在風力發電中，發電機與變流控制系統是保障機組高效穩定運行的關鍵。隨著風電機組容量不斷增大和海上風電的快速發展，直驅永磁同步變速恒頻系統因其突出優勢，正獲得越來越廣泛的應用。本篇中我們基于EasyGo
2025-12-24 18:32:36
496 
產品應用多面性氮化鎵是半導體領域后起之秀中的“六邊形戰士”，綜合性能全面，而射頻應用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現，在高頻高功率場景中讓傳統硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54735 
概要： 安森美（onsemi ） 與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達成全新合作協議，進一步鞏固其在智能電源產品領域的領導地位，雙方將共同研發并制造下一代氮化鎵（GaN）功率器件
2025-12-19 20:01:513406 雙向器件，GaN BDS 的出現可以大大降低元器件的成本：無需工藝調整和 MASK 變動，通過合并漂移區和漏極及雙柵控制，即可實現單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率
2025-12-12 09:40:25
30W氮化鎵全電壓認證方案1.方案介紹及產品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW
2025-11-28 17:18:042048 
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步，打破車規級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 電子發燒友原創 章鷹 10月23日，國際知名調研機構Yole Group發布的《功率氮化鎵2025》報告顯示，功率氮化鎵器件市場正以驚人速度擴張。2024年市場規模達3.55億美元，預計2030年將
2025-11-16 00:40:0013349 
中的性能差異源于材料物理特性，具體優劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573101 現在氮化鎵材料技術比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術嘛？
2025-11-14 07:25:48
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現高頻工況下的效率提升，并滿足最高質量標準，能夠打造具有超高效率的高可靠性設計。該系
2025-11-03 18:18:052815 
TGA2963介紹： 哈嘍，朋友們，今天我要向大家介紹的是 Qorvo 的一款功率放大器——TGA2963。 它的射頻輸入和輸出端口已經匹配到標準
2025-10-31 14:57:28
隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 一、隊伍介紹
本篇為蜂鳥E203系列分享第五篇，本篇介紹的內容是E203 代碼結構梳理。
二、層次圖
三、模塊具體功能
2025-10-30 06:56:37
氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
氮化鎵（GaN）技術為電源行業提供了進一步改進電源轉換的機會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導體一直主導著電子行業。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業
2025-08-21 06:40:348327 
隨著芯片尺寸的逐漸縮小，電場強度卻隨距離的減小而線性增加。若電源電壓保持不變，產生的電場強度將足以擊穿芯片，這無疑對電子系統的電源電壓提出了更為嚴苛的要求。銀聯寶氮化鎵電源ic U8726AHE集成高壓E-GaN、集成高壓啟動電路，減少外圍元件，適配快速充電器和適配器等電源設備。
2025-08-19 17:38:341597 
磁芯飽和會導致變壓器線圈感抗變小，回路電流大增，從而引起開關管的損壞。想要避免這些后果，就必須確保開關電源主變壓器在工作過程中不會進入磁飽和狀態。氮化鎵電源ic U8732內部集成有軟啟動功能，在
2025-08-18 16:30:465763 
近日，應充電頭網邀請，在行業目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術展開深度分享，為行業發展勾勒清晰且充滿希望的藍圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發表了他對氮化鎵材料發展的寄語。
2025-08-14 15:31:223004 CMPA2738060F內容介紹： 今天我要向大家介紹的是 MACOM 的一款2.7 - 3.8 GHz 80W氮化鎵功率
2025-08-12 11:02:45
芯片的腳位是指芯片與電路板或其他芯片之間進行連接的引腳。引腳可以傳輸數字信號和模擬信號，還用于為芯片提供電源和接地。今天重點介紹的是深圳銀聯寶氮化鎵電源ic U8731的腳位特征！
2025-07-29 14:07:594019 氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關模式電源應用。LMG3624將氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 和柵極驅動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
深圳市永阜康科技有限公司現在大力推廣國內首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時，驅動到4Ω可以在10%THD+N內輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。
2025-07-21 15:05:102858 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現小于30mW的超低待機功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應擴大。因為內置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協議多、節能高等特點，所以快充充電器比我們設想的要小、要薄。今天推薦的是一款集成E-GaN的高頻高性能準氮化鎵快充ic U8733L，特別適應于快速充電器和適配器上！
2025-07-15 15:26:062542 
在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動超寬禁帶功率器件進入大規模落地階段。
2025-07-11 09:12:482948 
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯寶科技研發生產的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業界最高質量標準，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗
2025-06-20 17:26:561420 
