日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器，進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻
2018-03-12 10:44:0011332 LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 09:18:47923 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 10:21:011090 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-24 10:43:28987 
LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3622 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中
2025-02-24 11:04:471084 
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中
2025-02-24 11:13:211177 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-24 11:24:001032 
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
LMG352xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-24 14:42:19860 
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中的 75W 有源鉗位反激式 （ACF） 轉換器<。該LMG2610通過在 9mm x 7mm QFN 封裝
2025-02-24 15:07:01964 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
LMG342xR030 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-25 14:07:161148 
貿澤推出Infineon CIPOS Tiny逆變器模塊，為電機驅動器提供高功率密度。
2019-08-23 09:51:461565 貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節點振鈴，以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。
2020-04-13 14:58:561845 (PFC)級。該 PFC 級 具有 配備集成式驅動器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負載范圍內實現高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設計還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
開關頻率（高達 100kHz）支持以最低的電流紋波驅動低電感電機帶有集成型柵極驅動器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復雜度極速開關轉換（小于
2018-10-31 17:33:14
5200混合多芯片模塊有助于防止過壓和欠壓。解決問題的一個設備是德州儀器的LMG5200。該混合多芯片模塊（MCM）包含兩個具有集成驅動器的半橋配置的80V，10-A GaN FET。功能框圖如圖3所示。請注意
2017-05-03 10:41:53
的MOSFET和IGBT會產生不可接受的損耗、WBG半導體晶體管比如GaN能夠克服這些問題集成GaN HEMT和驅動器方案現在已經可以應用于電機系統中能夠承受高壓條件的高性能電容也可以應用到需要高壓高頻電機驅動電路的直流部分
2019-07-16 00:27:49
LMG1210 200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time datasheet
2022-11-04 17:22:44
當我向 lmg1210 的 Hi 和 Li 發送 50% 的值周期、500KHz 互補脈沖信號，并將 epc8010 芯片添加到后端時，連續脈沖波形將輸出并閃爍。如何解決這個問題這個是視頻鏈接
2021-08-03 15:10:40
領域的客戶進行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應用。 TI也將努力開發出全新類型的轉換器、電機驅動和系統。 LMG5200與眾不同之處 LMG5200原型機由一個高頻驅動器和兩個半橋配置的GaN FET
2018-09-11 14:04:25
正在與太空領域的客戶進行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應用。 TI也將努力開發出全新類型的轉換器、電機驅動和系統。 LMG5200與眾不同之處LMG5200原型機由一個高頻驅動器和兩個半橋配置
2018-09-10 15:02:53
功能，并且有兩個模塊：一個監聽滾輪的旋轉功能驅動器模塊，以及一個與LMG5200進行通信的GaN模塊。兩個模塊都依靠低電平Hercules外設驅動器運轉（圖5）。 圖5：固件模塊操作我們先來看看輸出端
2018-06-01 11:31:35
的 LMG1210（對于 GaN 電源），以提供 0.8V 的電壓和 10A 的電流。該設計將硅功率級與 GaN 功率級進行比較，以說明在使用 GaN 進行設計時的設計折衷和必要的優化。主要特色PMBus 可編程
2019-01-02 16:17:21
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
LMG1020。在此處查看演示：如下圖和上圖中所示，該GaN驅動器具有1ns 100W光輸出的能力。這是演示中的脈沖激光開發板：這是帶有最少外部組件的簡單應用圖：LMG1210半橋GaN FET驅動器TI
2019-11-11 15:48:09
GaN單級解決方案——采用TPS53632G 無驅動器脈寬調制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級（驅動器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負載瞬態響應速度
2019-07-29 04:45:02
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級具有集成式驅動器和保護功能，可確保電路可靠性并簡化設計使用 TI
2018-10-25 11:49:58
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
最近在逛PIC官網的時候，查找相關應用手冊的時候挖到的一篇文章。根據電機控制應用需求選擇合適的MOSFET 驅動器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個Hercules微控制器來驅動它。圖1
2022-11-17 06:56:35
描述此激光雷達（光距離和范圍探測）參考設計展示了一款低側納秒 (ns) 級 GaN 柵極驅動器 LMG1020，該驅動器能夠驅動 FET 產生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路
2018-10-17 15:38:45
Coss、Qrr和較低的柵極環路阻抗而具有較大的振鈴和硬開關損耗。集成柵極驅動的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驅動器和保護功能的器件。它是一個
2023-02-14 15:06:51
的轉換器。在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴格的柵極環路設計要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當TI推出第一個600V GaN功率級樣品時，我驚嘆于該
2019-07-29 04:45:12
