國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出600V絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 系列，藉以優(yōu)化在10kHz以下操作的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括冰箱及空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-06 09:51:00
2108 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產(chǎn)品系列，專為提升系統(tǒng)效率及易于使用所設(shè)計(jì)，補(bǔ)足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強(qiáng)調(diào)使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術(shù)區(qū)間。
2012-11-13 08:54:332178 射頻（RF）應(yīng)用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點(diǎn)開發(fā)面向?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">電力電子應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開發(fā)幾種不同的方法，以實(shí)現(xiàn)GaN功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）商業(yè)化。
2014-01-10 11:18:5310738 
近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:113206 使用GaN FET構(gòu)建高速系統(tǒng)并非易事。開關(guān)電場(chǎng)可占據(jù)封裝上方和周圍的空間，因此組裝使用GaN FET用于無(wú)線系統(tǒng)的系統(tǒng)對(duì)于整體性能至關(guān)重要。本文著眼于不同封裝技術(shù)對(duì)不同應(yīng)用的影響以及這些技術(shù)如何用于構(gòu)建高性能GaN設(shè)備。
2019-03-11 08:04:005383 
氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長(zhǎng)的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計(jì)算，以及許多新的汽車
2021-03-31 11:47:003895 解決方案需要額外的 IC，這會(huì)增加額外的復(fù)雜性和挑戰(zhàn)。在本文中，作者介紹了一種與 GaN FET 兼容的模擬控制器，該控制器的材料清單數(shù)量很少，讓設(shè)計(jì)人員能夠以與使用硅 FET 相同的簡(jiǎn)單方式設(shè)計(jì)同步降壓轉(zhuǎn)換器，并提供卓越的性能
2022-07-26 11:57:092162 
在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中，熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后，工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級(jí)別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊(cè)論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級(jí)系列非常重要
2022-11-18 09:42:251468 LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
LMG342xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
2025-02-25 14:07:161148 
開關(guān)頻率（高達(dá) 100kHz）支持以最低的電流紋波驅(qū)動(dòng)低電感電機(jī)帶有集成型柵極驅(qū)動(dòng)器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復(fù)雜度極速開關(guān)轉(zhuǎn)換（小于
2018-10-31 17:33:14
各位大師 請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題本人有臺(tái)開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個(gè)大容，四個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管組成的對(duì)管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問(wèn)題。只要工作就燒開關(guān)管，大功率場(chǎng)效應(yīng)管，兩個(gè)對(duì)管。問(wèn)問(wèn)是怎么回事，會(huì)是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級(jí)尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2018-10-26 10:32:18
使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來(lái)越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開關(guān)能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉(zhuǎn)換更高水平的功率，如圖1所示。GaN半導(dǎo)體能夠在交流/直流供電
2022-11-07 06:26:02
服務(wù)器。電力是昂貴的，但所需的冷卻也是如此。電力轉(zhuǎn)換路徑的任何節(jié)省都是值得的。圖1顯示了具有120或240 V交流輸入的典型電源。 電力公司需要功率因數(shù)校正（PFC）級(jí)。這通常是一個(gè)直流輸出為380 V
2017-05-03 10:41:53
、高速驅(qū)動(dòng)和保護(hù)機(jī)制的功率級(jí)器件LMG3410R070（圖2），這款產(chǎn)品是行業(yè)內(nèi)首款600V GaN集成功率級(jí)器件，采用的是8mm X 8mm QFN封裝的多芯片模塊（MCM），方便工程師方案設(shè)計(jì)。導(dǎo)
2019-07-16 00:27:49
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導(dǎo)通電阻降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)2.電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導(dǎo)率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢(shì)而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
作者: 德州儀器設(shè)計(jì)工程師謝涌；設(shè)計(jì)與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過(guò)將GaN FET與高性能驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行共同封裝，我們能夠在一個(gè)模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們一直在努力讓器件更加智能，以降
2018-09-11 14:04:25
