美國固態設備公司(SSDI)推出用于航空航天和國防用高壓氮化鎵(GaN)功率場效應晶體管(FET)SGF46E70系列,可用于高效DC-DC、PoL轉換器、電機控制器、機器人和自動化。
SGF46E70系列是46A、700V,可選TO-254通孔封裝和SMD1表貼封裝。SGF15E100是15A、1000V,采用TO-257封裝。兩個系列均是結合了GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和低壓硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)驅動器的共源共柵器件。
GaN產品以其改進的品質因數(RDS(ON)x QG)而聞名,與傳統硅MOSFET相比,可提供更快的開關速度。低壓、非密封GaN器件廣泛用于商業應用,但SSDI專注于高功率、高壓航空航天和國防應用的密封解決方案。
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原文標題:GaN|美國SSDI公司推出GaN FET,適用于航空航天和國防機器人及自動化領域電力電子系統
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