在集成電路中，光刻工藝是非常核心及重要的加工環節，而光刻膠雖然只占芯片制程成本6%，卻是光刻工藝中的核心材料之一，其純度和質量直接決定了芯片的良品率。“如果缺少了光刻膠, 那么***將成為廢鐵。”

“光刻膠

除了半導體制程工藝，印刷電路板（PCB）和顯示面板產業也需要使用光刻膠。光刻膠在半導體應用中根據不同制程的***需要使用不同種類的光刻膠，光刻膠主要根據曝光光源波長不同來分類，包括紫外全譜（300～450nm）、G線（436nm）、I線（365nm）、深紫外（DUV，包括248nm和193nm）和極紫外（EUV）。其中，半導體用光刻膠主要分為5個種類：g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠和EUV光刻膠。

對于光刻膠來說，除了需要具備正確的配方研發，更重要的是要嚴格控制金屬雜質的含量。越高級的光刻膠對金屬雜質的含量要求越嚴格。

為了生產高純度、高質量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監測也是至關重要的控制環節。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢，直接損失達5.5億美元。由此可見光刻膠質量控制的重要性。

隨著技術進步和制程線寬越來越細，對于光刻膠的市場使用需求也將不斷增加，然而，更嚴苛的光刻工藝意味著需要更高端、更高純度、更高質量的光刻膠。

SGS半導體超痕量分析實驗室，擁有業界尖端的分析設備與環境，為半導體產業及其供應鏈提供專業的光刻膠與光刻膠上游原材料的純度、微量金屬雜質及其他雜質分析服務。