,計(jì)劃在2019底前將其市場(chǎng)化。 這是該公司2019第二季度財(cái)務(wù)報(bào)告公布的內(nèi)容,其聯(lián)合首席執(zhí)行官趙
2019-08-20 09:25:017452

中國(guó)第一條FinFET生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始批量生產(chǎn)14 nm FinFET芯片

生產(chǎn)線(xiàn)比其他代工廠的生產(chǎn)線(xiàn)要小得多。 國(guó)際的前代制造技術(shù)為28納米,因此14納米工藝切實(shí)提高了晶體管密度,提高了性能,降低了功耗,這自然使該公司能夠生產(chǎn)更復(fù)雜,更昂貴的芯片,而這些芯片原本可以外包給更大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。 目前,國(guó)際在其300毫米晶
2019-11-19 10:40:267769

28納米14納米技術(shù)打頭陣!中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)高速增長(zhǎng),本土芯片廠商機(jī)會(huì)大

的高增長(zhǎng)主要集中在28納米14納米和16納米FinFET技術(shù),這個(gè)趨勢(shì)在2020到2024都會(huì)持續(xù)下去。
2021-08-25 08:50:198824

反擊Altera 賽靈思2014量產(chǎn)16納米FPGA

面對(duì)Altera采用英特爾(Intel)14納米門(mén)極電晶體(Tri-gate Transistor)制程,并將于2016量產(chǎn)14納米FPGA的攻勢(shì),賽靈思于日前發(fā)動(dòng)反擊,將攜手臺(tái)積電采用16納米FinFET制程,搶先于2014推出新一代FPGA。
2013-05-31 09:29:541467

長(zhǎng)電14納米硅片凸塊量產(chǎn) 彎道超車(chē)新機(jī)遇?

長(zhǎng)電半導(dǎo)體有限公司28日在江陰宣布正式開(kāi)始為美國(guó)高通公司提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工。這標(biāo)志著長(zhǎng)電成為中國(guó)大陸第一家進(jìn)入14納米先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的半導(dǎo)體公司。
2016-08-02 13:45:431276

GF技術(shù)長(zhǎng):7納米全球四強(qiáng)爭(zhēng)霸,10納米制程性?xún)r(jià)比不佳

我們的FinFET制程分為兩個(gè)世代,包括14納米和7納米。過(guò)去我們的14納米是和星電子(Samsung Electronics)合作,在7納米上我們選擇不同技術(shù),加上收購(gòu)IBM資產(chǎn)后,我們的研發(fā)資源變廣,因此決定自己開(kāi)發(fā)7納米制程技術(shù)。
2016-11-03 09:17:281902

國(guó)際宣誓進(jìn)入7納米 華米采購(gòu)國(guó)產(chǎn)芯片100萬(wàn)顆

揮發(fā)性存儲(chǔ)器(eNVM)等芯片技術(shù),已準(zhǔn)備好65、55、40及28納米等制程技術(shù)平臺(tái)備戰(zhàn)。在7納米制程,現(xiàn)在業(yè)界領(lǐng)先的臺(tái)積電、星已經(jīng)陸續(xù)會(huì)在2018推出量產(chǎn)計(jì)劃,國(guó)際追趕之心不弱。在可穿
2017-03-17 08:54:067914

老邢點(diǎn)評(píng):國(guó)際上半年28納米營(yíng)收同比增長(zhǎng)13.8倍

主流智能手機(jī),開(kāi)啟了28納米先進(jìn)制程手機(jī)芯片落地中國(guó)的新紀(jì)元。今年中國(guó)際28納米制程營(yíng)收占比也持續(xù)提升。上半年,國(guó)際來(lái)自28納米的收入已經(jīng)增長(zhǎng)至占晶圓總收入的5.8%,較2016同時(shí)期增長(zhǎng)已達(dá)13.8倍。 2.與英特爾、星、臺(tái)積電的最先
2017-09-05 09:00:002148

為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)

12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能,同時(shí)滿(mǎn)足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比,電路密度提高
2017-09-25 16:12:369306

星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET2019量產(chǎn)

制程進(jìn)度,共同執(zhí)行長(zhǎng)趙海軍表示,先進(jìn)制程14納米FinFET將于2019量產(chǎn),第二代28納米HKMG制程也會(huì)于2018底問(wèn)世,外界都睜大眼睛等著檢視成績(jī)單。 國(guó)際15日的線(xiàn)上法說(shuō)中,仍是由趙海軍主持會(huì)議,梁孟松僅簡(jiǎn)短發(fā)言,代表加入新團(tuán)隊(duì)后的首次現(xiàn)“聲”,也滿(mǎn)
2017-11-27 16:29:531679

