2.5D封裝和3D IC封裝都是新興的半導體封裝技術，它們都可以實現芯片間的高速、高密度互連，從而提高系統的性能和集成度。但是它們之間也存在一些差異和異同點。

1、3D 結構與 2.5D 有何不同？

首先，2.5D封裝和3D IC封裝的互連方式有所不同。2.5D封裝是通過TSV轉換板連接芯片，而3D IC封裝是將多個芯片垂直堆疊在一起，并通過直接鍵合技術實現芯片間的互連。

在 2.5D 結構中，兩個或多個有源半導體芯片并排放置在硅中介層上，以實現極高的芯片到芯片互連密度。

在 3D 結構中，有源芯片通過芯片堆疊集成，以實現最短的互連和最小的封裝尺寸。

? 其次，2.5D封裝和3D IC封裝的制造工藝也有所不同。2.5D封裝需要制造硅基中介層，并且需要進行微影技術等復雜的工藝步驟；而3D IC封裝需要進行直接鍵合技術等高難度的制造工藝步驟。

? 此外，2.5D封裝和3D IC封裝在應用場景和性能方面也有所不同。2.5D封裝通常應用于高性能計算、網絡通信、人工智能、移動設備等領域，具有較高的性能和靈活的設計；而3D IC封裝通常應用于存儲器、傳感器、醫療器械等領域，具有較高的集成度和較小的封裝體積。

? 2、2.5D封裝主流產品介紹

英特爾的EMIB

英特爾的EMIB 概念與2.5D封裝類似，但與傳統2.5D封裝的區別在于沒有TSV。也正因如此，EMIB技術具有封裝良率正常、無需額外工藝、設計簡單等優點。

臺積電的CoWoS技術

臺積電的CoWoS技術

臺積電的CoWoS技術也是一種2.5D封裝技術。根據中介層的不同，可分為三類。一是CoWoS_S（使用Si襯底作為中介層），二是CoWoS_R（使用RDL作為中介層），三是CoWoS_L（使用小芯片（Chiplet）和RDL作為中介層）。

三星的先進封裝包括四種解決方案：I-Cube、X-Cube、R-Cube和H-Cube。其中，三星的I-Cube屬于2.5D套餐。

3、3D IC封裝主流產品介紹

臺積電SoIC技術

臺積電的SoIC技術屬于3D封裝，是wafer-on-wafer鍵合技術。SoIC技術采用TSV技術，可以實現非凸點鍵合結構，將許多不同性質的相鄰芯片集成在一起。

SoIC 技術將同類和異構小芯片集成到單個類似 SoC 的芯片中，該芯片具有更小的尺寸和更薄的外形，可以單片集成到高級 WLSI（又名 CoWoS 和 InFO）中。新集成的芯片從外觀上看是一顆通用SoC芯片，但內嵌了所需的異構集成功能。

英特爾的 Foveros 技術

從3D Foveros的結構來看，底部是封裝基板，上面放置了一個底部芯片，作為有源中介層。中介層中有大量的TSV 3D硅通孔，負責連接上下焊球，讓上層芯片和模塊與系統其他部分進行通信。 三星的X-Cube 3D封裝技術

使用 TSV 工藝，三星的 X-Cube 測試芯片已經能夠將 SRAM 層堆疊在邏輯層之上，并通過 TSV 將其互連。工藝是三星自己的7nm EUV工藝。 ?

審核編輯：劉清