功率半導體器件是日本的優勢領域。如今在這個領域，中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領域繼續保持強大的競爭力，重要的是大力研發SiC、GaN、組裝等關鍵技術，以確保日本的優勢地位，并且向開發高端IGBT產品轉型，以避開MOSFET領域的價格競爭。

　　功率半導體器件是用來進行電力轉換和供應的半導體元件，從汽車、鐵路等工業設備到空調、冰箱等消費類產品，用途十分廣泛。中國的經濟發展日新月異，應對能源需求的擴大是當務之急，已經成為了功率半導體器件的消費大國。因此，在日本、美國、歐洲的功率半導體器件廠商進駐中國的同時，中國廠商也實現快速發展，各國廠商展開了激烈的開發競爭。這使得在中國申請的功率半導體器件技術專利也出現了激增。

　　在此背景下，日本專利廳通過“2014年專利申請技術動向調查”，對中國功率半導體器件專利的申請動向進行調查和分析，搞清了在中國開展業務的世界各國半導體廠商的實際情況（PDF格式的調查報告概要）。本文將介紹本次調查的主要內容。

　　圖1為本次調查的技術總覽圖。本次調查首先按照（1）基板材料、（2）元件種類、（3）制造流程，將功率半導體器件技術大致分類，然后對每個項目又進行了細分。

　　圖1：技術總覽?

　　按申請人國籍統計的專利申請數量的變化：中國廠商申請數量激增

　　2008年之前，在中國申請的功率半導體器件技術專利一直維持在每年300～400件左右，從2009年起，申請數量開始激增，2011年為900件，2012年超過850件。其中，日本、中國、歐洲籍的申請數量增長最快，中國籍的增長尤為顯著（圖2）。

　　圖2：按申請人國籍統計的申請數量推移及比例（在中國大陸申請的專利，申請年（優先權主張年）：2003～2012年）

　　注：2011年以后因為數據庫錄入延遲，PCT申請向各國轉移的時間差等原因，可能未涵蓋所有數據。?

　　中國以Si基板的技術開發為中心

　　按照基板材料統計專利申請數量（參照圖1的（1）），在2003～2012年期間，日本籍申請人申請的使用Si（硅）作為基板材料的技術專利合計為497件（占在中國申請總數的25.2％）。而中國籍的申請數量為729件（37.0％），約為日本籍的1.5倍（圖3）。

　　圖3：按申請人國籍統計的Si基板專利的申請數量推移及比例（在中國大陸申請的專利，申請年（優先權主張年）：2003～2012年）

　　注：2011年以后因為數據庫錄入延遲，PCT申請向各國轉移的時間差等原因，可能未涵蓋所有數據。
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　　使用SiC（碳化硅）基板的技術專利方面，日本籍為284件（占在中國申請總數的50.4％），中國籍為84件（14.9％），使用GaN（氮化鎵）基板的技術專利方面，日本籍為268件（47.5％），中國籍為86件（15.2％）（圖4，圖5）。通過分析中日申請的基板材料專利可以看出，日本正在向開發SiC基板和GaN基板技術轉型，而中國尚處在以Si基板為中心的階段。

　　圖4：按申請人國籍統計的SiC基板專利的申請數量推移及比例（在中國大陸申請的專利，申請年（優先權主張年）：2003～2012年）

　　注：2011年以后因為數據庫錄入延遲，PCT申請向各國轉移的時間差等原因，可能未涵蓋所有數據。?

　　圖5：按申請人國籍統計的GaN基板專利的申請數量推移及比例（在中國大陸申請的專利，申請年（優先權主張年）：2003～2012年）

　　注：2011年以后因為數據庫錄入延遲，PCT申請向各國轉移的時間差等原因，可能未涵蓋所有數據。?

　　MOSFET開發一舉取得進展

　　按照元件種類（參照圖1（2））進行統計，在MOSFET*元件專利方面，日本籍為679件（占在中國申請總數的26.9％），中國籍為677件（26.9％），數量基本相當（圖6）。不過，在2008年之后，中國籍的申請數量開始增加，2011年之后的申請數量超過了日本籍。在IGBT*專利方面，日本籍為527件（44.9％），中國籍為267件（22.7％）（圖7）。中國的申請數量同樣是在2008年之后開始增加。

　　*MOSFET＝Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫，可以高速開關，一般用作中小耐壓器件，應用非常廣泛。

　　*IGBT＝Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，能夠在高電壓、大電流環境下，以低導通電阻進行工作。常用于空調等消費類家電，工業設備、汽車、鐵路。

　　圖6：按申請人國籍統計的MOSFET專利的申請數量推移及比例（在中國大陸申請的專利，申請年（優先權主張年）：2003～2012年）

　　注：2011年以后因為數據庫錄入延遲，PCT申請向各國轉移的時間差等原因，可能未涵蓋所有數據。

　　圖7：按申請人國籍統計的IGBT專利的申請數量推移及比例（在中國大陸申請的專利，申請年（優先權主張年）：2003～2012年）

　　注：2011年以后因為數據庫錄入延遲，PCT申請向各國轉移的時間差等原因，可能未涵蓋所有數據。?

　　由此可以看出，大約從2008年開始，MOSFET與IGBT都在中國掀起了研發熱潮。為了更詳細地進行分析，我們比較了2012年MOSFET和IGBT的申請數量，日本籍的申請數量基本相同，而中國籍申請的MOSFET專利較多。從2008年～2012年期間中國籍申請專利的增加數量來看，也是MOSFET的數量較多。這可以認為是中國將發展的重心放在了MOSFET上面。

　　中國在晶圓工藝上展現優勢

　　按照申請人國籍統計每種制造工藝（參照圖1（3））專利的申請數量，在介電膜形成、金屬膜形成、蝕刻等晶圓工藝方面，日本籍的申請數量少于中國籍。而在芯片焊接、引線鍵合和封裝處理等組裝方面，日本籍的申請數量多于中國籍（圖8）。由此可知，中國在晶圓工藝研發上的投入大于組裝。

　　圖8：按技術類別（制造工藝）和申請人國籍統計的申請數量（在中國大陸申請的專利，申請年（優先權主張年）：2003～2012年）

　　日本企業的發展方向，發揮優勢確保競爭力

　　本次調查的結果表明，在功率半導體器件中，日本依然掌握著SiC基板和GaN基板的技術優勢。這些基板材料適用于汽車和發電系統，日本應當面向這些用途進行開發。

　　而在MOSFET領域，中國正在積極開展研發。由此可以預計，中國廠商會在今后全面進軍MOSFET領域，價格競爭將會愈演愈烈。因此，為了防止卷入MOSFET領域的價格競爭，日本企業應當盡快轉型，轉而開發傳輸設備和工業設備、電力系統使用的高端IGBT產品。

　　而且，在制造工藝方面，重要的是要在晶圓工藝上緊緊咬住中國廠商，在組裝上發揮優勢，以確保在中國市場上的競爭力。（專利廳總務部企劃調查課 專利廳審查第四部審查調查室）