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PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英偉達800VDC架構
Power Integrations公司的PowiGaN技術實現了1250V和1700V GaN開關器件,使設計人員能夠構建高密度、高效率的電源。
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)今年春節期間,EPC宣布與瑞薩達成一項全面的技術授權協議。 ? 根據協議,瑞薩電子將取得 EPC 成熟的低壓 eGaN 技...
700V/1.6A單通道增強型GaN FET驅動控制器參數與使用極限
概述: PC5012 是一款 700V、1.2Ω?的氮化鎵(GaN)功率場效應晶體管(FET),集成了單通道低端驅動器,專為高速應用中的氮化鎵高電子遷移...
PI GaN產品InnoSwitch3-EP助力簡化工業輔助電源設計
隨著技術的不斷成熟和成本的逐步下降,GaN正從消費電子PD快充領域向更廣闊的工業、汽車、通信、數據中心等領域滲透,憑借其高頻、高效、高功率密度的核心優勢...
650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉換器評估板
云鎵半導體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應用1.MBDS器件介紹云鎵半導體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(Monolit...
橢偏儀在半導體的應用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結構與光學性質
Ⅲ族氮化物半導體是紫外至可見光發光器件的關鍵材料。傳統c面取向材料因極化電場導致量子限制斯塔克效應,降低發光效率。采用半極性(如m面)生長可有效抑制該效...
氮化鎵(GaN)vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對比:300W快充應用選型避坑手冊
在消費電子快充領域,300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲能、專業設備供電等多元需求,已成為市場增長核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...
2025-12-24 標簽:驅動ICGaNSiC MOSFET 1.1k 0
適用于65W GaN PD快充電源驅動器具有極高開關頻率及穩定性能
概述: PC5200 是一種增強模式氮化鎵(GaN-on-Silicon)晶體管。氮化鎵是一種寬禁帶半導體,具有高功率密度。氮化鎵晶體管的特點是沒有體二...
鍵合率達95%!三菱電機推進 GaN-on-Diamond 新技術
憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度,已成為高功率、高頻電子器件領域的核心材料。基于GaN的高電子遷移率晶體管...
2026年2月,美鎵傳感在新一輪股權融資中獲得國新國證投資的領投,這是公司自合肥市產投資本和合肥高新投投資后的第二輪融資。 國新國證投資是中國國新、國新...
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)今年春節期間,EPC宣布與瑞薩達成一項全面的技術授權協議。 ? 根據協議,瑞薩電子將取得 EPC 成熟的低壓 eGaN 技...
2026年GaN行業八大預測:市場規模暴增50%;襯底和封裝是投資熱點
電子發燒友網綜合報道 英飛凌近期發布白皮書《2026年GaN技術展望》,從市場走勢、產品創新到應用場景,全面剖析氮化鎵(GaN)功率半導體技術的未來潛力...
2026-03-01 標簽:GaN 7.9k 0
喜報 | 東科半導體入選安徽省2025年度表現突出的創新型企業名單
2月24日,在安徽省委、省政府高規格召開的“新春第一會”——全省科技創新引領新質生產力發展大會暨省管干部學習貫徹黨的二十屆四中全會精神研討班開班式上,備...
白皮書下載|使用PSOC? Control C3和CoolGaN?解決方案,打造可靠、節能、安全的家電設計
在家電應用中,可靠性、安全性和使用壽命至關重要。隨著開關頻率和功率密度不斷提升,短路、過電流以及電壓尖峰帶來的災難性故障的風險也隨之增加。為了避免MOS...
近日,“傳音千里 聲聲不息”傳音控股2025年度供應商頒獎典禮在深圳隆重舉行。作為長期戰略合作伙伴,芯導科技(股票代碼:688230.SH)憑借卓越的產...
聯想moto X70 Air Pro應用芯導科技40V雙向GaN產品
近日,聯想正式發布了旗下當前周期內規格最高的直板機型聯想 moto X70 Air Pro,堪稱一款“輕薄機身下的六邊形戰士”。這款產品選用芯導科技40...
| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
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