業內唯一可同時提供級聯型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商

奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。
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Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之間），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm兩種封裝。這些產品可在高電壓(<650 V)、低功率的數據通訊/電信、消費類充電、太陽能和工業應用中提高電源轉換效率，還可用于高精度無刷直流電機和緊湊型服務器設計，以實現更高扭矩和更大功率。
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Nexperia現還提供采用WLCSP8封裝的100 V (3.2 mΩ) GaN FET和采用FCLGA封裝的150 V (7 m?) GaN FET。這些器件適合各種低電壓(<150 V)、高功率應用，例如，數據中心使用的高效DC-DC轉換器、快速充電（電動出行類和USB-C類）、小尺寸LiDAR收發器、低噪聲D類音頻放大器以及功率密度更高的消費類設備（如手機、筆記本電腦和游戲主機）。
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在許多功率轉換應用中，GaN FET憑借緊湊型解決方案尺寸能實現更高的功率效率，從而顯著降低物料(BOM)成本。因此，GaN器件在主流電力電子市場逐漸得到了廣泛應用，包括服務器計算、工業自動化、消費類應用和電信基礎設施。基于GaN的器件具備快速轉換/開關能力（高dv/dt和di/dt），可在低功率和高功率轉換應用中提供出色的效率。Nexperia的E-mode GaN FET具有出色的開關性能，這得益于極低的Qg和QOSS值，并且低RDS(on)有助于實現更高的功率效率設計。
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這些新器件進一步擴充了Nexperia豐富的GaN FET產品系列，適合各種功率轉換的應用。產品組合包括支持高電壓、高功率應用的級聯器件，支持高電壓、低功率應用的650 V E-mode器件和支持低電壓、高功率應用的100/150 V E-mode器件。此外，Nexperia E-mode GaN FET采用8英寸晶圓生產線制造以提高產能，符合工業級的JEDEC標準。Nexperia的GaN器件產品系列不斷擴充，充分體現了Nexperia堅守承諾，促進優質硅器件和寬禁帶技術發展的決心。
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如需進一步了解Nexperia推出的新款100 V、150 V和650 V E-mode GaN FET，請訪問：www.nexperia.cn/products/gan-fets
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