中國上海，2025年9月9日 —Nexperia每年增加 800多種新產品類型。2024年，僅模擬和電源管理應用便推出了超過 70種新部件。為支持 Nexperia產品擴展，e絡盟緊跟其不斷擴大的產品組合，擴充了自身的庫存產品型號范圍，以便更精準的服務全球工程師。

Nexperia提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質量和可靠性方面享有盛譽，并大筆投資制造業。比如在德國漢堡工廠投資 2億美元研發 SiC和 GaN技術。目前，這項投資已初見成效，其產品組合迅速增長，涵蓋功率 MOSFET、寬帶間隙半導體、IGBT以及模擬和電源管理集成電路。

Nexperia每年增加 800多種新產品類型。2024年，僅模擬和電源管理應用便推出了超過 70種新部件。

這些制造方面的進步和新產品的推出彰顯出 Nexperia在努力踐行提升生產能力和滿足未來需求的承諾；e絡盟擴充新增 Nexperia電源產品庫存的行動也體現出 e絡盟努力滿足客戶需求的決心。

e絡盟無源元件和半導體全球產品類別總監 Jose Lok表示：“尖端電源產品的重要性不言而喻，Nexperia提供的一些優質產品已覆蓋汽車、工業、便攜式及可穿戴應用領域。我們共同努力確保開發人員能夠在需要時精準獲得所需元件。目前，e絡盟已在美洲、歐洲、中東和非洲以及亞太地區全面鋪開 Nexperia庫存，隨時為全球工程師提供堅實支持。”

e絡盟推出的新品系列包括：

• 功率 MOSFET –汽車認證功率 MOSFET、小信號 MOSFET以及專用 MOSFET（電壓范圍為 20V至 100V）。這些器件采用銅夾片封裝技術（LFPAK、CCPAK）和微型引線封裝 (MLPAK)，提供卓越的開關性能和可靠性。
• H系列（高速）和 M系列（電動機驅動）650VIGBT分立器件展現出出色的耐用性與高可靠性，同時可提升逆變器功率密度，適用于中高壓工業領域。
• SiC二極管具有不受溫度影響的電容關閉和零恢復開關特性，以及出色的品質因數 (Qc x VF)。
• SiC MOSFET提供出色的 RDSon溫度穩定性、快速開關速度和高短路耐受能力，適用于高功率和高電壓工業應用。
• 低壓增強型 GaN FET、650 V增強型 GaN FET、40 V雙向 GaN FET和 650 V共源共柵 GaN FET，旨在通過降低低功率或高功率轉換應用中的傳導和開關損耗來提高功率密度。
• 功率整流器可以提供高功率密度，同時還能減少反向恢復時間和功率損耗。

Nexperia分銷事業部高級企業客戶經理 Kinga Czutro表示：“我們為電源產品在廣泛應用中的出色表現感到自豪。e絡盟的及時供貨與專業支持，是助力工程師快速且可靠地實現設計落地的重要保障。這種合作關系充分體現了雙方的共同愿景。”

Nexperia的新款電源產品系列現在可通過Farnell（歐洲、中東和非洲地區）、Newark（北美）和 e絡盟（亞太地區）訂購并發貨。