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電子發燒友網>今日頭條>新品首發丨芯導科技推出直驅型的E-Mode 氮化鎵功率IC — PDG7115

新品首發丨芯導科技推出直驅型的E-Mode 氮化鎵功率IC — PDG7115

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氮化電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號 功率65W

氮化電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯寶科技氮化電源芯片U8722X家族,喜提“”成員——U8722FE,推薦最大輸出功率65W,集成MOS
2025-04-10 16:30:58667

330W氮化方案,可過EMC

氮化
深圳市三佛科技發布于 2025-04-01 11:31:39

CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC

深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC,原裝現貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化(GaN)FET是常關器件
2025-03-31 14:26:10

英飛凌推出用于超高功率密度設計的全新EXDP混合反激控制器IC

:IFNNY)又推出E混合反激控制器系列。專為高性能應用設計的全新XDP混合反激數字控制器系列,采用先進的不對稱半橋(AHB)拓撲結構,將反激轉換器的簡易性和諧振轉換器的效率相結合,從而實現高功率密度設計。因此,該控制器系列適用于各類AC/DC應用,包括二級市場和原廠充電器、
2025-03-28 16:42:13762

30W氮化電源IC U8608的工作原理

30W氮化電源ic U8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能,通過調節驅動電流檔位,可以減少電磁干擾(EMI),優化系統的整體性能和待機功耗。具體來了解一下!
2025-03-28 13:36:48797

氮化快充芯片U8766的主要特點

深圳銀聯寶科技推出氮化快充芯片集成高頻高性能準諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化快充芯片U8766,擁有超低啟動和工作電流,可實現小于30mW的超低待機功耗,勢如破竹!?
2025-03-20 17:41:40835

Nexperia擴展E-mode GaN FET產品組合

市場,包括消費電子、工業、服務器/計算以及電信,尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來,Nexperia一是業內少有、同時提供級聯或D-modeE-mode器件的供應商,為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰提供了更多便捷性。
2025-03-19 17:16:291165

Navitas推出全球首款雙向GaN功率IC

近日,納維塔斯半導體公司在亞特蘭大舉行的APEC2025大會上,宣布推出全球首款雙向氮化(GaN)功率集成電路(IC),此舉被業界譽為在可再生能源和電動汽車等高功率應用領域的“范式轉變”。納維塔斯
2025-03-19 11:15:001256

GaN驅動技術手冊免費下載 氮化半導體功率器件門極驅動電路設計方案

GaN驅動技術手冊免費下載 氮化半導體功率器件門極驅動電路設計方案
2025-03-13 18:06:0046953

氮化系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

氮化系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785

納微半導體發布雙向GaNFast氮化功率芯片

唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼: NVTS)今日重磅發布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化
2025-03-13 15:49:392996

京東方華燦光電氮化器件的最新進展

日前,京東方華燦的氮化研發總監馬歡應半導體在線邀請,分享了關于氮化器件的最新進展,引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大,氮化(GaN)技術逐漸成為新一代電子器件的熱點,其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527

新品 | 采用EconoDUAL? 3的250kW eCAV主功率單元

新品采用EconoDUAL3的250kWeCAV主功率單元REF-CAV250KMT7INV是一款用于800VeCAV牽引系統的250kW三相逆變器主功率單元,它包括三個
2025-03-12 19:03:22821

氮化(GaN)功率IC在電機逆變器中的應用: 優勢、實際應用案例、設計考量

介紹了氮化(GaN)功率IC在電機逆變器中的應用,對比傳統硅基解決方案,闡述了其優勢、實際應用案例、設計考量及結論。 *附件
2025-03-12 18:47:172084

海信發布E8Q旗艦系列電視新品

近日,海信電視舉行“巔峰畫質 影游旗艦”新品發布會,正式發布E8Q旗艦系列電視新品,搭載全球首顆信AI畫質芯片H7、全新升級的黑曜屏Ultra、330Hz系統級高刷、U+Mini LED光暈控制系統、影院級帝瓦雷聲學系統五大行業首發科技,為極致影游愛好者打造電視畫質的巔峰之作。
2025-03-11 15:38:301443

CGD官宣突破性技術:以創新性氮化解決方案撬動超百億美元新能源車主逆變器市場

氮化功率器件、以創新技術簡化環保節能電子系統設計的無晶圓廠環保技術半導體企業。今日CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化
2025-03-11 10:57:26884

氮化晶體管的并聯設計技術手冊免費下載

氮化晶體管的并聯設計總結 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?:并聯開關管廣泛應用于大功率場合,如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311103

氮化(GaN)充電頭安規問題及解決方案

什么是氮化(GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化(GalliumNitride,GaN)半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534

氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

什么是氮化(GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化(GalliumNitride,GaN)半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183

