，而光刻工藝又是精密電子元器件制造的關鍵流程，這使得光刻膠在整個電子元器件加工產業，都有著至關重要的地位。 本文簡要介紹幾種代表性光刻膠的成分和機理，重點是光刻膠的新技術應用，以及國產化機會。 ? 光刻膠主要成分 ?
2022-04-25 17:35:22
12484 
了光刻劑。但重大挑戰仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導體制造業中使用微氣泡。因此，我們需要通過明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機制，來提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131980 
光刻膠為何要謀求國產替代？中國國產光刻膠企業的市場發展機會和挑戰如何？光刻膠企業發展要具備哪些核心競爭力？在南京半導體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發總監潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:238662 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337845 
波長不同，可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）以及EUV光刻膠，其中KrF、ArF和EUV光刻膠被認為是高端光刻膠，目前國內幾乎空白。 ? 日本壟斷全球光刻膠大部分市場份額，全球排名前四的光刻膠廠商都來自日本，包括合成橡膠
2021-07-03 07:47:0026808 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環節的重要材料，目前主要被日美把控，國內在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優勢，國內廠商在光
2021-08-12 07:49:006896 領域進行激烈競爭的時候，中國國產光刻膠企業在國內晶圓廠布局的成熟制程領域，展開了新產品上市和量產的爭奪戰。 ? 南大光電最新消息顯示，國產193nm（ArF）光刻膠研發成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該
2022-08-31 07:45:004234 厚膠量產到ArF浸沒式膠驗證，從樹脂國產化到EUV原料突破，一場靜默卻浩蕩的技術突圍戰已進入深水區。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國際28nm產線驗證，開創了國內半導體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 ? 電子發燒友網綜合報道 近日，八億時空宣布其KrF光刻膠萬噸級半導體制程高自動化研發/量產雙產線順利建成，標志著我國在中高端光刻膠領域的自主化進程邁出關鍵一步。 ? 此次建成的KrF光刻膠產線采用
2025-08-10 03:26:009092 /㎝2條件下進行曝光。曝光結束后，選擇合適的烘烤溫度及時間。將晶片在顯影液中浸漬顯影，隨后用氮氣吹干。AZ光刻膠AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。高感光度,高產出率；高附著性,特別為濕法刻蝕工藝
2018-07-12 11:57:08
分辨率可達0.15mm；193nm光刻采用OPC技術和多層光刻膠技術分辨率可達0.1 mm。進一步提高分辨率, 直至達到硅材料的極限0.1μｍ左右。另一條路線是采用更短波長的激光如氟157ｎｍ和氬
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方沒有殘留；工藝參數：s9920光刻膠， evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
100μm并具有極高的分辨率。 NR5 系列 NR5-系列負性光刻膠，用于深度離子蝕刻（RIE）中的厚膜掩膜工藝。 PR1 系列 正性光刻膠，用于光刻，蝕刻和高溫制程。 IC1/DC5 系列 作為
2010-04-21 10:57:46
型號及參數[tr=transparent]光刻膠名稱型號勻膠厚度規格[/tr][tr=transparent]Merck AZ 正/負可轉換型光刻膠AZ 52140.5-6μm100ml;500ml;1L
2018-07-04 14:42:34
和分辨率，但它對 GaAs 的附著力略遜于 AZ4330。其次，我們將濕法蝕刻從基于手動浸入的工藝遷移到 噴射蝕刻系統。雖然可能會產生更好的蝕刻均勻性和可重復性，但噴射蝕刻系統可能是對光刻膠附著力的苛刻
2021-07-06 09:39:22
光刻技術中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當掩膜版與硅片接觸和對準時,硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
噴膠機是現代光電子產業中光刻膠涂布的重要設備。可對不同尺寸和形狀的基片進行涂膠，最大涂膠尺寸達8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時可對大深寬比結構的側壁進行均勻涂膠；通過計算機系統控制器進行工藝參數的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
５０ ｓ。用金相顯微鏡測試了在優化工藝參數條件下制作的光刻膠圖形的分辨率，同時對圖形反轉機理進行了討論。關鍵詞：光刻；ＡＺ?５２１４；剝離工藝；圖形反轉；斷面模擬
2009-10-06 10:05:30
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區域內,然后把這些區域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 這是一種老式的旋轉涂膠機，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機器的旋轉的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3719874 默克與中電彩虹的創新合作項目光刻膠國產化項目于 7 月 17 日在陜西咸陽正式竣工。
2018-07-19 09:09:387903 在國家政策與市場的雙重驅動下，近年來，國內企業逐步向面板、半導體光刻膠發力……
2019-04-23 16:15:3614108 
2018年，南大光電和上海新陽先后宣布，投入ArF光刻膠產品的開發與產業化，立志打破集成電路制造最為關鍵的基礎材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴于進口的局面，填補國內高端光刻膠材料產品的空白。
2019-05-21 09:24:247863 
經開區企業北京欣奕華科技有限公司（以下簡稱“欣奕華”）了解到，經過多年的行業累積和技術迭代，欣奕華在平板顯示用負性光刻膠領域實現了量產，預計今年將有1000噸的光刻膠交付用戶，約占國內市場的8%。