全球能源轉型中，傳統雙饋式風電因齒輪箱損耗大、維護成本高，難以滿足高效需求。直驅式技術以無齒輪箱設計降損提效，尤其適用于海上風電、高海拔等場景。本篇中我們基于EasyGo實時仿真器EGBoxMini
2025-06-18 18:05:00850 
同一套電源芯片方案，可直接應用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節省成本，更是大大縮短了開發時間，使項目收益最大化。深圳銀聯寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認證測試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠實現更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實現噪音和紋波最優化打嗝模式本質為電源保護機制（如短路保護），優化需在保障可靠性的前提下進行。高頻噪聲問題需協同芯片設計、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵
2025-06-12 15:46:16962 摘要
本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰。文中提出了一種以專用GaN驅動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩固可靠的設計。此外，本文還建議將
2025-06-11 10:07:24
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201071 前不久，納微半導體剛剛發布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化家反激式開關IC專為服務器、個人電腦待機電源以及功率高達220W、電壓高達1250V的工業電源而設計。
2025-05-30 09:34:111164 恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進的電子技術，實現了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調節系統的輸入或輸出參數（如電壓、電流等），使得系統在負載變化時能夠維持輸出功率不變。銀聯寶氮化鎵
2025-05-29 16:53:04911 開關損耗。氮化鎵快充電源ic U8765采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化！
2025-05-26 18:02:421062 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵
2025-05-23 14:21:36883 電源方案全電壓認證款：U8722BAS+U7612B方案來咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片
2025-05-22 15:41:26734 CS管腳通常用于采樣電感電流，實現峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實現過流保護功能。?此外，CS管腳還可以用于設定系統的最高工作頻率。通過連接不同阻值的RSEL電阻，可以設定不同的系統工作頻率上限。氮化鎵電源ic U8724AH復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。
2025-05-22 11:33:48753 
過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳，當欠壓保護被觸發時，該引腳會產生一個信號。通過檢測該引腳的狀態，可以判斷芯片是否處于欠壓保護狀態。深圳銀聯寶氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。
2025-05-21 11:55:37755 從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
谷底鎖定模式是一種應用于開關電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關鍵技術，其核心在于通過精確控制開關管的導通時機以降低損耗和提升系統穩定性。在深圳銀聯寶科技最新推出的20W氮化鎵電源ic U8722SP
2025-05-17 09:13:57825 
行業技術新高度。Gemini微型增程器采用水平對置雙缸四沖程發動機與P1永磁同步電機相結合,并首發搭載自研“冰刃”系列氮化鎵(GaN)功率模塊,是全球首款應用氮化鎵功
2025-05-13 09:36:34789 
芯片?恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統溫度，防止過熱。深圳銀聯寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！
2025-05-10 14:22:16871 深圳銀聯寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導體今日正式宣布推出 全新專為電機驅動
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協同工作，保障充電頭在電網波動時仍能穩定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優化的柵極驅動尤為重要。此類轉換器的快速開關需仔細考量寄生參數、過沖/欠沖現象以及功率損耗最小化問題，而驅動電路在這些方面都起著
2025-05-08 11:08:401153 
恒功率電源芯片具有穩壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應用場景，如充電器、LED驅動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS，不僅可以提高電路的穩定性和可靠性，同時也可以提高能源利用效率，使優勢發揮到最大！
2025-05-07 17:58:32673 （E-mode）氮化鎵-GD：耗盡型（D-mode）氮化鎵技術差異：E-mode器件無需負壓關斷，驅動電路更簡化；D-mode需搭配驅動IC實現常閉特性。2.耐壓等級標識-65：650V
2025-05-06 17:24:21593 
氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。
2025-04-28 16:07:21720 
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 電子發燒友網報道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來了數字能源、消費電子、汽車電子、機器人領域最新的氮化鎵器件方案。 圖：英諾賽科展臺新品和氮化鎵晶圓 電子
2025-04-21 09:10:422407 
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產表現，可為車載充電機（OBC）和高壓轉低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264298 