40W ACDC系列氮化電源模塊 HLK-40Mxx系列

,采用氮化材料,體積小巧,僅為57.5*33.5*23.8mm,極大程度的節省了設計空間。該系列電源模塊共有4款,輸出功率40W,輸出電壓分別為9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021

高頻低損耗大電流電感 氮化電源方案設計理想之選

CSBA系列通過采用低損耗金屬磁粉材料和優化的線圈結構,進一步降低磁損耗和電阻損耗,從而提升氮化電源的整體效率。例如,在數據中心服務器電源中,低損耗電感可減少能源浪費,符合綠色節能的發展趨勢。
2025-02-20 10:50:171010

科技OVP IC產品的應用案例

近期,充電頭網拆解了機械師G6Pro游戲手柄,該款產品使用的過壓保護芯片來自Prisemi科技,型號P14C13,是一顆高集成的過壓保護芯片,過壓保護點為6V,耐壓為32V,內置MOS管通電阻為250mΩ,采用SOT23封裝。
2025-02-19 14:30:371091

垂直氮化器件的最新進展和可靠性挑戰

過去兩年中,氮化雖然發展迅速,但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時,不少垂直氮化的初創企業倒閉或者賣盤,這引發大家對垂直氮化未來的擔憂。為此,在本文中,我們先對氮化未來的發展進行分析,并討論了垂直氮化器件開發的最新進展以及相關的可靠性挑戰。
2025-02-17 14:27:362014

氮化電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz

氮化電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化電源芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能,在恒功率區間,通過控制輸出電流隨輸出電壓變化,實現恒功率功能。外置溫度檢測
2025-02-13 16:22:261075

深圳銀聯寶科技氮化芯片2025年持續發力

深圳銀聯寶科技氮化芯片2025年持續發力氮化芯片YLB銀聯寶/YINLIANBAO無線通信領域,設備往往需要在有限的空間內實現強大的信號傳輸功能,氮化芯片就能憑借這一特性,滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919

納微半導體氮化和碳化硅技術進入戴爾供應鏈

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技術進入戴爾供應鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234

PRISEMI科技推出新品–全面應對手機EOS問題

PRISEMI科技推出新品–全面應對手機EOS問題
2025-02-05 15:53:53803

測量探頭的 “溫漂” 問題,都是怎么產生的,以及對于氮化襯底厚度測量的影響

在半導體產業這片高精尖的領域中,氮化(GaN)襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料,正驅動著光電器件、功率器件等諸多領域邁向新的高峰。然而,氮化襯底厚度測量的精準度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰
2025-01-22 09:43:37449

測量探頭的 “溫漂” 問題,對于氮化襯底厚度測量的實際影響

在半導體制造這一微觀且精密的領域里,氮化(GaN)襯底作為高端芯片的關鍵基石,正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應用蓬勃發展。然而,氮化襯底厚度測量的準確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404

不同的氮化襯底的吸附方案,對測量氮化襯底 BOW/WARP 的影響

在當今高速發展的半導體產業浪潮中,氮化(GaN)襯底宛如一顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學與光學性能,在眾多高端芯片制造領域,尤其是光電器件、功率器件等方向,開拓出廣闊的應用天地。然而,要想充分發揮
2025-01-17 09:27:36420

氮化襯底的環吸方案相比其他吸附方案,對于測量氮化襯底 BOW/WARP 的影響

在半導體領域的璀璨星河中,氮化(GaN)襯底正憑借其優異的性能,如高電子遷移率、寬禁帶等特性,在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角,成為推動行業發展的關鍵力量。而對于氮化襯底而言,其
2025-01-16 14:33:34366

氮化充電器和普通充電器有啥區別?

的代替材料就更加迫切。 氮化(GaN)被稱為第三代半導體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化芯片頻率遠高于硅,有效降低內部變壓器等原件體積,同時優秀
2025-01-15 16:41:14

氮化電源芯片和同步整流芯片介紹

氮化電源芯片和同步整流芯片在電源系統中猶如一對默契的搭檔,通過緊密配合,顯著提升電源效率。在開關電源的工作過程中,氮化電源芯片憑借其快速的開關速度和高頻率的開關能力,能夠迅速地切換電路狀態,實現
2025-01-15 16:08:501733

PI公司1700V氮化產品直播預告

PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術專家將為您帶來專題演講,介紹新的氮化耐壓基準。
2025-01-15 15:41:09899

氮化芯片U872XAHS系列的主要特性

帶恒功率、底部無PAD的氮化芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V,內阻1.0--1.2R。封裝類型ASOP-7-T4。
2025-01-06 15:52:201004

英諾賽科登陸港交所,氮化功率半導體領域明星企業閃耀登場

近日,全球氮化(GaN)功率半導體領域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板,為港股市場增添了一枚稀缺且優質的投資標的。 英諾賽科作為全球首家實現量產8英吋硅基氮化晶圓的公司,其在
2025-01-06 11:29:141123

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