，并且優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過(guò)將GaN FET與高性能驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行共同封裝，我們能夠在一個(gè)模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們一直在努力讓器件更加智能，以降
2018-09-10 15:02:53
化作業(yè),設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、性能可靠，是一款革命性LED驅(qū)動(dòng)方案，能有效降低產(chǎn)LED照明產(chǎn)品成本、并同時(shí)提高產(chǎn)照明產(chǎn)品壽命。 有需要聯(lián)系***鐘R
2013-07-19 14:18:31
一、概述：高性能半橋驅(qū)動(dòng)SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具備獨(dú)立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢(shì)在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對(duì)稱
2025-11-21 08:35:25
：SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)半橋或類似拓?fù)渲械母哌吅偷瓦呴_關(guān)而設(shè)計(jì)。其最大亮點(diǎn)在于直接兼容替代IRS21867S，且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過(guò)較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
逆變器、UPS不間斷電源
工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率驅(qū)動(dòng)部分
總結(jié)SiLM2186CA-DG (SOP8) 是一款在性能、可靠性和兼容性方面表現(xiàn)均衡的高壓半橋驅(qū)動(dòng)器，600V耐壓、3A灌電流能力
2025-08-23 09:36:06
600V、4A/4A 半橋門極驅(qū)動(dòng)SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì)，解決工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器或大功率電源中，驅(qū)動(dòng)電路的可靠性直接決定整體性能。面對(duì)高壓環(huán)境下的噪聲干擾、開關(guān)損耗以及高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)復(fù)雜等實(shí)際挑戰(zhàn)，SiLM22868提供了一種扎實(shí)的解決方案。這款600V
2025-12-23 08:36:15
升/下降時(shí)間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關(guān)損耗，提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)： 獨(dú)特的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)，支持直接驅(qū)動(dòng)600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無(wú)需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
的材料特性，各自都有各自的優(yōu)點(diǎn)和不成熟處，因此在應(yīng)用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識(shí)是：SiC適合高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用；GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)示例展示了 EPC 的汽車級(jí) eGaN FET（如 EPC2206）如何幫助集成 48 V 總線，以實(shí)現(xiàn)高功耗負(fù)載電氣化并滿足整個(gè)車輛不斷增長(zhǎng)的功率需求。在48 V至12 V域之間傳輸功率
2023-02-21 15:57:35
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級(jí)尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2022-09-23 07:12:02
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級(jí)，設(shè)計(jì)師可以在單級(jí)中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加，同時(shí)提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F2...
2022-01-20 07:36:11
描述高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí)
2018-10-25 11:49:58
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級(jí)，設(shè)計(jì)師可以在單級(jí)中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加…
2022-11-15 07:01:49
的原型機(jī)。對(duì)于大量原型機(jī)的實(shí)時(shí)監(jiān)視會(huì)提出一些有意思的挑戰(zhàn)，特別是在GaN器件電壓接近1000V，并且dv/dts大于200V/ns時(shí)更是如此。一個(gè)經(jīng)常用來(lái)確定功率FET是否能夠滿足目標(biāo)應(yīng)用要求的圖表是安全
2019-07-12 12:56:17
怎樣去提升高性能示波器的通用性和擴(kuò)充能力？求解
2021-05-07 06:10:11
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
采用TI最新的GaN技術(shù)設(shè)計(jì)，圖1a所示的功率級(jí)開關(guān)節(jié)點(diǎn)波形真的引人矚目。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過(guò)沖。 圖1：TI 600V半橋功率級(jí)——開關(guān)波形
2022-11-15 06:43:06
。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過(guò)沖。 圖1：TI 600V半橋功率級(jí)——開關(guān)波形（a）；設(shè)備封裝（b）；半橋板圖（c）。 GaN FET具有低端子電容，因而
2019-08-26 04:45:13
Coss、Qrr和較低的柵極環(huán)路阻抗而具有較大的振鈴和硬開關(guān)損耗。集成柵極驅(qū)動(dòng)的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的器件。它是一個(gè)
2023-02-14 15:06:51
）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：高壓超結(jié)工藝，效率更高、更可靠，適用于600V以上高壓應(yīng)用領(lǐng)域，行業(yè)前沿拓展產(chǎn)品。
應(yīng)用場(chǎng)景：PC電源開關(guān)、電池、逆變器等。
此為RU15P12C的部分參數(shù) 可無(wú)償分享
原廠一級(jí)代理可為您答疑解惑
行業(yè)內(nèi)率先通過(guò) ISO9001、ISO14001質(zhì)量體系認(rèn)證的高新技術(shù)企業(yè)。
2024-09-23 17:07:50