國(guó)際14納米FinFET研發(fā)完成,良率達(dá)到95%

根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息指出,中國(guó)大陸最大的晶圓代工廠國(guó)際,目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)。因此,距離2019正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)了。
2018-06-15 14:09:469752

國(guó)際上半年?duì)I收17.22億美元 14納米FinFET技術(shù)獲重大進(jìn)展

8月30日,國(guó)際發(fā)布2018年中期業(yè)績(jī),收入同比增長(zhǎng)11.5%至17.22億美元;毛利同比增長(zhǎng)5.6%至4.38億美元。國(guó)際14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展。國(guó)際的第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段
2018-08-31 14:44:336228

華為、嘉楠相繼轉(zhuǎn)單,國(guó)際14nm工藝如何助力國(guó)產(chǎn)替代?

4月以來(lái),國(guó)際好消息不斷,業(yè)內(nèi)人士稱(chēng),國(guó)際與嘉楠科技合作的14nm挖礦機(jī)芯片已經(jīng)完成測(cè)試,計(jì)劃在2020第二季度量產(chǎn)出貨。此外,華為海思1月份給國(guó)際下單,最近業(yè)內(nèi)傳出,華為旗下榮耀發(fā)表
2020-04-16 09:05:3614332

2013韓國(guó)首爾納米技術(shù)展NANO KOREA

)和韓國(guó)科學(xué)技術(shù)信息研究所(KISTI)承辦,從2003開(kāi)始舉辦,每年一屆,至今已經(jīng)成功的舉辦了10。同期將舉辦第六屆國(guó)際微型技術(shù) / 微機(jī)電系統(tǒng)展、第四屆激光技術(shù)展、第四屆印刷電子技術(shù)展和第
2013-02-24 13:52:34

三階段充電器的關(guān)鍵參數(shù)疑點(diǎn)

最近在研究蓄電池的充電 看了一些資料學(xué)習(xí)三階段充電。三階段充電:恒流 恒壓 浮充其中恒流階段充電器的輸出電壓是怎樣的?恒壓階段充電器的輸出電流是怎樣的?浮充階段充電器的輸出電流是怎樣的? 好像很多資料都沒(méi)提到“ 恒流 恒壓 浮充”的另外一個(gè)參數(shù),希望有經(jīng)驗(yàn)的師傅能夠解答 謝謝
2014-01-14 23:25:07

納米定位平臺(tái)跟納米平臺(tái)的區(qū)別是什么?

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2015-07-19 09:42:13

納米技術(shù)在生活的應(yīng)用

提到納米技術(shù),人們可能會(huì)覺(jué)得離自己好遠(yuǎn)。其實(shí)納米材料在幾個(gè)世紀(jì)前,就已經(jīng)在陶瓷釉和有色窗玻璃染色劑中使用。1990代末以來(lái),納米技術(shù)越來(lái)越多的投入到應(yīng)用。現(xiàn)在,全球各地的科學(xué)家和工程師都在對(duì)這個(gè)
2021-08-31 08:13:56

GF退出7納米大戰(zhàn) 國(guó)鼎立下中國(guó)路在何方

研發(fā)實(shí)力得到進(jìn)一步夯實(shí),正伺機(jī)而動(dòng)等待崛起之機(jī)。GF退出后,高端芯片將出現(xiàn)一定的市場(chǎng)缺口,這將成為中國(guó)爭(zhēng)搶市場(chǎng)份額的好時(shí)機(jī)。日前,7納米的中國(guó)制造捷報(bào)頻頻。***才宣布 14 納米FinFET
2018-09-05 14:38:53

[轉(zhuǎn)]臺(tái)積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾蘋(píng)果

蘋(píng)果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管升級(jí)版(FinFET Plus)將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn),搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝(InFO WLP)的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù),在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16

什么是納米

什么是納米?為什么制程更小更節(jié)能?為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2一次?
2021-02-01 07:54:00

關(guān)于蓄電池的三階段充電疑點(diǎn)

三段式充電:第一個(gè)階段叫恒流階段(即主充),第二個(gè)階段叫恒壓階段(即均充),第個(gè)階段叫涓流階段(即浮充)。在第一個(gè)階段充電電源給出恒定較大電流,此時(shí)電源怎么設(shè)置輸出電壓呢??很多三階段充電原理中都沒(méi)提到第一階段的充電電壓,小弟求解惑啊。。。。。。先拜謝了~~
2013-07-07 22:21:55

展訊將主打TD與WCDMA 將推出28納米LTE芯片

芯片而在未來(lái)產(chǎn)品規(guī)劃方面,李力游強(qiáng)調(diào),展訊將在智能手機(jī)領(lǐng)域有更多投入。此外,展訊將從2012開(kāi)始研發(fā)28納米芯片產(chǎn)品,以滿(mǎn)足未來(lái)LTE產(chǎn)品的使用需求。李力游表示,TD-LTE的運(yùn)算量會(huì)很大,40納米
2011-10-27 11:50:07

有精度可以真正達(dá)到納米納米位移計(jì)嗎?