描述此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節，此參考設計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區時間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 300
2022-12-14 14:43:00
適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區時間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅動器 Bus voltage (Max) (V) 300
2022-12-20 15:04:36
針對應用選擇正確的MOSFET驅動器
目前，現有的MOSFET技術和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅動器成了一個富有挑戰性的過程。
從功能上講，MOSFET
2010-01-22 11:37:371977 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監控特性的數字雙路同步降壓功率驅動器，
2010-02-23 09:26:571007 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。
2012-02-11 09:59:083262 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V
2013-10-09 15:41:271392 
近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動器。該驅動器可提供先進的電源保護和控制。
2016-02-22 11:22:431517 
氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感，并且優化開關性能。集成驅動器還可以實現保護功能。
2016-05-09 17:06:563382 本報告對德州儀器LMG5200器件進行詳細的逆向分析，包括器件設計、封裝技術、制造工藝、成本和價格預估等。這是我們第一發現帶有驅動器的半橋氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）設計，并采用先進的多芯片封裝技術（PCB帶有嵌入式通孔和倒裝芯片）
2018-03-05 13:56:1811619 目前 MOSFET 驅動器的主要用途之一是進行不同類型電機的驅動控制。此應用筆記對一些基本概念進行討論以幫助用戶選擇適合應用的 MOSFET 驅動器。
2018-06-20 10:26:00
68 電子發燒友網為你提供TI(ti)LMG3410相關產品參數、數據手冊，更有LMG3410的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG3410真值表，LMG3410管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
電子發燒友網為你提供TI(ti)LMG1210相關產品參數、數據手冊，更有LMG1210的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG1210真值表，LMG1210管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:00:05
驅動器可為要求速度的應用提供高效率、高性能的設計，適用于LiDAR、飛行時間激光貿澤電子供應的Texas Instruments LMG1020低側GAN驅動器，專為高速驅動GaN FET和邏輯電平
2018-11-03 10:47:001969 ）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅動器集成GaN解決方案的半導體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數字電源轉換控制器相結合
2019-08-07 10:17:062913 目前 MOSFET 驅動器的主要用途之一是進行不同類型電機的驅動控制。此應用筆記對一些基本概念進行討論以幫助用戶選擇適合應用的 MOSFET 驅動器。
2021-05-10 11:28:4541 具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
2022-10-28 12:00:200 該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器，可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動的功率轉換器等領域。
2023-06-30 09:58:50967 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器和電流檢測功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:40:130 電子發燒友網站提供《600V 30m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR030數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 14:17:130 電子發燒友網站提供《600V 50m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR050數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 15:27:070 電子發燒友網站提供《650V 50m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3522R050數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:41:300 電子發燒友網站提供《650V 50m? 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R050數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:40:050 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器和電流檢測功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 09:50:390 電子發燒友網站提供《650V 30m?具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R030數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 11:31:110 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 10:40:570 電子發燒友網站提供《具有集成式驅動器和保護功能GaN FET LMG3522R030數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 11:02:330 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-29 09:18:530 （LET）的抗干擾度：?≥75MeV*cm2/mg 2.?功能描述 PC1210是一款60V半橋GaN驅動器，專為高頻率、高效率的應用而開發， 具有可調節死區
2024-06-20 14:16:531184 
電子發燒友網站提供《如何使用LMG1210優化RF放大器性能.pdf》資料免費下載
2024-09-19 11:14:424 電子發燒友網站提供《利用LMG1210實現GaN半橋設計的散熱和功耗降低.pdf》資料免費下載
2024-10-14 10:13:513 電子發燒友網站提供《使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅動器.pdf》資料免費下載
2025-01-03 16:19:416 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-20 16:35:36831 