2019-10-28 16:38:494539 今年7月17日，南大光電在互動平臺透露，公司設立光刻膠事業部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進“ArF光刻膠開發和產業化項目”落地實施。目前該項目完成的研發技術正在等待驗收中，預計2019年底建成一條光刻膠生產線，項目產業化基地建設順利。
2019-12-16 13:58:528273 隨著電子信息產業發展的突飛猛進，光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規模預計接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預計未來3年仍以年均5%的速度增長，預計至2022年全球光刻膠市場規模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484848 在國際半導體領域，我國雖已成為半導體生產大國，但整個半導體產業鏈仍比較落后。特別是由于國內光刻膠廠布局較晚，半導體光刻膠技術相較于海外先進技術差距較大，國產化不足5%。在這種條件下，國內半導體廠商積極開展研究，如晶瑞股份的KrF光刻膠，南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:565517 與ASML一臺售價媲美一架F35 戰斗機，達到1億以上歐元的NXE3400B EVU設備比較起來，全球市場規模只有90億美元的光刻膠就要不顯眼許多。
2020-03-29 17:04:004299 光刻膠按應用領域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導體光刻膠等。按照下游應用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等
2020-09-15 14:00:1420205 全球光刻膠市場規模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復合增長率達6.3%；應用方面，光刻膠主要應用在PCB、半導體及LCD顯示等領域，各占約25%市場份額。
2020-09-21 11:28:046826 
全球光刻膠市場規模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復合增長率達6.3%；應用方面，光刻膠主要應用在PCB、半導體及LCD顯示等領域，各占約25%市場份額。 國內光刻膠整體
2020-10-10 17:40:253534 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學反應，經曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:542357 此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數值孔徑和工藝系數相關。
2020-10-15 15:09:187666 對公司光刻膠業務的具體影響等問題。 10月12日，晶瑞股份發布關于深圳證券交易所關注函的回復公告稱，本次擬購買的光刻機設備將用于公司集成電路制造用高端光刻膠研發項目，將有助于公司將光刻膠產品序列實現到ArF光刻膠的跨越，并最終實
2020-10-21 10:32:105003 大光電的ArF光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規格要求，良率結果達標。” “ArF 光刻膠產品開發和產業化”是寧波南大光電承接國家 “02 專項”的一個重點攻關項目。本次產品的認證通過，標志著 “ArF 光刻膠產品開發和產業化”項目取得了關鍵性的突破
2020-12-18 09:29:427279 ，“ArF 光刻膠產品開發和產業化”是寧波南大光電承接國家“02 專項”的一個重點攻關項目。本次產品的認證通過，標志著“ArF 光刻膠產品開發和產業化”項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一只國產 ArF 光刻膠。? 此舉意味著國產193nm ArF 光刻膠產
2020-12-25 18:24:097828 調試。此外，這款 ASML XT 1900 Gi 型 ArF 浸入式光刻機可用于研發最高分辨率達 28nm 的高端光刻膠。 IT之家了解到，晶瑞股份于 2020 年 9 月 28 日晚發布公告稱，將
2021-01-20 16:34:007356 1月19日晚，國內半導體材料公司晶瑞股份發表公告，宣稱購得ASML公司光刻機一臺，將用于高端光刻膠項目。
2021-01-21 09:35:513579 該工作首次展示了利用單個重離子進行單納米光刻的潛力，證明了無機負膠HSQ具有可靠的亞5nm光刻分辨能力。通過利用先進的重離子微束直寫技術和單離子輻照技術，單個重離子曝光技術有望在極小尺度加工中發揮獨特作用，并可用于先進光刻膠分辨率極限的評價。
2021-03-17 09:12:027608 近期，專注于電子材料市場研究的TECHCET發布最新統計和預測數據：2021年，半導體制造所需的光刻膠市場規模將同比增長11％，達到19億美元。
2021-03-22 10:51:126146 按照應用領域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學品（光引發劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發劑、半導體光刻膠光引發劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導體光刻膠。
2021-05-17 14:15:525022 
由于KrF光刻膠產能受限以及全球晶圓廠積極擴產等，占據全球光刻膠市場份額超兩成的日本供應商信越化學已經向中國大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠。 信越
2021-06-25 16:12:281241 大漲9.72%，雅克科技大漲9.93%，強力新材、上海新陽、彤程新材等跟漲。 光刻膠板塊的大漲吸引了產業注意 ，國產光刻膠再遇發展良機？ KrF光刻膠海外供應告急 據了解，光刻膠板塊本輪異動的背后，是KrF光刻膠海外供應告急。自日本福島2月份發生強震后，光刻膠市場一度傳
2021-05-28 10:34:154020 在半導體制造方面，國內廠商需要突破的不只是光刻機等核心設備，光刻膠也是重要的一環。而南大光電研發的高端ArF光刻機，已經獲得了國內某企業的認證，可用于55nm工藝制造。 南大光電發布公告稱，控股
2021-06-26 16:32:373071 光刻膠是光刻機研發的重要材料，換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015756 AZ703的自旋速度為3000r/min，厚度為1.10um，對光刻膠的去除有顯著影響。為了最小化頂層與襯底物接觸的面積，進一步減少浮渣，我們選擇了8μm作為底層抗蝕劑的最佳縮回距離d。 導讀 一般來說，負光致抗蝕劑具有良好的抗蝕特性作為掩
