一年一度的全球電子成就獎評選（World Electronics Achievement Awards)正在火熱進行中，該獎項旨在評選并表彰對推動全球電子產業創新做出杰出貢獻的企業和管理者。今年，Nexperia（安世半導體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產品現已雙雙入圍年度功率半導體！

采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)

同時兼顧低RDS(on)和強大線性模式性能，并提供業界領先的功率密度

碳化硅(SiC)肖特基二極管(650 V, 10 A) - PSC1065K20

將小尺寸、高效率與耐用性的優點集于一身，可顯著降低系統復雜性

關鍵技術：

強大的線性模式性能可高效可靠地管理浪涌電流。當ASFET完全導通時，低RDS(on)可最大限度地降低I2R損耗。封裝尺寸更緊湊之外，Nexperia的第三代增強SOA技術與前幾代D2PAK封裝相比還實現了10% SOA性能改進（在 50 V、1 ms 條件下，電流分別為33 A和30 A）。

產品優勢：

采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(SOA)的特性。這些 ASFET 提供 80 V 和 100 V 兩種型號，兼顧低RDS(on)和強大線性模式性能，非常適合進的電信和計算設備中要求苛刻的熱插拔和軟啟動應用。與前幾代產品相比具有增強的SOA、數據手冊中提供了經過全面測試的高溫下SOA曲線，以及節省空間的尺寸，為熱插拔和計算應用提供了優化的解決方案，提供了業界領先的功率密度改進。

此外，另一款80 V ASFET產品PSMN1R9-80SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在響應計算服務器和其他工業應用中使用48 V電源軌的增長趨勢，在這些應用中，環境條件允許MOSFET采用較低的VDS擊穿電壓額定值。

應用場景：

“熱插拔”和“軟啟動”系統中的浪涌管理；48V 電信和以太網供電 PoE 系統；12V計算服務器系統；電子保險絲和電池管理系統

碳化硅(SiC)肖特基二極管(650 V, 10 A)

關鍵技術：

合并PIN（MPS） 碳化硅肖特基二極管

產品優勢:

具備不受溫度影響的電容開關和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質因數(QC x VF)。其突出的開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。

合并PIN肖特基(MPS)二極管通過在制造過程中降低芯片厚度而進一步提高其性能，并具備其他優勢，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統復雜性，使硬件設計人員能夠在耐用型高功率應用中，以更小的外形尺寸實現更高的效率。

采用真2引腳(R2P) TO-220-2通孔電源塑料封裝。其他封裝選項包括表面貼裝(DPAK R2P and D2PAK R2P)和采用真2引腳配置的通孔(TO-247-2)封裝，可在高達175°C的高壓應用中增強可靠性。

應用領域:

該工業級器件可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰，包括開關模式電源、AC-DC和DC-DC轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續運行性能

審核編輯：彭菁