D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封裝FET的直接替代品
Transphorm正在對三個650 V GaN FET進行采樣，典型導通電阻為35 mΩ、50 mΩ和72 mΩ，采用TO無引線(TOLL)封裝。根據制造商的說法，這些通常關閉的D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封裝FET的直接替代品。
堅固耐用的SuperGaN TOLL器件已通過JEDEC認證。由于常關 D 模式平臺將 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 配對，因此 SuperGaN FET 很容易使用常用的現成柵極驅動器驅動。它們可用于各種硬開關和軟開關 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 拓撲，以提高功率密度，同時減小系統尺寸、重量和總體成本。
這三款表面貼裝器件的工作溫度范圍為 -55°C 至 +150°C，支持平均工作范圍為 1 kW 至 3 kW 的應用。這些電源系統通常用于計算(AI、服務器、電信)、能源和工業系統(光伏逆變器、伺服電機)以及其他工業市場。
審核編輯：彭菁
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