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2015-08-26 10:41:07

環(huán)保納米新材料

,7項(xiàng)專(zhuān)利已經(jīng)受理,5項(xiàng)專(zhuān)利正在申請(qǐng)。目前擁有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、部分產(chǎn)品國(guó)際領(lǐng)先的生產(chǎn)工藝,高純超細(xì)氧化鋁、5n氧化鋁、超活性高純納米二氧化鈦、納米氧化鈦、高純納米氧化鋯、納米氧化鋁、納米氧化鋅、納米氧化鈰
2011-11-12 09:57:00

電子行業(yè)人士帶你入行之納米制程小白篇

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2016-12-16 18:20:11

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納米纖維的應(yīng)用前景怎么樣?

納米纖維是指具有納米尺度的碳纖維,依其結(jié)構(gòu)特性可分為納米碳管即空心碳納米纖維和實(shí)心碳納米纖維。
2019-09-20 09:02:43

英特爾將在2014推出14納米處理器芯片

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請(qǐng)問(wèn)14納米的ARM 處理器和14納米的X86移動(dòng)處理器那個(gè)更省電??

14納米的ARM 處理器和14納米的X86移動(dòng)處理器那個(gè)更省電??
2020-07-14 08:03:23

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2009-10-15 08:22:441035

國(guó)際力爭(zhēng)在2010實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

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2010-03-08 09:33:16741

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Spansion與國(guó)際宣布雙方將延伸目前的代工協(xié)議以擴(kuò)展目前的65納米代工產(chǎn)能,并將為Spansion制造其45納米閃存記憶體。
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臺(tái)積電TSMC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)28納米工藝的ARM處理器了。TSMC在2011第四季度開(kāi)始從28納米芯片獲得營(yíng)收,目前28納米工藝芯片占有公司總營(yíng)收的額5%。在今年晚些時(shí)候,TSMC將加速28納米芯片的生
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國(guó)際啟動(dòng)建設(shè)40-28納米集成電路生產(chǎn)線(xiàn)

  國(guó)際集成電路制造公司將與北京相關(guān)機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資72億美元,在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)建設(shè)兩條40-28納米12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)。前天,國(guó)際北京公司二期項(xiàng)目合作框架簽字儀
2012-05-17 08:36:421483

Cadence采用FinFET技術(shù)流片14納米芯片

14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551642

星宣布第2代14納米FinFET工藝技術(shù)投入量產(chǎn)

星于2015第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE (Low-Power Early) 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器,成為FinFET邏輯制程上的行業(yè)引領(lǐng)者。
2016-01-15 17:12:471303

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2016-02-17 14:00:302048

Cadence 與 SMIC 聯(lián)合發(fā)布低功耗 28納米數(shù)字設(shè)計(jì)參考流程

“我們與 Cadence 密切合作開(kāi)發(fā)參考流程,幫助我們的客戶(hù)加快其差異化的低功耗、高性能芯片的設(shè)計(jì),”國(guó)際設(shè)計(jì)服務(wù)中心資深副總裁湯天申博士表示,“Cadence創(chuàng)新的數(shù)字實(shí)現(xiàn)工具與國(guó)際28納米工藝的緊密結(jié)合,能夠幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將28納米設(shè)計(jì)達(dá)到更低的功耗以及更快的量產(chǎn)化。”
2016-06-08 16:09:563225

長(zhǎng)電將為高通提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工

電將為美國(guó)高通公司提供14納米硅片凸塊量產(chǎn)加工。這是長(zhǎng)電繼規(guī)模量產(chǎn)28納米硅片凸塊加工之后,中國(guó)企業(yè)首次進(jìn)入14納米先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
2016-08-04 11:42:231197

