賽靈思（Xilinx）將搶先在競爭對手Altera之前，發表16納米鰭式場效電晶體（FinFET）現場可編程門陣列（FPGA）。面對Altera采用英特爾（Intel）14納米三門極電晶體（Tri-gate Transistor）制程，并將于2016年量產14納米FPGA的攻勢，賽靈思于日前發動反擊，將攜手臺積電采用16納米FinFET制程，搶先于2014年推出新一代FPGA。

　　賽靈思總裁暨執行長Moshe Gavrielov表示，16納米先進制程中的三維（3D）電晶體將能夠讓客戶擁有更高效能、更低耗電的產品。賽靈思與臺積電于16納米制程的合作將延續雙方過去在各項先進制程上所獲得的成果。

　　值得一提的是，因著與賽靈思的合作，臺積電也宣布將16納米FinFET制程技術的生產時程提前，將于今年發布16納米FinFET制程測試芯片，而首批FPGA產品將于2014年問世。反觀英特爾則預計在2014年將第二代三門極電晶體技術導入14納米制程，并用以量產新中央處理器（CPU）。

　　據了解，賽靈思與臺積電將共同推動一項名為FinFast的專案計劃，以臺積電16納米FinFET制程技術打造高速、低耗電、高效能的FPGA元件；雙方投入所需資源組成專屬研發團隊，針對FinFET制程與賽靈思UltraScale架構共同進行最佳化。UltraScale為賽靈思全新的特定應用集成電路（ASIC）等級架構，能針對從20納米平面式制程到16納米以及更先進的FinFET制程進行微縮，亦可透過3D集成電路（IC）技術進行系統單芯片（SoC）的微縮。

　　Gavrielov指出，相較于前幾個世代的制程，16納米制程的技術復雜度高出許多，且將耗費賽靈思更多的研發成本。賽靈思在28納米制程的研發投資為8億美元，而先進制程的研發投資金額則至少為80億美元。盡管如此，由于擁有先進制程技術的晶圓代工廠數量正不斷增加，因此，在市場變化的帶動下，投資數字大幅度躍進的情形將會有稍許的改善。此外，賽靈思為確保每個制程能具備成本效益，將花5年以上的時間設計產品，并將每項產品的生命周期延長到至少15年。

　　與此同時，賽靈思也將使用臺積電的半導體整合生產技術--CoWoS（Chip on Wafer on Substrate），實現高端3D IC系統整合及系統級效能。