的轉(zhuǎn)換器。在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計(jì)要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對(duì)寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一個(gè)600V GaN功率級(jí)樣品時(shí)，我驚嘆于該
2019-07-29 04:45:12
超高效率600V H系列整流器擴(kuò)展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:111237 600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181434 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:342107 基于GaN的功率技術(shù)引發(fā)電子轉(zhuǎn)換革命
功率MOSFET出現(xiàn)之前，雙極性晶體管在功率電子領(lǐng)域一直占據(jù)主導(dǎo)地位，而且線性供電支配著整個(gè)電源世界。但是，30年前第一批商用化
2010-04-13 14:33:371820 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器。
2011-04-01 09:36:431012 美國(guó)Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，因美國(guó)谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:442262 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:533853 提升高性能示波器的通用性和擴(kuò)充能力
2017-01-14 03:03:35
14 高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。
2017-02-10 15:10:112189 在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計(jì)要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對(duì)寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一個(gè)600V GaN功率級(jí)樣品時(shí)，我驚嘆于該產(chǎn)品
2018-07-10 10:18:006431 
）功率級(jí)工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:062913 。 TI推出的是面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，與TI現(xiàn)有解決方案相比，新的GaN FET系列采用快速切換的2．2 MHz集成柵極驅(qū)動(dòng)器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達(dá)99％的效率，與此同時(shí)，
2020-11-17 17:50:352390 DN87-快速調(diào)節(jié)器提升高性能處理器的速度
2021-04-17 20:44:430 引人矚目。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過(guò)沖。?
圖1：TI 600V半橋功率級(jí)——開關(guān)波形（a）；設(shè)備封裝（b）；半橋板圖（c）。
?
GaN FET
2021-12-16 15:09:522022 
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過(guò) PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來(lái)展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-25 09:15:051075 
本文分析了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺(tái)上的成功協(xié)同集成。這些組件的添加使芯片設(shè)計(jì)具有擴(kuò)展的功能
2022-07-29 08:56:441560 
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過(guò) PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來(lái)展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-29 08:06:371093 
解決方案需要額外的 IC，這會(huì)增加額外的復(fù)雜性和挑戰(zhàn)。在本文中，作者介紹了一種兼容 GaN FET 的模擬控制器，該控制器的物料清單數(shù)量少，使設(shè)計(jì)人員能夠像使用硅 FET 一樣簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)同步降壓轉(zhuǎn)換器，并提供卓越的性能。 眾所周知，與傳統(tǒng)的硅 FET 相比，氮化鎵 (GaN) FET 已顯
2022-08-04 09:58:081408 
大多數(shù)高密度功率轉(zhuǎn)換器的限制因素是結(jié)溫，這促使需要更有效的熱設(shè)計(jì)。eGaN FET 和 IC 的芯片級(jí)封裝提供六面冷卻，從管芯的底部、頂部和側(cè)面充分散熱。高性能熱設(shè)計(jì)可以保證基于 eGaN 的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)具有更高的輸出功率，具有緊湊的尺寸和低導(dǎo)通電阻。
2022-08-09 09:41:462593 
600V SPM? 2 系列熱性能（通過(guò)安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 GaN功率器件包括SBD、常關(guān)型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品，主要應(yīng)用于無(wú)線充電件、電源開關(guān)、逆變器、交流器等領(lǐng)域。隨著技術(shù)水平的進(jìn)步與成本控制，GaN材料將在中低功率取代硅基功率器件，在300V~600V電壓間發(fā)揮優(yōu)勢(shì)作用。
2023-02-08 09:36:083948 
600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:212074 
優(yōu)越的電氣參數(shù)，呈現(xiàn)出最佳效能 強(qiáng)茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線；此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路，而
2023-03-06 11:56:27709 RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching)
2023-03-30 19:22:280 RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-03-30 19:22:410 RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching)