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅動器，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-20 16:54:57883 LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成，由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動，采用半橋配置。
2025-02-21 09:19:40908 
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成，由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動，采用半橋配置。
2025-02-21 09:28:211050 LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計，減少了元件數量，并減少了電路板空間。
2025-02-21 10:46:25773 
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 10:54:37798 
Ω，LMG3100R044為 46A/4.4mΩ。該器件由一個由高頻 GaN FET 驅動器驅動的 100V GaN FET 組成。LMG3100 包含一個高側電平轉換器和自舉電路，因此可以使用兩個 LMG3100 器件來形成一個半橋，而無需額外的電平轉換器。
2025-02-21 11:19:521063 
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 13:42:42726 
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計，減少了元件數量并減少了電路板空間。
2025-02-21 14:14:05806 
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設計并減少了元件數量。
2025-02-21 14:37:23728 
Ω，LMG3100R044為 46A/4.4mΩ。該器件由一個由高頻 GaN FET 驅動器驅動的 100V GaN FET 組成。LMG3100 包含一個高側電平轉換器和自舉電路，因此可以使用兩個 LMG3100 器件來形成一個半橋，而無需額外的電平轉換器。
2025-02-21 15:16:11925 
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 GaN FET 組成，由一個采用半橋配置的高頻
2025-02-21 17:17:561047 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 17:46:47745 
LMG2650 是一個 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2650通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器
2025-02-24 09:37:33810 
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
LMG352xR050 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-24 13:32:11727 
LMG3425R030 GaN FET 集成了驅動器和保護功能，針對開關模式電源轉換器，使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。
LMG3425R030 集成了一個硅驅動器，可實現高達
2025-02-25 13:51:37683 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:16:45702 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:44:30754 
LMG5200器件是一個 80V、10A 驅動器和 GaN 半橋功率級，使用增強型氮化鎵 （GaN） FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80V GaN FET 組成，由一個采用半橋配置
2025-02-26 14:11:121055 
LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應晶體管 （GaN FET） 驅動器，專為超高頻、高效率應用而設計，具有可調死區時間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側低側匹配，可優化系統效率。該器件還具有一個內部 LDO，無論電源電壓如何，都能確保 5V 的柵極驅動電壓。
2025-05-24 15:53:00893 
LMG1020 器件是一款單通道低側驅動器，設計用于在高速應用中驅動 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括 LiDAR、飛行時間、面部識別以及任何涉及低側驅動器的電源轉換器。LMG
2025-05-19 09:47:33911 
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅動器，從而減少了元器件數量并簡化了設計。可編程的導通轉換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅動器，帶高側電平轉換器和自舉功能。兩個LGM3100器件可用來組成一
2025-07-06 16:41:072906 
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵（GaN）場效應晶體管。93V連續、100V脈沖、53A半橋功率級包含兩個GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22679 
。LMG2100R044在半橋配置中集成了兩個100V GaN FET，由一個高頻90V GaN FET驅動器驅動。GaN FET為功率轉換提供了顯著優勢，例如零反向恢復和最小輸入電容CISS和輸出電容COSS。
2025-08-04 10:00:30861 
Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:20:47820 
Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:29:38770 
該LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET半橋。該LMG2656通過在6mm x 8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、柵極驅動器、自舉FET和高側柵極驅動電平轉換器，簡化
2025-08-06 16:40:03934 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅動器和保護，適用于開關模式電源應用。 通過將GaN FET和柵極驅動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關模式電源應用設計的集成驅動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅動器
2025-08-13 15:13:49777 
Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驅動器和保護功能，適用于開關模式電源轉換器
2025-09-08 09:38:55696 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管（FET）集成了驅動器和保護功能，可使設計人員在電子設備系統中實現新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
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