由于具有更好的品質因數，寬帶隙 (WBG) 半導體（例如氮化鎵 (GaN)）提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設較小的功率器件會導致較高的熱阻。本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。

功率器件的熱管理

電力電子市場需要越來越小、更高效和更可靠的設備。滿足這些嚴格要求的關鍵因素是高功率密度（能夠減少解決方案的占地面積和成本）和出色的熱管理（能夠控制設備溫度）。功率半導體熱管理系統的三個主要要求如下：

1. 熱量應以足夠低的熱阻從器件傳導到周圍環境，以防止結溫 (T _J ) 升高超過規定限值。由于降額因素，T _J通常低于數據表中的值。

1. 電源電路與周圍環境之間應提供電氣隔離。

1. 由材料熱膨脹系數不匹配引起的熱致機械應力應被吸收。

功率器件最常見的熱管理系統如圖 1 所示。它包括一個散熱器（將熱量從功率半導體傳遞到周圍環境）和一個電絕緣體（熱界面材料，或 TIM），用于分隔金屬散熱器從半導體結。由于大多數介電材料的導熱率較低，因此需要在電隔離和熱阻之間進行權衡。

圖 1：最常見的 CSP GaN FETS 熱管理系統

In real systems, power devices often come in a package composed of multiple metal and dielectric layers and are mounted on PCBs that also comprise multiple layers of metal and dielectrics. The heatsink is attached to this assembly, making it quite complex.

審核編輯：劉清