2022-01-26 11:43:221169 
的自旋速度為3000r/min，厚度為1.10um，對光刻膠的去除有顯著影響。為了最小化頂層與襯底物接觸的面積，進一步減少浮渣，我們選擇了8μm作為底層抗蝕劑的最佳縮回距離d。
2022-03-24 16:04:231451 
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 與此同時，在ASML看來，下一代高NA EUV光刻機為光刻膠再度帶來了挑戰，更少的隨機效應、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統的正膠和負膠肯定是沒法用了，DUV光刻機上常用的化學放大光刻膠（CAR）也開始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現瓶頸
2022-07-22 10:40:083923 光刻膠產品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 南大光電最新消息顯示，國產193nm（ArF）光刻膠研發成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該公司已開發出數十種高端光刻膠產品系列，包括
2022-08-31 09:47:142371 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質（如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等）；感光劑，感光劑對光能發生光化學反應；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423795 半導體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產品，海外進口依賴較重，不同品質之間價 格差異大。以國內 PAG 對應的化學放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434880 光刻膠是IC制造的核心耗材，技術壁壘極高。根據TECHCET數據，預計2022年全球半導體光刻膠市場規模達到23億美元，同比增長7.5%，2025年超過25億美元。
2023-03-21 14:00:493248 此前該公司指出，公司已建成年產5噸ArF干式光刻膠生產線、年產20噸ArF浸沒式光刻膠生產線及年產45噸的光刻膠配套高純試劑生產線，具備ArF光刻膠及配套關鍵組分材料的生產能力，目前公司送樣驗證的產品均由該自建產線產出。
2023-04-11 09:25:321910 EUV光刻膠材料是光敏物質，當受到EUV光子照射時會發生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰方面發揮著關鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩定性。
2023-09-11 11:58:421622 
光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規模集成電路器件的結構圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發生化學反應，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統能獲得的分辨率直接相關，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:151810 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112940 
為了生產高純度、高質量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監測也是至關重要的控制環節。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:481717 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。
2023-11-29 10:28:501413 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質？
2023-12-15 09:35:563928 
光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:052730 
光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:212813 
據吳中發布的最新消息，簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目，該項投資高達15億元，旨在新建半導體光刻膠及其配套試劑的生產基地。
2024-01-26 09:18:431197 光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:189618 與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。
2024-03-20 11:36:505058 
在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應，引發單體之間的交聯反應，導致SU-8光刻膠在曝光區域形成凝膠化的圖案。
2024-03-31 16:25:209092 
光刻膠的性能：光刻膠的性能對套刻精度有顯著影響。它決定了圖形的套刻分辨率和邊緣清晰度，光刻膠的收縮和厚度不均勻性都可能導致實際圖案尺寸與設計尺寸之間的偏差。
2024-04-22 12:45:321889 我們在使用光刻膠的時候往往關注的重點是光刻膠的性能，但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實這個問題應該在我們購買光刻膠前就應該提出并規劃好。并且，在光刻過程中如果發現有異常情況發生，我們
2024-07-08 14:57:083146 圖形反轉膠是比較常見的一種紫外光刻膠，它既可以當正膠使用又可以作為負膠使用。相比而言，負膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負膠工藝。 應用領域 在反轉工藝下，通過適當的工藝參數，可以獲得底切的側壁
2024-07-09 16:06:001988 
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影，也就是說還未閉合，PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進行。前面的文章中我們在
2024-07-09 16:08:433446 