國(guó)際要研發(fā)更先進(jìn)制程工藝 臺(tái)積電一員大將可能加入國(guó)際

芯片代工行業(yè)的四大廠商之一。然而,目前,國(guó)際投入量產(chǎn)的最先進(jìn)的制程工藝是28納米PolySiON工藝。并且,國(guó)際仍需對(duì)高端的28納米HKMG工藝?yán)^續(xù)深入探究。臺(tái)積電、星、英特爾、格羅方德和聯(lián)華電子等半導(dǎo)體廠商都在爭(zhēng)相研發(fā)更先進(jìn)的制程工
2017-04-26 10:05:111269

國(guó)內(nèi)晶圓制造再獲突破!聯(lián)順利導(dǎo)入28納米制程

據(jù)報(bào)道,近日聯(lián)集成電路制造(廈門(mén))有限公司(下稱(chēng)“聯(lián)”)順利導(dǎo)入28納米制程量產(chǎn)。聯(lián)是由廈門(mén)市政府、聯(lián)電以及福建省電子信息集團(tuán)方合資新建的12寸晶圓代工廠,其28納米制程技術(shù)就來(lái)源于聯(lián)電。
2017-05-23 11:50:432226

交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即

加利福尼亞,圣克拉拉(20176月14日)—— 格今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù),其40%的跨越式性能提升將滿(mǎn)足諸如高端移動(dòng)處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等
2017-06-14 16:24:511311

國(guó)際推進(jìn)14納米產(chǎn)量_國(guó)際面臨本土市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)

國(guó)際14納米將正式啟動(dòng)大展拳腳。30日晚間,國(guó)際宣布,由中控股、國(guó)家“大基金”、上海集成電路基金共同注資“南方”。注資后,南方注冊(cè)資本增至35億美元,同時(shí)中南方未來(lái)也將肩負(fù)配合14納米及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃,打造月產(chǎn)能3.5萬(wàn)片12吋晶圓廠。
2018-02-01 10:58:308305

星曾落后于臺(tái)積電,想在6納米技術(shù)上加速前進(jìn)

星電子準(zhǔn)備調(diào)整鑄造技術(shù)藍(lán)圖2019下半年開(kāi)始量產(chǎn)6納米芯片。按照原來(lái)的計(jì)劃,星本打算在2019試產(chǎn)6納米芯片。在7納米技術(shù)上,星落后于臺(tái)積電,現(xiàn)在它想在6納米技術(shù)上加速前進(jìn)。
2018-03-14 16:41:425956

國(guó)際14納米制程獲重大進(jìn)展,已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段

8月9日,國(guó)際發(fā)布其2018第二季度報(bào)。公告顯示,國(guó)際第二季度不僅營(yíng)收、凈利雙增長(zhǎng),14納米制程更是獲得重大進(jìn)展!
2018-08-10 14:20:003005

國(guó)際將在2018下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝

國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露,國(guó)際將在2018下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
2018-05-14 14:52:006032

國(guó)際放大招-"14nm工藝晶圓2019量產(chǎn)"

的中上游重要組成部分,國(guó)際上一直處在半壟斷競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。臺(tái)積電、星、Intel等國(guó)際巨頭的晶圓工藝使他們科技力量的重要源泉。日前,國(guó)際傳來(lái)了中國(guó)晶圓好消息。 國(guó)際將在2018下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,借此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。 國(guó)際
2018-05-17 09:37:355724

國(guó)際向ASML預(yù)訂最昂貴和最先進(jìn)的芯片生產(chǎn)工具

國(guó)際仍在努力提升自己的28納米工藝技術(shù),曾在星電子公司和臺(tái)積電擔(dān)任高管的梁孟松,去年擔(dān)任國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官,他的加入將有助于國(guó)際開(kāi)發(fā)自己的14納米工藝技術(shù)。星電子公司和臺(tái)積電目前正競(jìng)相生產(chǎn)7納米工藝技術(shù)芯片。
2018-05-18 08:58:135079

宣布以7納米制程生產(chǎn)的AMD Zen2 架構(gòu)處理器將在2018底前亮相

之前跳過(guò) 20 納米及 10 納米制程節(jié)點(diǎn),直接進(jìn)入 14 納米及 7 納米制程節(jié)點(diǎn),14 納米制程穩(wěn)定量產(chǎn),而 7 納米制程預(yù)計(jì)在 2018 年底前量產(chǎn)。制程進(jìn)展從合作伙伴 AMD 得到的反應(yīng)都還不錯(cuò),可讓 AMD 的 Zen 2、Zen 3 架構(gòu)處理器按計(jì)劃執(zhí)行生產(chǎn)。
2018-05-18 15:27:085516

國(guó)際與一線(xiàn)陣營(yíng)代差巨大 如何擺脫“空”之痛?

