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淺談三星SF1.4(1.4 納米級)工藝技術

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2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

款采用12納米(nm)工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人
2022-12-21 21:19:541342

三星3納米良率不超過20% 將重新擬定制程工藝時間節點

三星最新公布的制程工藝技術路線圖顯示,該公司計劃在2025年開始量產2納米級SF2工藝,以滿足客戶對高性能處理器的需求。此前,三星已于今年公布,其3納米工藝已滿足大規模生產的標準。
2023-06-29 16:26:332318

三星分享2nm 1.4nm以及5nm射頻計劃

三星在2023年年度三星代工論壇 (SFF) 上公布了更新的制造技術路線圖。該公司有望分別于 2025年和 2027年在其 2納米1.4納米級節點上生產芯片。
2023-06-29 17:47:121448

三星3nm GAA正式商業量產 首家客戶及芯片型號被曝光

大約一年前,三星正式開始采用其 SF3E(3nm 、早期全柵)工藝技術大批量生產芯片,但沒有無晶圓廠芯片設計商證實其產品使用了該節點。
2023-07-19 17:13:331817

三星計劃采用12納米技術,提升內存模組容量

日前有信息稱,三星將采用 12納米 (nm) 工藝技術,生產ERP開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,而這樣就可以在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:461175

單芯片超過 100Gb,三星表示將挑戰業界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產了12納米級dram,目前正在開發的11納米級dram將提供業界最高密度?!绷硗?,三星正在準備10納米dram的新的3d構架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星獲谷歌Tensor G4 AP訂單 將使用第代4nm工藝制造

新芯片將由三星sf4p(第代4納米工藝制作,g3將由第二代sf4工藝制作。另外,xenos 2400處理器也將使用sf4p,預計將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機器。
2023-10-31 14:25:361349

納米級測量儀器:窺探微觀世界的利器

納米科技的迅猛發展將我們的視野拓展到了微觀世界,而測量納米級尺寸的物體和現象則成為了時下熱門的研究領域。納米級測量儀器作為一種重要的工具,扮演著重要的角色。那么,如何才能準確測量納米級物體呢?在
2023-10-12 09:12:161

關于1.4nm,臺積電重申

首先看南韓三星電子,他們近期矢言要在2027年推出1.4納米芯片制造,超越臺積電和英特爾代工服務,也對按計劃在2025年生產2納米芯片充滿信心。知名電子媒體EDN報導,三星承諾量產1.4nm芯片大約需要4年時間,在此期間可能會發生很多事情。
2023-11-23 16:04:591170

三星 1.4 納米工藝細節浮出水面

增加每個晶體管的納米片數量可以增強驅動電流,從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過晶體管,從而增強其開關能力和運行速度。此外,更多的納米片可以更好地控制電流,這有助于減少漏電流,從而降低功耗。
2023-11-24 14:39:121377

臺積電全包!三星痛失高通明年3納米訂單

三星去年6 月底量產第一代3 納米GAA (SF3E) 制程,為三星首次采用全新GAA 架構晶體管技術,而第二代3 納米制程3GAP(SF3) 將使用第二代MBCFET 架構,從第一代3 納米SF3E基礎上再最佳化,預期2024 年進入量產階段。
2023-12-04 15:55:371251

臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術,2nm 工藝按計劃 2025 年量產

12 月 14 日消息,臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議(IEDM)的小組研討會上透露,其 1.4nm 工藝制程研發已經全面展開。同時,臺積電重申,2nm 制程將按計劃于 2025
2023-12-18 15:13:181172

Samsung研發第二代3納米工藝 SF3

據報道,韓國三星代工廠已經開始試制其第二代 3 納米級工藝技術的芯片,稱為 SF3。這一發展標志著半導體行業的一個重要里程碑,因為三星與臺積電競爭下一代先進工藝節點的量產主導權。韓國知名權威
2024-01-22 16:10:141629

三星第二代3nm工藝開始試產!

據報道,三星預計在未來6個月時間內,讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會率先應用到可穿戴設備處理器上,三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片。
2024-01-29 15:52:001249

三星與Arm攜手,運用GAA工藝技術提升下一代Cortex-X CPU性能

三星繼續推進工藝技術的進步,近年來首次量產了基于2022年GAA技術的3nm MBCFET ? 。GAA技術不僅能夠大幅減小設備尺寸,降低供電電壓,增強功率效率,同時也能增強驅動電流,進而實現更高的性能表現。
2024-02-22 09:36:011291

英特爾宣布推進1.4納米制程

,臺積電和三星已經推出3納米制程芯片,而英特爾則剛剛實現了5納米制程。然而,這一決定表明英特爾有意在制程技術領域迎頭趕上,計劃在未來幾年內推出更為先進的1.4納米芯片。這一制程技術的推進將是英特爾為實現2025年之前進入2納米芯片生產
2024-02-23 11:23:04962

三星攜手高通共探2nm工藝新紀元,為芯片技術樹立新標桿

三星與高通的合作正在不斷深化。高通計劃采納三星代工工廠的尖端全柵極(GAA)工藝技術,以優化和開發下一代ARM Cortex-X CPU。
2024-02-25 15:31:181650

三星半導體將其“第二代3納米工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策:將其“第二代3納米工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890

三星公布最新工藝路線圖

: 1. **新節點和技術進展**:三星宣布了兩個新的尖端節點——SF2Z 和 SF4U。SF2Z 是一種2nm工藝,采用背面電源輸送網絡(BSPDN)技術,這種技術將電源軌置于晶圓背面,以提高功率、性能
2024-06-17 15:33:001066

三星展望2027年:1.4nm工藝與先進供電技術登場

在半導體技術的競技場上,三星正全力沖刺,準備在2027年推出一系列令人矚目的創新。近日,三星晶圓代工部門在三星代工論壇上公布了其未來幾年的技術路線圖,其中包括備受矚目的1.4nm制程工藝、芯片背面供電網絡(BSPDN)技術和硅光子技術。
2024-06-21 09:30:47861

概倫電子NanoSpice通過三星代工廠3/4nm工藝技術認證

概倫電子(股票代碼:688206.SH)近日宣布其新一代大容量、高性能并行SPICE仿真器NanoSpice通過三星代工廠3/4nm工藝技術認證,滿足雙方共同客戶對高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。
2024-06-26 09:49:141378

IEDM 2024先進工藝探討():2D材料技術的進展及所遇挑戰

晶體管技術、先進存儲、顯示、傳感、MEMS、新型量子和納米級器件、光電子、能量采集器件、高速器件以及工藝技術和設備建模和仿真等領域。 2024 IEDM會議的焦點主要有個:邏輯器件的先進工藝技術包括TSMC N2節點、CFET技術突破、三星2D材料、英特爾硅溝道擴
2025-02-14 09:18:502138

滾珠導軌:電子制造“納米級”精度的運動基石

在電子制造與半導體設備追求“微米工藝納米級控制”的賽道上,滾珠導軌憑借高剛性、低摩擦與高潔凈特性,成為精密運動系統的核心載體。
2025-05-29 17:46:30533

三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產延遲至2029年

在全球半導體代工領域的激烈競爭中,三星電子的戰略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業務在制程技術推進方面做出重大調整,原本計劃于2027年量產的1.4nm制程工藝,將推遲至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40691

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