安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品,籍此擴展市場領先的低RDS(on) MO,同時優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷.

　　奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS（on）的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認的低壓、低RDS（on）的領先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場領先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術實現(xiàn)，并不影響最大漏極電流（ID（max））、安全工作區(qū)（SOA）或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。

　　很多應用均需要超低RDS（on）器件，例如ORing、熱插拔、同步整流、電機控制與電池保護等，以便降低I2R損耗并提高效率。然而，某些具有類似Rdson值的同類器件，由于單元間距縮小，其SOA能力（衡量MOSFET安全工作區(qū)指標）及Idmax額定電流需要降額。安世半導體的PSMNR51-25YLH MOSFET提供高達380A的最大額定電流。該參數(shù)對電機控制應用尤為重要，因為電機堵轉(zhuǎn)或失速的瞬間可能在短時間內(nèi)會導致很大的浪涌電流，而MOSFET必須承受此浪涌才能確保安全可靠的運行。一些競爭對手僅提供計算出的ID（max），但安世半導體產(chǎn)品實測持續(xù)電流能力高達380A。

　　該器件采用安世半導體LFPAK56封裝兼容5×6mm Power-SO8封裝，提供高性能銅夾結構，可吸收熱應力，從而提高質(zhì)量和壽命可靠性。

　　安世半導體的功率MOSFET產(chǎn)品經(jīng)理Steven Waterhouse表示：“借助我們最新的NextPowerS3 MOSFET，意味著電源工程師現(xiàn)在比以前擁有更多的選擇來打造市場領先的產(chǎn)品——電池可以持續(xù)更長時間，電機可以提供更大扭矩，服務器可以更加可靠。”

　　典型應用包括：電池保護；直流無刷（BLDC）電機（全橋，三相拓撲）；ORing服務器電源、熱插拔和同步整流。