芯片用光刻膠價格相當昂貴，因此減少光刻膠的用量可以大大降低芯片的生產(chǎn)成本。那么我們該怎樣在保證品質(zhì)的前提下減少光刻膠的使用量呢？

影響光刻膠用量的因素

光刻膠的用量，即體積，體積越大，則用量越大。而留存在晶圓上的光刻膠體積可以近似等于晶圓的面積x光刻膠厚度。那么直觀影響因素是晶圓的尺寸與光刻膠的膠厚。

勻膠方式：目前流行的勻膠有靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動態(tài)噴灑法。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法是指在開始旋轉(zhuǎn)晶圓之前，將一定量的光刻膠滴在靜止的晶圓中心。然后啟動旋轉(zhuǎn)，利用離心力將光刻膠均勻鋪展到整個晶圓表面。動態(tài)噴灑法指的是在晶圓旋轉(zhuǎn)的同時，通過噴嘴動態(tài)地噴灑光刻膠到旋轉(zhuǎn)中的晶圓上。噴灑的位置和速率可以精確控制，以實現(xiàn)勻膠的均勻性。動態(tài)噴灑法的光刻膠使用效率更高，所需的光刻膠更少。

影響光刻膠厚度的因素

設計的要求：光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間；對于線寬較小的圖形，過厚的光刻膠則會影響制程的精度。 旋涂速度和時間：旋涂速度增加使離心力變大，多余的膠液被甩出晶圓邊緣，光刻膠的厚度會變薄。延長旋涂時間可以使光刻膠層更平整，但對厚度的影響相對有限，因為一旦達到穩(wěn)定狀態(tài)，膠層厚度基本不再改變。 光刻膠黏度：隨著光刻膠黏度的增加，其流動性降低，使得在旋涂過程中較難被離心力甩出晶圓邊緣。結果是在給定的旋涂條件下，較高黏度的光刻膠會形成較厚的膠層。

如何減少光刻膠用量

設計合理的膠厚；

選擇合適的光刻膠種類，黏度等；

選擇臨界的均膠轉(zhuǎn)速，在保證質(zhì)量的前提下，適當降低勻膠速度。低轉(zhuǎn)速少量滴膠就可以達到高轉(zhuǎn)速大量滴膠的厚度；

找到臨界的滴膠量與滴膠速率，在晶圓轉(zhuǎn)速固定的情況下，提?滴膠速率可以顯著減少光刻膠的使?量；

優(yōu)化涂膠方式，運用動態(tài)噴灑法進行勻膠。

審核編輯：黃飛