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RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計算應用
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奈梅亨，2023年3月22日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優化，可在175°C下工作，適用于先進的電信和計算設備。
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憑借數十年開發先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產品組合中的首選，在緊湊的8x8 mm封裝尺寸中兼顧低RDS(on)和強大線性模式（安全工作區）性能，可滿足嚴苛的熱插拔應用要求。此外，Nexperia還發布了一款80 V ASFET產品PSMN1R9-100SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在響應計算服務器和其他工業應用中使用48 V電源軌的增長趨勢，在這些應用中，環境條件允許MOSFET采用較低的VDS擊穿電壓額定值。
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在熱插拔和軟啟動應用中，具有增強型SOA的ASFET越來越受市場歡迎。當容性負載引入帶電背板時，這些產品強大的線性模式性能對于高效可靠地管理浪涌電流必不可少。當ASFET完全導通時，低RDS(on)對于最大限度地降低I2R損耗也同樣重要。除了RDS(on)更低且封裝尺寸更緊湊之外，Nexperia的第三代增強SOA技術與前幾代D2PAK封裝相比還實現了10% SOA性能改進（在 50 V、1 ms 條件下，電流分別為33 A和30 A）。
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Nexperia的另一項創新在于，用于熱插拔的新型ASFET完整標示了25°C和125°C下的SOA特性。數據手冊中提供了經過全面測試的高溫下SOA曲線，設計工程師無需進行熱降額計算，并顯著擴展了實用的高溫下SOA性能。
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到目前為止，適合熱插拔和計算應用的ASFET通常采用較大尺寸的D2PAK封裝(16x10 mm)。LFPAK88封裝是D2PAK封裝的理想替代選項，空間節省效率高達60%。PSMN2R3-100SSE的RDS(on)僅為2.3 mΩ，相較于現有器件至少降低了40%。? LFPAK88不僅將功率密度提高了58倍，還提供兩倍的ID(max)額定電流以及超低熱阻和電阻。該產品結合了Nexperia先進的晶圓和銅夾片封裝技術的功能優勢，包括占用空間更小、RDS(on)更低以及SOA性能更優。Nexperia還提供采用5x6 mm LFPAK56E封裝的25 V、30 V、80 V和100 V ASFET系列產品，并針對需要更小PCB管腳尺寸的低功耗應用進行了優化。

有關新型ASFET的更多詳細信息，請訪問：nexperia.cn/asfets-for-hotswap-and-soft-start
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