中國(guó)最大的晶圓代工廠國(guó)際目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%。距離2019正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)了。但半導(dǎo)體人才儲(chǔ)備不足依然是國(guó)際面臨的重要問(wèn)題。
2018-06-25 14:39:004438

MLCC價(jià)格持續(xù)上漲,14nm制程量產(chǎn)提上日程

中國(guó)最大的晶圓代工廠國(guó)際目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%。距離2019正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)了。但半導(dǎo)體人才儲(chǔ)備不足依然是國(guó)際面臨
2018-07-11 14:47:001680

14納米FinFET制程良率達(dá)95%,預(yù)計(jì)2019量產(chǎn)

國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn),距離2019正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:524048

宣布將于2019大規(guī)模量產(chǎn)7納米制程,與臺(tái)積電同時(shí)供應(yīng)AMD

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),晶圓代工大廠格(Globalfoundries)技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton日前表示,格將在2018底推出7納米制程,并且將于2019大規(guī)模量產(chǎn)。Gary Patton指出,格
2018-08-06 11:01:003565

國(guó)際14納米FinFET制程開(kāi)始客戶(hù)導(dǎo)入

9日國(guó)際集成電路制造有限公司公布截至20186月30日止第二季度的綜合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)。國(guó)際第二季度銷(xiāo)售額為8.907億美元,與上一季度環(huán)比增長(zhǎng)7.2%,與去年同比增長(zhǎng)18.6%。
2018-09-01 09:55:003442

國(guó)際再獲技術(shù)重大突破

國(guó)際14納米FinFET技術(shù)獲得重大進(jìn)展 8月9日,國(guó)際公布了在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得的重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,28納米HKC+技術(shù)開(kāi)發(fā)也已完成。28納米HKC持續(xù)上量,良率達(dá)到業(yè)界水平。
2018-08-18 10:31:004587

退出7納米制程或?qū)е翴BM訂單轉(zhuǎn)交臺(tái)積電

晶圓代工大廠格28日宣布,無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā),轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002751

國(guó)際14nm明年上半年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

2018第二季度,第一代14納米FinFET技術(shù)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段,明年上半年將進(jìn)入量產(chǎn)。明年上半年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
2018-09-17 16:48:526880

英特爾宣布追加10億美元用于14納米制程擴(kuò)產(chǎn)后 10納米制程量產(chǎn)或?qū)⑻嵩绨肽?/a>

國(guó)際首個(gè)14nm工藝明年上半年量產(chǎn)

根據(jù)國(guó)際之前的爆料,其14nm工藝良率已達(dá)95%,進(jìn)展符合預(yù)期,已經(jīng)進(jìn)入了客戶(hù)導(dǎo)入階段,正在進(jìn)行驗(yàn)證及IP設(shè)計(jì)。另外,國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松宣布計(jì)劃在2019上半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)14nm FinFET
2018-11-11 10:03:304908

回應(yīng)為何擱置7納米FinFET項(xiàng)目

個(gè)月前,晶圓代工大廠格突然宣布擱置7納米FinFET項(xiàng)目,業(yè)內(nèi)嘩然。在臺(tái)積電、星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正在努力搶占7nm制程市場(chǎng)之時(shí),格為何作出此舉?放棄7nm制程后,格未來(lái)的路又將走向何方?這是業(yè)界關(guān)心的問(wèn)題。
2018-12-03 14:30:563452

星表示將在2019下半年量產(chǎn)內(nèi)含EUV技術(shù)的7納米制程 2021量產(chǎn)3納米GAA制程

為了減低近期存儲(chǔ)器降價(jià)帶來(lái)的沖擊,全球存儲(chǔ)器龍頭星逐漸強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù),希望有機(jī)會(huì)進(jìn)一步拉近與臺(tái)積電的差距。在先進(jìn)制程的發(fā)展方面,根據(jù)星高層表示,將在 2019 下半年量產(chǎn)內(nèi)含 EUV技術(shù)的 7 納米制程,而 2021 量產(chǎn)更先進(jìn)的 3 納米 GAA 制程。
2019-01-14 14:47:443904

國(guó)際14納米制程將于2019量產(chǎn) 未來(lái)首個(gè)14納米制程客戶(hù)將來(lái)自手機(jī)芯片產(chǎn)業(yè)

制程研發(fā)。不過(guò),技術(shù)水平與業(yè)界至少差了兩代以上,已量產(chǎn)的最先進(jìn)制程還是在 28 納米制程上。對(duì)此,參與投資中國(guó)際的上海市政府日前在工作報(bào)告中表示,國(guó)際14 納米制程將于 2019 量產(chǎn)
2019-01-29 15:27:028130

