英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產品，該器件具備業界領先的穩健性、易用性，可實現歷史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點，過壓穩健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實現 dV/dt 抑制和 ESD 保護。與上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管的驅動方式與 Si MOSFET 類似，無需復雜低效的電路，而是采用商用工業柵極驅動器。最后，與硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，這使得 H2 ICeGaN HEMT 在高開關頻率下能大幅降低開關損耗，并縮小尺寸，減輕重量。基于這些優勢，該產品在同類產品中具備領先的效率性能，并且與 SMPS 應用中業界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

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ICeGaN H2 系列采用創新 NL3（空載和輕載）電路，與 GaN 開關一同集成在片上，功耗創歷史新低。采用（片上）集成米勒鉗位的先進箝位結構，無需負柵極電壓，可實現真正的零電壓關斷，并提高動態 RDS(ON) 性能。這些 e-mode（常關）單芯片 GaN HEMT 包含單片集成接口和保護電路，因此具備卓越的柵極可靠性，并且可以簡化設計。最后，電流檢測功能可降低功耗，并允許直接接地，以優化散熱和 EMI 性能。
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關于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠半導體公司，由來自劍橋大學的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年創立，旨在探索功率器件的革命性技術。公司的使命是通過高效易用的 GaN 解決方案為日常生活帶來創新體驗。CGD 從事 GaN 晶體管和 IC 的設計、開發及商業化，從根本上改進器件能效和尺寸，并使其適合量產。CGD 擁有領先的創新技能和宏圖大志，不斷擴大知識產權組合，為 ICeGaN? 技術奠定了強大的基礎。除了數百萬的種子基金，以及 A 輪融資和現在的 B 輪私人融資，CGD 目前已有四個項目成功獲得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的資助。CGD 團隊擁有深厚的技術和商業專業知識，在電力電子市場備受認可，擁有良好的業界口碑，促使公司的專利技術在初期便受到市場青睞。
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