氮化鎵的應用已經從消費電子的快充向工業級功率領域滲透，這給了國內廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上，鎵創晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪，分享公司氮化鎵產品和市場近況以及行業趨勢等話題
2025-04-16 15:12:491444 氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 防止過熱。這種功能可以與OTP協同工作，提供雙重保護。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！
2025-04-02 17:52:32781 
深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關器件
2025-03-31 14:26:10
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能，通過調節驅動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優化系統的整體性能和待機功耗。具體來了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 市場，包括消費電子、工業、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業內少有、同時提供級聯型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰提供了更多便捷性。
2025-03-19 17:16:291165 GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案
2025-03-13 18:06:0046953 
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發布全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用，對比傳統硅基解決方案，闡述了其優勢、實際應用案例、設計考量及結論。 *附件
2025-03-12 18:47:172084 
效氮化鎵功率器件、以創新技術簡化環保節能電子系統設計的無晶圓廠環保技術半導體企業。今日CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵
2025-03-11 10:57:26884 電動汽車設計師致力于通過提升功率、縮小系統尺寸并減少散熱需求，使電動汽車更輕量化、自動化，并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級功率器件在功率轉換、高頻開關和熱管理領域的突破性進展，電動汽車的能
2025-03-03 11:41:561005 
氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯開關管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優點，轉換效率高達91%，應用廣泛，性價比高。一、產品介紹40WACDC系列氮化鎵電源模塊
2025-02-24 12:02:321021 
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優化制程達到室溫連續波操作電激發氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發光層再搭配
2025-02-19 14:20:431085 
過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發的最新進展以及相關的可靠性挑戰。
2025-02-17 14:27:362014 
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。外置溫度檢測
2025-02-13 16:22:261075 HMC1114PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 18 dBm 的輸入功率 (PIN) 下，在 2.7 GHz 至 3.8 GHz 瞬時帶寬范圍上實現大于 10 W (高達
2025-02-13 14:33:12
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
2025-02-07 16:01:021106 深圳銀聯寶科技氮化鎵芯片2025年持續發力氮化鎵芯片YLB銀聯寶/YINLIANBAO無線通信領域，設備往往需要在有限的空間內實現強大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234 
在半導體產業這片高精尖的領域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅動著光電器件、功率器件等諸多領域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰
2025-01-22 09:43:37449 
在半導體制造這一微觀且精密的領域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應用蓬勃發展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在當今高速發展的半導體產業浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而，要想充分發揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業發展的關鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內部變壓器等原件體積，同時優秀
2025-01-15 16:41:14
電能的高效轉換。同步整流芯片的加入則有效地解決了能量損耗問題。今天介紹的是35W氮化鎵電源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準。
2025-01-15 15:41:09899 工藝的橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學和豐田合成的研究人員制造了一種 200mm 的多點籽晶 （MPS） 襯底，并成功地在襯底上生長出對角線長度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358 帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內阻1.0--1.2R。封裝類型ASOP-7-T4。
2025-01-06 15:52:201004 近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導體領域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優質的投資標的。 英諾賽科作為全球首家實現量產8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141123
電子發燒友App
工商網監
評論