國(guó)際發(fā)布2018第4季財(cái)報(bào)表示12納米的技術(shù)開(kāi)發(fā)也開(kāi)始有所突破

技術(shù)研發(fā)方面,國(guó)際表示,第一代 FinFET 14 納米技術(shù)進(jìn)入客戶(hù)驗(yàn)證階段,產(chǎn)品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。同時(shí),12 納米的技術(shù)開(kāi)發(fā)也開(kāi)始有所突破。
2019-02-18 17:03:103595

先進(jìn)工藝大進(jìn)展:14nm量產(chǎn)在即、12nm取得突破

如果國(guó)際能夠批量生產(chǎn)14納米FinFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管,并且,進(jìn)一步向前推進(jìn)“半世代”工藝12納米,那么將使與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并駕齊驅(qū),甚至超前,居于國(guó)內(nèi)晶圓代工的領(lǐng)先地位。尤其,臺(tái)積電受限于登陸投資,工藝卡位在16納米,那么12納米對(duì)于而言,就具備地利優(yōu)勢(shì)。
2019-02-20 15:58:036232

國(guó)際2019的起步時(shí)刻,正式敲定了14納米芯片!

國(guó)際14納米芯片的量產(chǎn),意味著:在今年上半年,我們國(guó)產(chǎn)手機(jī)就能用上端性能的國(guó)產(chǎn)芯片了!要知道,華為榮耀8XMax、紅米note7、vivo X21用的都是14納米芯片。
2019-02-25 13:54:5819094

國(guó)際會(huì)從2019下半年開(kāi)始投產(chǎn)14nm工藝芯片

從去年下半年開(kāi)始,不斷有消息稱(chēng),國(guó)際將在2019上半年大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝,雖然相比世界最先進(jìn)水平還有一定差距,但追趕勢(shì)頭已經(jīng)非常快了。 不過(guò)現(xiàn)在有外媒報(bào)道稱(chēng),國(guó)際會(huì)從
2019-02-27 15:48:066970

星或從20196月份開(kāi)始量產(chǎn)7納米EUV制程

,現(xiàn)在有韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),星將從 2019 的 6 月份開(kāi)始,量產(chǎn) 7 納米 EUV 制程,首項(xiàng)產(chǎn)品就是自家的 Exynos 9825 處理器,并且用于 2019 年下半年的預(yù)計(jì)推出的旗艦型 Galaxy Note 10 系列智能型手機(jī)。
2019-04-12 16:48:423887

英特爾預(yù)計(jì)10納米產(chǎn)品將在6月開(kāi)始出貨 預(yù)期20217納米制程可望進(jìn)入量產(chǎn)階段

就在臺(tái)積電及星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光(EUV)技術(shù)的7納米技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段后,半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定開(kāi)始進(jìn)入10納米時(shí)代,預(yù)計(jì)采用10納米產(chǎn)品將在6月開(kāi)始出貨。同時(shí),英特爾將加速支援EUV技術(shù)的7納米制程研發(fā),預(yù)期2021可望進(jìn)入量產(chǎn)階段,首款代表性產(chǎn)品將是Xe架構(gòu)繪圖芯片。
2019-05-14 16:32:463963

國(guó)際宣布將大規(guī)模量產(chǎn)14納米芯片 良品率已經(jīng)達(dá)到了95%

國(guó)際宣布:今年上半年將大規(guī)模量產(chǎn)14納米芯片,良品率已經(jīng)達(dá)到了95%,其首個(gè)訂單來(lái)自手機(jī)領(lǐng)域。
2019-05-20 16:40:5914491

關(guān)于14nm的性能分析和介紹

在昨日的財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)上,國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官,趙海軍博士和梁孟松博士說(shuō):“國(guó)際14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,我們28納米HKC+技術(shù)開(kāi)發(fā)也已完成。
2019-08-30 16:07:447804

智原科技28/40納米單芯片ASIC設(shè)計(jì)量三年倍增

28納米與40納米為目前半導(dǎo)體市場(chǎng)上的主流工藝,無(wú)論是IP、光罩與晶圓等技術(shù)均趨于穩(wěn)定成熟,成本大幅低于FinFET工藝。
2019-09-19 14:43:291940

國(guó)內(nèi)首條,國(guó)際14納米生產(chǎn)線(xiàn)正式投產(chǎn)

根據(jù)國(guó)際官方網(wǎng)站的消息,南方廠投產(chǎn)國(guó)內(nèi)首條14納米生產(chǎn)線(xiàn),該工廠也是國(guó)際最先進(jìn)的生產(chǎn)基地。
2020-01-13 09:49:364777

