英飛凌最近發布了全新的750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。

這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)等拓撲結構進行優化的工業級和車規級SiC MOSFET。

這些MOSFET廣泛適用于工業領域的典型應用，如電動汽車充電、工業驅動器、太陽能和儲能系統、固態斷路器、UPS系統、服務器/數據中心、電信等，以及汽車領域的應用，如車載充電器(OBC)、直流-直流轉換器等。

CoolSiC MOSFET 750V G1系列產品的特點在于出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss優值(FOM)，無論是在硬開關還是軟開關拓撲結構下，都具備極高的效率。獨特的高閾值電壓(VGS(th)，典型值為4.3V)結合低QGD/QGS比率，具有對寄生導通的高度穩健性，并實現了單極柵極驅動，不僅提高了功率密度，還降低了系統成本。所有半導體器件采用英飛凌獨特的芯片連接技術，賦予了芯片出色的熱阻，確保了高度可靠性。同時，優化設計的柵極氧化層和英飛凌的認證標準也保證了長期穩定的性能。

全新的CoolSiC MOSFET 750V G1產品系列在25°C時的RDS(on)范圍為8至140 mΩ，能夠滿足各種需求。其設計具有較低的傳導和開關損耗，大幅提升了整體系統效率。創新的封裝設計進一步減小了熱阻，有助于改善散熱并優化電路內的功率環路電感，實現了高功率密度的同時降低了系統成本。值得一提的是，該產品系列還采用了先進的QDPAK頂部冷卻封裝。

適用于汽車應用的CoolSiC MOSFET 750V G1采用了QDPAK TSC、D2PAK-7L和TO-247-4封裝;而適用于工業應用的CoolSiC MOSFET 750V G1則采用了QDPAK TSC和TO-247-4封裝。這些封裝選擇為用戶提供了更多的靈活性和便利性，以滿足不同應用場景的需求。

英飛凌的750V G1分立式CoolSiC MOSFET系列產品的推出將進一步推動工業和汽車領域的發展，滿足了市場對更高能效和功率密度的迫切需求。這將為用戶帶來更高的性能和可靠性，助力實現新能源和智能交通等領域的創新和進步。

通過推出全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1系列產品，英飛凌為汽車和工業解決方案的發展帶來了革新。這一系列產品將進一步推動工業和汽車領域的發展，滿足了市場對更高能效和功率密度的迫切需求。這將為用戶帶來更高的性能和可靠性，助力實現新能源和智能交通等領域的創新和進步，帶來了實實在在的利益。