評價一款光刻膠是否適合某種應用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量
2024-07-10 13:43:492388 根據光刻膠的應用工藝，我們可以采用適當的方法對已顯影的光刻膠結構進行處理以提高其化學或物理穩定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現整個光刻膠結構的熱交聯，稱為硬烘烤或者堅膜。或通過低劑量紫外線輻照
2024-07-10 13:46:592702 
為了確保光刻工藝的可重復性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據工藝要求，有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用光刻膠涂覆基材
2024-07-11 15:46:362757 存儲時間 正膠和圖形反轉膠在存儲數月后會變暗，而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力，對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
2024-07-11 16:07:491791 為了成功紫外曝光并且根據所需要的分辨率，光刻膠掩模必須盡可能的靠近SU-8光刻膠放置，不要有任何干擾。如要這樣做，可檢查如下幾件事。 首先，光掩模和晶圓之間的灰塵或任何其他元素的存在都會導致不完
2024-08-23 14:39:421859 在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的過程中，需要把PDMS膠或SU-8光刻膠根據所需要的厚度來選擇合適的旋涂轉速并且使PDMS膠或SU-8膠涂布均勻化。 如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠
2024-08-26 14:16:011298 在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺或者烤膠設備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8光刻膠烘烤的注意事項。 微流
2024-08-27 15:54:011241 共讀好書關于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球，領取公眾號資料
2024-11-01 11:08:073091 來源：太紫微公司 近日，光谷企業在半導體專用光刻膠領域實現重大突破：武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產品，已通過半導體工藝量產驗證，實現配方全自主
2024-10-17 13:22:441105 
隨著線條寬度的不斷縮小，為了防止膠上圖形出現太大的深寬比，提高對比度，應該采用很薄的光刻膠。但薄膠會遇到耐腐蝕性的問題。由此開發出了 雙層光刻膠技術，這也是所謂超分辨率技術的組成部分。
2024-10-21 15:20:191787 
本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
2024-10-31 15:59:452789 光刻技術是現代微電子和納米技術的研發中的關鍵一環，而光刻膠，又是光刻技術中的關鍵組成部分。隨著技術的發展，對微小、精密的結構的需求日益增強，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技術等高精尖領域占據著至關重要的位置。
2024-11-11 10:08:214404 
光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會導致光刻膠碳化難以去除。
2024-11-11 17:06:222391 
分辨率（resolution）。區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
2024-11-15 10:10:414832 
光刻膠是半導體制造等領域的一種重要材料，在整個電子元器件加工產業有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中，感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關鍵性能，增感劑有助于提高
2024-12-19 13:57:362091 引言 在半導體制造與微納加工領域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環節的核心材料，其性能優劣直接影響光刻膠去除效果與基片質量。同時，精準測量光刻圖形對把控工藝質量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術保障
2025-05-29 09:38:531108 
? ? 引言 ? 在半導體制造領域，光刻膠剝離工藝是關鍵環節，但其可能對器件性能產生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 
引言 在半導體及微納制造領域，光刻膠剝離工藝對金屬結構的保護至關重要。傳統剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質量的關鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環節，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48816 光刻膠生產技術復雜、品種規格多樣，在電子工業集成電路制造中，對其有著極為嚴格的要求，而保證光刻膠產品的厚度便是其中至關重要的一環。 項目需求? 本次項目旨在測量光刻膠厚度，光刻膠本身厚度處于 30μm-35μm 范圍，測量精度要
2025-07-11 15:53:24430 
當您尋找可靠的國產半導體材料供應商時，一家在光刻膠領域實現全產業鏈突破的企業正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導體核心材料國產化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381162 在芯片制造領域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環節，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點，為光刻膠厚度監測提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準 刻下來的“感光神經膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進制程芯片 時代，不僅需要EUV光刻機，更需要EUV光刻膠的參與。但在過去 國內長期依賴進
2025-10-28 08:53:356236
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