2023-07-13 18:52:300 RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-07-13 18:52:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 14:17:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 15:27:070 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有過(guò)流保護(hù)功能的LMG341xR050 600V 50mΩ集成式GaN功率級(jí)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 11:33:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的LMG341xR150 600V 150mΩ GaN數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 11:19:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的LMG341xR070 600V 70mΩ GaN數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-28 11:18:300 Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標(biāo)志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計(jì)算領(lǐng)域帶來(lái)了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于600V GaN功率級(jí)的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-21 10:18:060 400V 變 600V 儲(chǔ)能雙向升降壓變壓器：智能高效的電力轉(zhuǎn)換核心 在當(dāng)今快速發(fā)展的能源存儲(chǔ)與電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，400V 變 600V 儲(chǔ)能雙向升降壓變壓器憑借其獨(dú)特的性能和先進(jìn)的設(shè)計(jì)，成為了眾多
2024-12-16 17:14:261057 
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成，由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，采用半橋配置。
2025-02-21 09:19:40908 
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成，由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，采用半橋配置。
2025-02-21 09:28:211064 LMG342XEVM-04X具有兩個(gè)LMG342XR0X0 600-V GaN FET，采用半橋配置，具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，并具有所有所需的偏置電路和邏輯/功率電平轉(zhuǎn)換。基本的功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)
2025-02-21 11:10:42822 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器，憑借卓越性能與可靠品質(zhì)，成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認(rèn)證：品質(zhì)與安全的堅(jiān)實(shí)背書 CSA，即加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)認(rèn)證，在加拿大電氣設(shè)備市場(chǎng)擁有至高權(quán)威性。對(duì)于變壓器而言，獲得 CSA 認(rèn)證絕非易事。從設(shè)計(jì)
2025-02-21 14:56:40797 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 17:46:47745 
適當(dāng)?shù)臒嵩O(shè)計(jì)，TI以QFN 12x12格式封裝的新型LMG342x GaN功率級(jí)產(chǎn)品可以完全滿足高功率（>3 kW）轉(zhuǎn)換應(yīng)用的需求。
2025-02-25 10:36:391037 
LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí)，使用增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET 提供集成功率級(jí)解決方案。該器件由兩個(gè) 80V GaN FET 組成，由一個(gè)采用半橋配置
2025-02-26 14:11:121055 
高效能轉(zhuǎn)換、高可靠性和國(guó)際認(rèn)證，成為解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵工具。 一、技術(shù)突破：精準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)換與高效能設(shè)計(jì) 600V變380V變壓器的核心優(yōu)勢(shì)在于其精準(zhǔn)的電壓轉(zhuǎn)換能力和高效能設(shè)計(jì)。該變壓器采用先進(jìn)的電磁感應(yīng)原理，通過(guò)優(yōu)化繞組結(jié)構(gòu)和使用高
2025-03-03 15:23:03628 
卓爾凡電力科技變壓器，當(dāng)進(jìn)口的加拿大380V半導(dǎo)體設(shè)備在國(guó)內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運(yùn)行時(shí)，電壓不匹配問(wèn)題常常導(dǎo)致設(shè)備無(wú)法正常工作，甚至可能損壞設(shè)備。為解決這一難題，卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52547 Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器，從而減少了元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。可編程的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44658 
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET
2025-08-04 10:00:30861 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過(guò)將GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
FET導(dǎo)通電阻。內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)器可降低總柵極電感和GaN FET共源電感，從而提高開關(guān)性能，包括共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。LMG3612 GaN FET支持轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求和突發(fā)模式操作，具有55μA低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間。
2025-08-13 15:13:49777 
終止（TrenchFSII）技術(shù)的600V、7AIGBT。該器件集低損耗、高開關(guān)頻率與良好的溫度穩(wěn)定性于一身，為各類中功率變頻與能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。核
2025-12-25 16:57:49709 
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對(duì)于各種電子設(shè)備的運(yùn)行
2025-12-29 10:05:2292
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