韓國《中央日報》發布消息稱，三星電子已成功研發出5納米(nm)半導體工藝，并于4月中正式量產首個利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對于新一代半導體的精密工藝問題，三星電子與各企業間的技術較量也日趨激烈。

三星電子宣布成功開發的5納米精密工藝采用了比現有的ArF更優越的EUV技術。與ArF工藝相比，EUV短波長，能夠更加準確地畫出精密半導體的電路。半導體的電路越設計越薄，芯片的尺寸變小，耗電量也同時減小，發熱也降低，因此精密工藝尤為重要。

三星電子方面表示，此次開發的“5納米工藝”通過最優化的單元儲存設計，將比已有的7納米減少25%的面積大小，同時電量使用率提高20%，性能提高10%。