國(guó)際提前一量產(chǎn)14nm,良品率已達(dá)到95%

中美貿(mào)易戰(zhàn)給了我們一個(gè)深刻的教訓(xùn),高新技術(shù)沒(méi)有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)那就處處被人牽制,因此我們看到在南方集成電路制造有限公司,從去年第季度就已經(jīng)成功開(kāi)始量產(chǎn)14nm FinFET,比規(guī)劃時(shí)間早了一
2020-01-14 13:51:073391

國(guó)際取得海思14納米FinFET工藝代工訂單

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣消息報(bào)道,中國(guó)大陸芯片代工廠商國(guó)際已經(jīng)從競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電手中,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:433455

國(guó)際從臺(tái)積電手中奪得海思14納米FinFET工藝芯片代工訂單

關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》(DigiTimes)1 月 13 日?qǐng)?bào)道稱(chēng),中國(guó)大陸芯片代工廠商國(guó)際擊敗臺(tái)積電,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:016363

國(guó)際取得重大成就,14納米芯片可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)

據(jù)了解礦機(jī)行業(yè)是一個(gè)比較火熱的行業(yè),國(guó)際很早就想要進(jìn)入這個(gè)行業(yè),但是受到各種因素的影響而沒(méi)有實(shí)現(xiàn),然而這一次又傳來(lái)了一個(gè)好消息,那就是由中國(guó)際代工的14納米礦機(jī)芯片即將出貨。
2020-04-16 16:08:477331

國(guó)際14nm量產(chǎn)大規(guī)模出貨 國(guó)產(chǎn)化取得階段性勝利

近日,芯片代工廠商——國(guó)際發(fā)布了2019財(cái)報(bào)。這是國(guó)際14納米產(chǎn)品貢獻(xiàn)營(yíng)收后的首份年報(bào)。
2020-04-20 09:32:554623

武漢新50納米NOR Flash存儲(chǔ)芯片已全線(xiàn)量產(chǎn)

  據(jù)了解,武漢新50納米閃存技術(shù)于201912月取得突破,隨后投入量產(chǎn)準(zhǔn)備。從65納米到50納米的躍升,武漢新用了18個(gè)月。
2020-07-17 08:19:445040

國(guó)際第二代FinFET N+1可望于2020小批量試產(chǎn)

,該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019第四季度量產(chǎn),第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段,可望于2020底小批量試產(chǎn)。 按照這樣的時(shí)間表推測(cè),國(guó)際N+1代工藝確實(shí)會(huì)在2021規(guī)模量產(chǎn)。 N+1是國(guó)際對(duì)其第二代先進(jìn)工藝的代號(hào),但從未明確
2020-09-26 10:11:392765

國(guó)際N+1 代芯片可望于2021量產(chǎn)

第一代FinFET 14納米已于2019四季度量產(chǎn);第二代FinFET N+1已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段,可望于2020底小批量試產(chǎn)。 據(jù)集微網(wǎng)2月報(bào)道,在國(guó)際2019第四季度財(cái)報(bào)會(huì)議上,梁孟松博士透露了國(guó)際下一代N+1工藝的詳細(xì)數(shù)據(jù)。 梁孟松博士透露,國(guó)際的下一代
2020-09-30 10:49:593531

國(guó)際第二代FinFET N+1工藝已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段

710A 芯片等進(jìn)行代工。 對(duì)此,國(guó)際回應(yīng)稱(chēng),公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019第四季度量產(chǎn),第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段,有望于2020底小批量試產(chǎn)。在沒(méi)有使用EUV光刻機(jī)的情況下,國(guó)際實(shí)現(xiàn)了14nm以下的先進(jìn)制造工藝,不能不說(shuō)
2020-09-30 14:24:189496

國(guó)際正式宣告14nm量產(chǎn)

11月12日,國(guó)際在發(fā)布第季度財(cái)報(bào)后的電話(huà)會(huì)議上,被業(yè)界譽(yù)為“芯片狂人”的國(guó)際聯(lián)合CEO梁孟松表示,目前14nm量產(chǎn)良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。
2020-11-14 11:02:2418130

國(guó)際表示14 納米良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn) 10多個(gè)先進(jìn)工藝流片

日前,國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士在投資者調(diào)研會(huì)議上透漏了公司最新進(jìn)展,特別是在先進(jìn)工藝上的最新情況。 梁博士表示,14 納米在去年第四季度進(jìn)入量產(chǎn),良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。隨著我們展現(xiàn)出的研發(fā)執(zhí)行
2020-11-20 10:44:012618

國(guó)際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)

據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道稱(chēng),國(guó)際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 科創(chuàng)板國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司第一代FinFET14納米已于2019四季度量產(chǎn);第二代FinFETN+1已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段
2020-12-04 18:08:152429

國(guó)際稱(chēng)第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)

2019 四季度進(jìn)入量產(chǎn),第二代 FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 IT之家了解到,國(guó)際2019 實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn),并已為華為麒麟 710A 芯片等進(jìn)行代工。 今年9月份,投資者向國(guó)際求證關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息,國(guó)際回答表示:國(guó)際第二代
2020-12-07 11:23:373352

國(guó)際斥資500億投建12寸晶圓制造

平臺(tái)表示,公司第一代FinFET14納米已于2019四季度量產(chǎn);第二代FinFETN+1已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段,可望于2020底小批量試產(chǎn)。 按照國(guó)際當(dāng)時(shí)在2019Q3季度財(cái)報(bào)公布的情況,公司第一代FinFET已成功量產(chǎn),四季度將貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收;第
2020-12-07 18:14:532903

國(guó)際:將于年底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片

據(jù)最新消息,我國(guó)芯片生產(chǎn)巨頭中國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)公開(kāi)表示,該司即將在2020底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片,目前這一芯片已經(jīng)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段。去年年底,國(guó)際率先完成任務(wù),完成了第一代FinFET 14nm芯片的量產(chǎn)工作。
2020-12-08 15:41:093572

消息稱(chēng)國(guó)際已獲成熟工藝供應(yīng)許可

謀研究首席分析師顧文軍發(fā)朋友圈稱(chēng):“據(jù)可靠消息,被美國(guó)制裁的國(guó)際與美國(guó)的溝通取得重大突破!國(guó)際已獲得領(lǐng)先美國(guó)設(shè)備廠商的供應(yīng)許可,14納米及以上(14納米28等成熟工藝)設(shè)備的供應(yīng)獲得許可!并且還有重大突破。”
2021-03-02 10:01:011896

臺(tái)積電將于2022量產(chǎn)3納米芯片

臺(tái)積電3納米芯片計(jì)劃將于2022下半年開(kāi)始量產(chǎn),此前星電子也已正式宣布將在臺(tái)積電之前于2022上半年開(kāi)始生產(chǎn)3納米半導(dǎo)體。
2021-10-20 16:43:208842

2納米芯片什么時(shí)候上市_2納米芯片的意義

本月17日消息,臺(tái)積電在2022北美技術(shù)論壇會(huì)上,推出了2納米芯片的制程工藝,表示2納米芯片將在2025量產(chǎn)
2022-06-23 16:39:537073

Few-shot NER的三階段

Few-shot NER的三階段:Train、Adapt、Recognize,即在source域訓(xùn)練,在target域的support上微調(diào),在target域的query上測(cè)試。
2022-08-24 16:12:352062

3納米量產(chǎn)在即 如何實(shí)現(xiàn)2納米芯片?

據(jù)悉,臺(tái)積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下點(diǎn)信息:一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;是3納米量產(chǎn)在即,2納米2025量產(chǎn)
2022-09-06 16:00:204177

國(guó)際停止擴(kuò)大28納米半導(dǎo)體生產(chǎn)的決定

國(guó)際是中國(guó)大陸最大的半導(dǎo)體制造企業(yè)之一,主要業(yè)務(wù)是為其他半導(dǎo)體公司生產(chǎn)晶片。暫時(shí)中斷28納米芯片的生產(chǎn)擴(kuò)大,將致力于提高12納米節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)能力。smic的決定是出于經(jīng)濟(jì)上的原因。
2023-06-01 10:50:212239

珠海鏨實(shí)現(xiàn)28納米FPGA流片

近日,珠海鏨半導(dǎo)體有限公司在其官方微博上宣布,已成功實(shí)現(xiàn)28納米流片。此次流片成功的CERES-1 FPGA芯片,不僅對(duì)標(biāo)國(guó)際主流28納米FPGA架構(gòu),還實(shí)現(xiàn)了管腳和比特流的完全兼容,標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)FPGA技術(shù)邁出了重要一步。
2024-06-03 11:11:341558

關(guān)于AI工廠三階段模型

在今天(20255月20日)的Computex大會(huì)上,富士康董事長(zhǎng)劉揚(yáng)偉發(fā)表了以“AI工廠三階段模型”及“Genesis”為核心的Keynote演講,提到鴻海集團(tuán)在AI轉(zhuǎn)型的戰(zhàn)略布局。這一
2025-05-20 23:26:081266

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